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[发明专利]具有横向半导体异质结的半导体器件和方法-CN201880067904.2有效
发明人：李明洋;黄敬凯;李连忠 -专利权人： 阿卜杜拉国王科技大学
申请日： 2018-09-20 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：用于形成具有横向半导体异质结的半导体器件的方法，包括在衬底上与第一金属电极相邻地形成横向半导体异质结的第一金属硫属化物层。第一金属硫属化物层包括与第一金属电极相同的金属，并且第一金属硫属化物层中的至少一些包括来自第一金属电极的金属。与第一金属硫属化物层相邻地形成横向半导体异质结的第二金属硫属化物层。与第二金属硫属化物层相邻地形成第二金属电极。第二金属硫属化物层包括与第二金属电极相同的金属。
具有横向半导体异质结半导体器件方法

[发明专利]阳离子聚合物和多孔材料-CN201680062067.5有效
发明人：韩宇;田奇伟;董兴龙;刘朝晖;让-玛丽·巴塞特;优素福·赛伊;孙淼;徐伟;索赫尔·谢赫 -专利权人：沙特阿拉伯石油公司;阿卜杜拉国王科技大学
申请日： 2016-10-20 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C08F226/02 文献下载
摘要：根据一个或多个实施例，可制造出包括含有阳离子的一种或多种单体的阳离子聚合物。这类阳离子聚合物可用作形成中孔沸石的结构导向剂。所述中孔沸石可包括微孔以及中孔，并且表面积可大于350m2/g并且孔体积可大于0.3cm3/g。还描述核/壳沸石，其中至少壳部分包括中孔沸石材料。
阳离子聚合物多孔材料

[发明专利]具有氮化铟镓三元合金层和第二III族氮化物三元合金层的异质结的半导体器件-CN201880075677.8有效
发明人：李晓航;刘开锴 -专利权人： 阿卜杜拉国王科技大学
申请日： 2018-10-10 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：提供了一种用于形成半导体器件的方法，所述半导体器件具有布置在第二III族氮化物三元合金层上的第一III族氮化物三元合金层的异质结。确定用于第一III族氮化物三元合金层和第二III族氮化物三元合金层的III族氮化物元素的浓度范围，使得在第一III族氮化物三元合金层和第二III族氮化物三元合金层的异质结的界面处的极化强度差的绝对值小于或等于0.007C/m2或大于或等于0.04C/m2。从确定的浓度范围中选择用于第一III族氮化物三元合金层和第二III族氮化物三元合金层的III族氮化物元素的特定浓度，使得在第一III族氮化物三元合金层和第二III族氮化物三元合金层的异质结的界面处的极化强度差的绝对值小于或等于0.007C/m2或大于或等于0.04C/m2。利用所选择的用于第一III族氮化物三元合金层和第二III族氮化物三元合金层的III族氮化物元素的特定浓度来形成半导体器件。第一III族氮化物三元合金层和第二III族氮化物三元合金层具有纤锌矿晶体结构。第一III族氮化物三元合金层是InGaN，并且第二III族氮化物三元合金层是AlGaN、InAlN、BAlN或BGaN。
具有氮化三元合金第二 iii 氮化物异质结半导体器件

[发明专利]识别管道中的内容物的系统及方法-CN201880095297.0有效
发明人： M·A·卡里米;M·阿尔萨兰;A·沙米姆 -专利权人：沙特阿拉伯石油公司;阿卜杜拉国王科技大学
申请日： 2018-09-24 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G01N33/18 文献下载
摘要：一种示例性系统，包括：芯，其由电介质材料构成；平面谐振器，其位于所述芯上；管道，其含有所述芯和所述平面谐振器，其中所述管道包括导电材料；以及耦接件，其是导电的且将所述平面谐振器连接至所述管道以使得所述管道能够充当所述平面谐振器的电接地。
识别管道中的内容系统方法

[发明专利]基于氧化钒纳米颗粒的油墨组合物-CN201980032434.0有效
发明人： M·瓦塞姆;杨帅;A·沙米姆 -专利权人： 阿卜杜拉国王科技大学
申请日： 2019-03-20 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C09D11/38 文献下载
摘要：本发明的实施例描述了油墨组合物，其包括多种氧化钒纳米颗粒和一种或多种载体溶剂。本发明的实施例进一步描述了制备油墨组合物的方法、打印油墨组合物的方法、包含该油墨组合物的RF器件和/或组件等。
基于氧化纳米颗粒油墨组合

[发明专利]用于从海水中富集锂的系统和方法-CN202280010672.3在审
发明人：赖志平;李震;黄国维 -专利权人： 阿卜杜拉国王科技大学
申请日： 2022-01-18 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C22B26/12 文献下载
摘要：一种用于提高流中锂(Li)浓度的池(100)，其包括壳体(102)；位于壳体(102)内并将壳体(102)分为第一室(104)和第二室(106)的致密锂选择膜(108)；位于第一室(104)中的阴极电极(105)；位于第二室(106)中的阳极电极(107)；流体连通至第二室(106)的第一管道回路(116)，其被配置为向第二室(106)供应进料流(110)；流体连通至第一室(104)的第二管道回路(124)，其被配置为循环富集流(120)通过第一室(104)；以及电源(109)，其被配置为在阴极电极和阳极电极之间施加电压，以启动阳极电极上的氧化电化学反应和阴极电极上的还原电化学反应。致密锂选择膜的厚度小于400。
用于海水富集系统方法

[发明专利]用于从有机生物质中生产和回收羧酸盐的流化链延长膜生物反应器-CN202180074977.6在审
发明人：帕斯卡尔·赛卡吕;徐嘉杰;卞斌;穆罕默德·阿里 -专利权人： 阿卜杜拉国王科技大学
申请日： 2021-09-09 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C12M1/00 文献下载
摘要：公开了用于从有机生物质中生产和回收中链羧酸盐的生物反应器。还公开了用于改进从有机生物质中生产和回收中链羧酸盐的方法。所述生物反应器可以用作链延长生物反应器，并且其使用方法导致改进的从有机生物质中生产和回收中链羧酸盐。所述生物反应器包括由一个或多个壁和长度限定的壳，和置于所述反应器内用于连续液‑液萃取的多个多孔中空纤维膜，以及作为生物载体的颗粒活性炭(GAC)。所述多个中空纤维膜被安装成使得所述壳的一定百分比的所述长度保持未被所述多个多孔中空纤维膜占据。
用于有机生物生产回收羧酸流化延长生物反应器

[发明专利]作为有机半导体的引达省衍生物-CN201980068019.0有效
发明人： D·克尔布莱因;P·哈约兹;陈虎;I·麦卡洛克 -专利权人： CLAP有限公司;阿卜杜拉国王科技大学
申请日： 2019-10-10 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C07D495/22 文献下载
摘要：本发明不仅提供包含至少一种化学式1的单元或化学式1’的单元的化合物，而且提供该化合物的制备方法、该制备方法的中间体、包含该化合物的电子装置以及该化合物作为半导体物质的用途：化学式1：化学式1’：
作为有机半导体引达省衍生物

[发明专利]聚碳酸酯合成后的活化剂和引发剂的回收和再利用-CN202080049077.1有效
发明人：冯晓双;森希尔·布帕西;伊夫·雅努;纳加纳塔·帕蒂尔;尼古劳斯·哈德吉克里斯蒂季斯 -专利权人： 阿卜杜拉国王科技大学
申请日： 2020-07-02 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C08G64/20 文献下载
摘要：在聚碳酸酯合成后回收和/或再利用活化剂和/或引发剂的方法可以包括：使胺化合物与羧酸化合物接触以形成第一铵盐，所述第一铵盐包括与羧酸根基团缔合的第一铵阳离子；将所述第一铵盐与反应溶液混合以获得第一溶液，所述第一溶液包括质子化的聚碳酸酯、活化剂加合物和第二铵盐，其中所述第二铵阳离子与来自所述第一铵盐的羧酸根基团缔合；接触所述第一溶液以从溶液中沉淀所述聚碳酸酯；将所述活化剂加合物与所沉淀的聚碳酸酯和所述第二铵盐分离以获得第二溶液；将所沉淀的聚碳酸酯与所述第二铵盐分离以回收所述第二铵盐；和从所述第二溶液中分离所述活化剂加合物以回收能够再用于合成另外的聚碳酸酯的活化剂。
聚碳酸酯合成活化剂引发回收再利用

[发明专利]用于形成分级纤锌矿III族氮化物合金层的方法-CN201880078771.9有效
发明人：李晓航;刘开锴 -专利权人： 阿卜杜拉国王科技大学
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：一种用于在第二层上形成包括包含纤锌矿III族氮化物合金的分级纤锌矿III族氮化物合金层的半导体器件的方法。基于半导体器件的预期功能选择针对分级纤锌矿III族氮化物合金层的极化掺杂浓度分布。基于所选择的针对分级纤锌矿III族氮化物合金层的极化掺杂浓度分布，确定分级纤锌矿III族氮化物合金层的组分‑极化变化率和分级纤锌矿III族氮化物合金层的分级速度。组分‑极化变化率和分级速度均基于纤锌矿III族氮化物合金的第一元素和第二元素的组分。使用所确定的组分‑极化变化率和分级速度，基于分级纤锌矿III族氮化物合金层中距离第二层的当前位置来调整纤锌矿III族氮化物合金的第一III族氮化物元素和第二III族氮化物元素的组分，以在第二层上形成具有所选择的极化掺杂浓度分布的分级纤锌矿III族氮化物合金层。
用于形成分级锌矿 iii 氮化物合金方法

[发明专利]具有氮化硼铝三元合金层和第二III族氮化物三元合金层的异质结的半导体器件-CN201880075723.4有效
发明人：李晓航;刘开锴 -专利权人： 阿卜杜拉国王科技大学
申请日： 2018-10-10 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：提供了一种用于形成半导体器件的方法，所述半导体器件具有布置在第二III族氮化物三元合金层上的第一III族氮化物三元合金层的异质结。确定用于第一III族氮化物三元合金层和第二III族氮化物三元合金层的III族氮化物元素的浓度范围，使得在第一III族氮化物三元合金层和第二III族氮化物三元合金层的异质结的界面处的极化强度差的绝对值小于或等于0.007C/m2或大于或等于0.04C/m2。从确定的浓度范围中选择用于第一III族氮化物三元合金层和第二III族氮化物三元合金层的III族氮化物元素的特定浓度，使得在第一III族氮化物三元合金层和第二III族氮化物三元合金层的异质结的界面处的极化强度差的绝对值小于或等于0.007C/m2或大于或等于0.04C/m2。利用所选择的用于第一III族氮化物三元合金层和第二III族氮化物三元合金层的III族氮化物元素的特定浓度来形成半导体器件。第一III族氮化物三元合金层和第二III族氮化物三元合金层具有纤锌矿晶体结构。第一III族氮化物三元合金层是BAlN，并且第二III族氮化物三元合金层是InGaN、InAlN、AlGaN或BGaN。
具有氮化三元合金第二 iii 氮化物异质结半导体器件

[发明专利]具有氮化硼镓三元合金层和第二III族氮化物三元合金层的异质结的半导体器件-CN201880075777.0有效
发明人：李晓航;刘开锴 -专利权人： 阿卜杜拉国王科技大学
申请日： 2018-10-10 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：提供了一种用于形成半导体器件的方法，所述半导体器件具有布置在第二III族氮化物三元合金层上的第一III族氮化物三元合金层的异质结。确定用于第一III族氮化物三元合金层和第二III族氮化物三元合金层的III族氮化物元素的浓度范围，使得在第一III族氮化物三元合金层和第二III族氮化物三元合金层的异质结的界面处的极化强度差的绝对值小于或等于0.007C/m2或大于或等于0.04C/m2。从确定的浓度范围中选择用于第一III族氮化物三元合金层和第二III族氮化物三元合金层的III族氮化物元素的特定浓度，使得在第一III族氮化物三元合金层和第二III族氮化物三元合金层的异质结的界面处的极化强度差的绝对值小于或等于0.007C/m2或大于或等于0.04C/m2。利用所选择的用于第一III族氮化物三元合金层和第二III族氮化物三元合金层的III族氮化物元素的特定浓度来形成半导体器件。第一III族氮化物三元合金层和第二III族氮化物三元合金层具有纤锌矿晶体结构。第一III族氮化物三元合金层是BGaN，并且第二III族氮化物三元合金层是InGaN、InAlN、BAlN或AlGaN。
具有氮化三元合金第二 iii 氮化物异质结半导体器件

[发明专利]用于无人机在弯曲表面上降落的双稳定且可切换的磁性腿-CN202180079928.1在审
发明人： F·阿卜杜拉提夫;A·阿尔卜拉欣;S·帕特尔;J·S·沙玛 -专利权人：沙特阿拉伯石油公司;阿卜杜拉国王科技大学
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： B64U60/50 文献下载
摘要：提供了一种被配置成在铁磁性圆柱形表面上降落、起飞和磁性停留的无人机(UAV)。该无人机包括主体和铰接磁性腿，该磁性腿被配置成使无人机在圆柱形表面上降落和磁性地停留。每个磁性腿具有耦接至主体的固定部分和在枢转轴线处可枢转地耦接至固定部分的枢转部分。枢转部分包括可切换磁体和单个铰接关节，该单个铰接关节为枢转部分提供围绕枢转轴线的单自由度，以响应于在降落期间枢转部分与圆柱形表面的接触而被动地使枢转部分处于向内并与圆柱形表面相切的取向，并且在起飞期间被动地保持枢转部分的向内取向。
用于无人机弯曲表面上降落稳定切换磁性

[发明专利]形成III族氮化物合金-CN201880078302.7有效
发明人：李晓航;刘开锴 -专利权人： 阿卜杜拉国王科技大学
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：用于形成半导体器件的方法包括选择衬底、和纤锌矿III族氮化物合金层的压电极化和有效压电系数，在所述衬底上将形成纤锌矿III族氮化物合金层。确定是否存在满足所选有效压电系数的纤锌矿III族氮化物合金成分。还基于所选衬底和所选有效压电系数，确定是否存在满足所选压电极化的由纤锌矿III族氮化物合金成分形成的层的厚度。对于确定存在晶格常数满足所选有效压电系数的纤锌矿III族氮化物合金成分，并且该纤锌矿III族氮化物合金成分形成的层的厚度满足所选压电极化的情况，在衬底上形成纤锌矿III族氮化物合金层，所述纤锌矿III族氮化物合金层具有满足所选有效压电系数的纤锌矿III族氮化物合金成分并且具有满足所选压电极化的厚度。
形成 iii 氮化物合金

[发明专利]具有氮化铟铝三元合金层和第二III族氮化物三元合金层的异质结的半导体器件-CN201880075712.6有效
发明人：李晓航;刘开锴 -专利权人： 阿卜杜拉国王科技大学
申请日： 2018-10-10 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：提供了一种用于形成半导体器件的方法，所述半导体器件具有布置在第二III族氮化物三元合金层上的第一III族氮化物三元合金层的异质结。确定用于第一III族氮化物三元合金层和第二III族氮化物三元合金层的III族氮化物元素的浓度范围，使得在第一III族氮化物三元合金层和第二III族氮化物三元合金层的异质结的界面处的极化强度差的绝对值小于或等于0.007C/m2或大于或等于0.04C/m2。从确定的浓度范围中选择用于第一III族氮化物三元合金层和第二III族氮化物三元合金层的III族氮化物元素的特定浓度，使得在第一III族氮化物三元合金层和第二III族氮化物三元合金层的异质结的界面处的极化强度差的绝对值小于或等于0.007C/m2或大于或等于0.04C/m2。利用所选择的用于第一III族氮化物三元合金层和第二III族氮化物三元合金层的III族氮化物元素的特定浓度来形成半导体器件。第一III族氮化物三元合金层和第二III族氮化物三元合金层具有纤锌矿晶体结构。第一III族氮化物三元合金层是InAlN，并且第二III族氮化物三元合金层是InGaN、AlGaN、BAlN或BGaN。
具有氮化三元合金第二 iii 氮化物异质结半导体器件

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