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[发明专利]装饰面板及显示装置-CN202310600941.8在审
发明人：吴雅婷;陈建铨;林俊良 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：本发明公开一种装饰面板及显示装置，其中该装饰面板包括第一基板、第二基板、胆固醇液晶层、第一透光导电层、第二透光导电层及凹凸透镜结构。第二基板设置于第一基板的对向。胆固醇液晶层设置于第一基板与第二基板之间。第一透光导电层设置于第一基板与胆固醇液晶层之间。第二透光导电层设置于第二基板与胆固醇液晶层之间。第二基板设置于凹凸透镜结构与第二透光导电层之间。凹凸透镜结构具有多个凸透镜及穿插于多个凸透镜之间的多个凹透镜。
装饰面板显示装置

[发明专利]装饰面板及显示装置-CN202310304259.4在审
发明人： 陈建铨;李淳汉;姜信强;陈鹏聿 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G02F1/137 文献下载
摘要：本发明公开一种装饰面板及显示装置，其中该显示装置包括第一基底、第一透光导电层、透光结构、第二基底、第二透光导电层及第一胆固醇液晶层。第一透光导电层设置于第一基底上。透光结构设置于第一基底上。第二基底设置于第一基底的对向。第二透光导电层设置于第二基底上。第一胆固醇液晶层设置于第一透光导电层与第二透光导电层之间。显示装置适于呈现装饰图案，且装饰图案对应于透光结构。
装饰面板显示装置

[发明专利]装饰薄膜元件及其制造方法-CN202310311717.7在审
发明人：吴雅婷;陈建铨 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G02F1/137 文献下载
摘要：本发明公开一种装饰薄膜元件及其制造方法，其中该装饰薄膜元件包括第一基板、第二基板、胆固醇液晶层、第一配向图案及第二配向图案。第一基板与第二基板相重叠。胆固醇液晶层设置在第一基板与第二基板之间。第一配向图案设置在第一基板与胆固醇液晶层之间。第二配向图案设置在第二基板与胆固醇液晶层之间。胆固醇液晶层包括重叠于第一配向图案和第二配向图案的第一部分以及不重叠于第一配向图案和第二配向图案的第二部分。第一部分的第一反射率不同于第二部分的第二反射率。
装饰薄膜元件及其制造方法

[发明专利]一种降低CMOS图像传感器暗电流的方法-CN202210229027.2有效
发明人：奚超超;蔡信裕;陈建铨 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种降低CMOS图像传感器暗电流的方法，包括：提供一半导体衬底，在半导体衬底中形成浅沟槽隔离结构、光电二极管和浮置扩散区，并形成多晶硅转移栅，多晶硅转移栅位于光电二极管和浮置扩散区之间；直接对光电二极管所在的半导体衬底表面以及多晶硅转移栅的表面进行离子注入，以同时消除光电二极管的表面缺陷引起的白点失效以及多晶硅转移栅的漏电引起的白点失效，解决光电二极管表面缺陷引起的暗电流，还解决多晶硅转移栅漏电引起的暗电流，从而有效降低暗电流所导致的白点失效问题，提高了良率；在形成p型掺杂薄层时无需形成图形化的光刻胶，这样就减少了光罩的成本，同时省略了光刻以及清洁光刻胶层的工艺步骤，降低了工艺成本。
一种降低 cmos 图像传感器电流方法

[发明专利]显示面板及其制造方法-CN202111477228.6在审
发明人：林育玄;陈建铨;陈鹏聿 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明公开一种显示面板及其制造方法，其中该显示面板包括电路基板、多个第一电极、第一挡墙层、第二挡墙层、有机发光材料层以及第二电极。第一挡墙层位于第一电极上，且具有重叠于第一电极的多个第一开口。第二挡墙层位于第一挡墙层上以及电路基板上。第二挡墙层具有沿着第一方向延伸的多个第二开口。单一个第二开口在第二方向上具有不同的宽度。第二开口重叠于第一开口，且第二开口与第一开口共同构成多个有机发光材料填充区。各有机发光材料填充区的第一部分的最大宽度大于各有机发光材料填充区的第二部分的最大宽度。
显示面板及其制造方法

[发明专利]发光装置-CN202111419878.5在审
发明人：林千蔚;陈建铨 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：一种发光装置，包括基板、主动元件层、挡墙结构以及多个有机发光材料。主动元件层位于基板上。挡墙结构位于主动元件层上。挡墙结构包括至少一第一挡墙以及多个第二挡墙。至少一第一挡墙具有多个弧面，且包括亲水性材料。第二挡墙沿着第一方向延伸，且第二挡墙包括疏水性材料。挡墙结构具有多个开口。各开口的其中两侧由至少一第一挡墙的对应的两个弧面所定义，且各开口的另外两侧由对应的两个第二挡墙的相对两侧壁所定义。有机发光材料填入挡墙结构的开口中。
发光装置

[发明专利]显示面板及其制造方法-CN201910481955.6有效
发明人： 陈建铨;任珂锐;林育玄;陈鹏聿 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本公开提供一种显示面板及其制造方法。具有显示区及周边区的显示面板包括主动元件阵列基板、隔离结构层及发光结构层。隔离结构层于主动元件阵列基板上定义出配置于显示区的多个第一凹槽。发光结构层包括第一虚设材料部、第二虚设材料部及分别配置于多个第一凹槽中的多个发光材料图案。第一虚设材料部及第二虚设材料部配置于周边区，且分别位于显示区的第一侧及第二侧。第一虚设材料部最远离显示区的第一材料边缘与显示区的第一侧相隔第一距离。第二虚设材料部最远离显示区的第二材料边缘与显示区的第二侧相隔第二距离。第一距离不同于第二距离。显示面板的制造方法亦被提出。
显示面板及其制造方法

[发明专利]像素结构-CN201910469164.1有效
发明人：谢宗錞;陈建铨 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：一种像素结构，包括第一电极以及像素定义层设置于第一电极上。像素定义层具有像素开口，包括中间部以及第一部及第二部。第一部、中间部及第二部在第一方向上依序排列。第一部在第二方向上具有第一宽度W1，第二部在第二方向上具有第二宽度W2，中间部在第二方向上具有固定的第三宽度W3，W3W1且W3W2。第一部在第一方向上具有第一长度L1，第二部在第一方向上具有第二长度L2，中间部在第一方向上具有第三长度L3，且
像素结构

[发明专利]晶圆缺陷的分析方法及系统-CN202110562681.0在审
发明人：冯亚;陈建铨;蔡信裕 -专利权人：晶芯成（北京）科技有限公司
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： G06F16/24 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆缺陷的分析方法及系统，所述分析方法包括：建立设备数据库，包括第一类数据及第二类数据，第一类数据为晶圆与设备直接接触的数据，第二类数据为晶圆与设备间接接触的数据，第一类数据及第二类数据均包括位置信息、尺寸信息以及角度信息；获取一产品晶圆上的至少一个晶圆缺陷的缺陷数据，缺陷数据包括位置信息、尺寸信息以及角度信息；比对缺陷数据与设备数据库，确认晶圆缺陷的设备来源。通过获得晶圆制造过程中晶圆与设备的第一类数据及第二类数据，以建立设备数据库，然后将产品晶圆的缺陷数据与设备数据库对比，即可快速、准确的分析确定产生晶圆缺陷的设备来源，以实现快速、准确分析晶圆缺陷的设备来源。
缺陷分析方法系统

[发明专利]显示面板及其制造方法-CN201910267514.6有效
发明人：李淳汉;陈建铨 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2019-04-03 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：一种显示面板及其制造方法，显示面板包括主动元件阵列基板、隔离结构层、第一发光材料层以及第二发光材料层。主动元件阵列基板具有显示区及围绕显示区的周边区。隔离结构层配置于主动元件阵列基板上。显示面板具有至少由隔离结构层定义出来的第一凹槽及第二凹槽。第一凹槽与第二凹槽设置于周边区，且显示区位于第一凹槽与第二凹槽之间。第一发光材料层及第二发光材料层分别填于第一凹槽及第二凹槽中。隔离结构层定义第一凹槽的边缘与显示区的边缘之间的最短距离实质上等于隔离结构层定义第二凹槽的边缘与显示区的边缘之间的最短距离。第一发光材料层的体积大于第二发光材料层的体积。一种显示面板的制造方法亦被提出。
显示面板及其制造方法

[发明专利]ESD保护电路、ESD保护结构及其制造方法-CN202110010268.3有效
发明人：袁野;詹奕鹏;蔡信裕;柯天麒;陈建铨;蒲源 -专利权人：晶芯成（北京）科技有限公司
申请日： 2021-01-06 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供了一种ESD保护电路、ESD保护结构及其制造方法，其中，所述ESD保护结构的制造方法包括：提供一基底，且所述基底上形成有浅沟槽隔离结构；在基底中形成第一掺杂类型的阱和与其相邻的第二掺杂类型的阱；在所述第一掺杂类型的阱中形成第一注入区，所述第一注入区为第一掺杂类型；在所述第二掺杂类型的阱中形成第二注入区和第三注入区，所述第二注入区和第三注入区被所述浅沟槽隔离结构隔离，且所述第二注入区为第二掺杂类型，所述第三注入区为第一掺杂类型；将所述第一注入区接地，所述第二注入区连接电源，所述第三注入区浮接。通过上述方法制备的ESD保护结构能够阻断寄生BJT的触发，从而避免闩锁效应发生，解决系统级ESD失效的问题。
esd 保护电路结构及其制造方法

[发明专利]一种静电放电保护电路及其应用-CN202011249787.7在审
发明人：蒲源;詹奕鹏;蔡信裕;柯天麒;郭千琦;陈建铨;袁野 -专利权人：晶芯成（北京）科技有限公司
申请日： 2020-11-11 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种静电放电保护电路，其包括在衬底并排设置有第一类型阱和第二类型阱，设置在所述第一类型阱上的保护环，设置在所述第二类型阱上的体端，设置在所述第二类型阱上的第一电极，所述第一电极位于所述体端相对于所述保护环的另一侧，设置在所述第二类型阱上的第二电极，所述第二电极位于所述第一电极相对于所述体端的另一侧，设置在所述第一电极与所述第二电极之间的栅极；其中，所述体端与所述第二电极之间的距离大于所述体端与所述栅极之间的距离，所述保护环与所述第一电极连接于第一电势点，所述体端、所述栅极与所述第二电极连接于第二电势点。通过本发明提供的一种静电放电保护电路，可增强抵抗闩锁效应的能力。
一种静电放电保护电路及其应用

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202011297637.3在审
发明人：袁野;詹奕鹏;陈建铨;蔡信裕;陈明睿 -专利权人：晶芯成（北京）科技有限公司
申请日： 2020-11-19 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构及其制造方法，其中，所述半导体结构的制造方法包括：首先，提供一衬底，且所述衬底上形成有浅沟槽隔离结构；在衬底中形成第一掺杂类型的阱和第二掺杂类型的阱，所述第一掺杂类型的阱第一部分和第二掺杂类型的阱第一部分位于浅沟槽隔离结构下方，且所述第一掺杂类型的阱第一部分和所述第二掺杂类型的阱第一部分部分重叠，或者所述第一掺杂类型的阱第一部分和第二掺杂类型的阱第一部分隔离开，裸露出衬底。通过第一掺杂类型的阱和第二掺杂类型的阱的部分重叠或者分开能有效提升PN结的击穿电压，以及降低漏电流，进而提高闩锁效应的免疫度，解决系统级ESD失效的问题。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]可携式电子装置及其触控感测芯片与控制方法-CN201510315148.9有效
发明人：何闿廷;陈建铨;陈文和;任纪安 -专利权人：奕力科技股份有限公司
申请日： 2015-06-10 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： G06F3/044 文献下载
摘要：本发明提供一种可携式电子装置，其中包含一触控感应模块、一基板、一形成于该基板上的导电层、一电阻测量模块与一控制模块。该导电层包含多个感应电极。该触控感应模块根据该多个感应电极的多个电容量变化判断是否出现一被触碰点。该电阻测量模块是用以测量该导电层的至少一部分的一电阻值。该控制模块根据该电阻值决定该触控感应模块是否应进入一校正模式。
可携式电子装置及其触控感测芯片控制方法

[发明专利]电子装置与其模式控制方法以及触控感测方法-CN201510087097.9有效
发明人：刘志纲;陈建铨 -专利权人：奕力科技股份有限公司
申请日： 2015-02-25 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明提供一种电子装置的触控感测方法。电子装置包括一触控感测器以及一移动感测器。触控感测方法包括利用触控感测器进行触控检测以产生一触控信号，且利用移动感测器进行移动检测以产生一移动信号，其中触控信号具有一第一振幅，且移动信号具有一第二振幅；判断第一振幅是否小于一第一预定值，以及判断第二振幅是否大于一第二预定值；以及若第一振幅小于第一预定值，且第二振幅大于第二预定值时，则调高对应触控信号的一信号增益。
电子装置与其模式控制方法以及触控感测

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