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[发明专利]写入辅助电路、存储器及写入操作方法-CN201911359172.7有效
发明人： 陈依雅;张捷;刘雯 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种写入辅助电路，包括：输入信号控制模块、延迟模块、档位选择模块以及负电压产生模块，所述档位选择模块产生一数值可调的第一正电压，负电压产生模块将第一正电压转变为第一负电压，使得写入辅助电路能够给后级电路提供数值可调的负电压。进一步的，本发明还提供一种存储器，包括：存储器单元阵列、选择模块、写操作控制模块以及写入辅助电路。进一步的，本发明还提供一种写入操作方法，包括：写入辅助电路向写操作控制模块提供所述第一负电压，所述写操作控制模块产生第二负电压以及第二正电压并提供给所述存储器单元阵列，增大所述存储单元阵列的位线输入端的电压差，使得存储器的写入操作更容易，提高写入速度。
写入辅助电路存储器操作方法

[发明专利]一种用于SRAM的读写优化电路-CN201910762864.X在审
发明人： 陈依雅;张捷;刘雯 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2019-08-19 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： G11C11/419 文献下载
摘要：本发明提供一种用于SRAM的读写优化电路，选择模块、读操作控制模块、写操作控制模块以及SRAM存储单元；其中选择模块包含由栅极和漏极交叉互联的两个PMOS管组成的若干钳位电路；选择模块的一端与写操作控制模块连接，另一端与读操作控制模块连接；每一个钳位电路连接一个SRAM存储单元。本发明在选择模块中加入一个由两个栅极与漏极交叉互联的PMOS管组成的钳位电路；可以有效防止SRAM存储单在读取过程中内部节点数据翻转，有效提升SRAM的良率，同时可以提高写入读出速度。
选择模块钳位电路写操作控制控制模块读操作漏极读取互联模块连接内部节点数据翻转优化电路读写良率读出写入存储