专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果7个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]非易失性存储器胞及非易失性存储器胞阵列-CN202211445897.X在审
  • 陈致均;林俊宏 - 力旺电子股份有限公司
  • 2022-11-18 - 2023-06-20 - G11C16/24
  • 本发明提供一种非易失性存储器胞及非易失性存储器胞阵列。该非易失性存储器胞包括:一第一选择晶体管、一第一浮动栅晶体管、一第二选择晶体管与一第二浮动栅晶体管。第一选择晶体管连接至编程源极线与编程字线。第一浮动栅晶体管具有一浮动栅极。第一浮动栅极连接至第一选择晶体管与编程位线。第二浮动栅晶体管具有一浮动栅极。第二浮动栅极连接至读取源极线。第二选择晶体管连接至第二浮动栅极、读取字线与读取位线。第一浮动栅晶体管的浮动栅极与第二浮动栅晶体管的浮动栅极相互连接。
  • 非易失性存储器阵列
  • [发明专利]基于压电驱动的血管给药治疗装置-CN201610148105.0有效
  • 彭瀚旻;朱攀丞;陈致均 - 南京航空航天大学
  • 2016-03-15 - 2022-04-22 - A61M31/00
  • 本发明公开一种基于压电驱动的血管给药治疗装置,利用双基体结构优势,实现装置的直线与旋转运动,在血管内对病变组织进行定位与给药。利用压电陶瓷产生的超声波雾化药液,从而实现药液的释放。利用压电陶瓷振动产生超声波的治疗作用,在检测病变组织的同时,对病变组织进行实时给药并加快其吸收速率,提高吸收效率,达到以最小的药物量治愈疾病的目的。此血管给药治疗装置可以大幅减小传统治疗方法中多余药物产生的副作用,在检测病变组织的同时就对病变组织进行快速治愈,达到检查方便、无创伤、无导线、无痛苦、无交叉感染、减小药量以及高治愈率的目的。
  • 基于压电驱动血管治疗装置
  • [发明专利]带隙基准参考电路-CN201911026237.6有效
  • 陈致均 - 力旺电子股份有限公司
  • 2019-10-25 - 2021-11-09 - G05F1/56
  • 本发明公开了一种带隙基准参考电路包括放大器,电压缓冲器,第一晶体管,第一电阻,第二晶体管,第二电阻及漏电流补偿组件。放大器的输入端分别耦接于第一参考端及第二参考端。电压缓冲器耦接于放大器的输出端以输出带差参考电压。第一晶体管耦接于第一参考端及第一电阻,及可接收带差参考电压。第二电阻耦接于第一电阻及系统电压端。第二晶体管耦接于第二参考端及第一电阻,及可接收带差参考电压。漏电流补偿组件耦接于第二晶体管及系统电压端。第一晶体管大于第二晶体管。
  • 基准参考电路
  • [发明专利]升压保护电路-CN201710142598.1有效
  • 李玠泽;陈致均;黄正达;林俊宏 - 力旺电子股份有限公司
  • 2017-03-10 - 2020-11-27 - G11C5/14
  • 本发明公开了一种升压保护电路,包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管及第四晶体管。第一晶体管、第二晶体管及第四晶体管的第一端耦接,用以接收写入电压。第三晶体管的控制端用以接收工作电压。第四晶体管的第二端用以在第四晶体管导通时输出写入电压。当写入电压非预期地升压且工作电压未升压时,第一晶体管为导通,第二晶体管为截止,及第四晶体管为截止,以避免第四晶体管的第二端输出写入电压。
  • 升压保护电路
  • [发明专利]非易失性记忆胞结构及其装置-CN201510139856.1有效
  • 陈致均;林俊宏;黄正达 - 力旺电子股份有限公司
  • 2015-03-27 - 2020-02-07 - G11C16/06
  • 非易失性记忆胞结构及其装置。本发明提供非易失性记忆胞结构及其非易失性存储器装置。非易失性记忆胞结构包括基板、第一井区、第二井区、第三井区、至少一第一晶体管、第二晶体管以及第三晶体管。第一至第三井区配置在基板上。第一至第三晶体管依序形成在第一至该第三井区上。该第一至该第三晶体管串联耦接。其中,第一晶体管控制端为浮接,第二晶体管控制端接收偏压电压,第三晶体管控制端耦接至字线信号。另外,第三井区及第二井区为相同形式,且第一井区形式与第三井区的形式互补。
  • 非易失性记忆结构及其装置
  • [实用新型]基于压电驱动的血管给药治疗装置-CN201620198345.7有效
  • 彭瀚旻;朱攀丞;陈致均 - 南京航空航天大学
  • 2016-03-15 - 2016-10-19 - A61M31/00
  • 本实用新型公开一种基于压电驱动的血管给药治疗装置,利用双基体结构优势,实现装置的直线与旋转运动,在血管内对病变组织进行定位与给药。利用压电陶瓷产生的超声波雾化药液,从而实现药液的释放。利用压电陶瓷振动产生超声波的治疗作用,在检测病变组织的同时,对病变组织进行实时给药并加快其吸收速率,提高吸收效率,达到以最小的药物量治愈疾病的目的。此血管给药治疗装置可以大幅减小传统治疗方法中多余药物产生的副作用,在检测病变组织的同时就对病变组织进行快速治愈,达到检查方便、无创伤、无导线、无痛苦、无交叉感染、减小药量以及高治愈率的目的。
  • 基于压电驱动血管治疗装置

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top