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[发明专利]基板保持装置-CN202280012858.2在审
发明人：高桥铁兵;阪上弘敏;前平谦 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种基板保持装置，其能够不损害提高被处理基板和环状壁的密封性这一功能地顺利排出辅助气体。基板保持装置(SH)具备：基座(6)，其突出设置有与被处理基板(Sw)的外周边部抵接的第一环状壁(61)和配置在该第一环状壁内侧的第二环状壁(62)；面压施加机构(51)，其朝向第一和第二的各环状壁对分别与第一和第二的各环状壁抵接的被处理基板施加面压；以及气体导入机构(71、72、71a、72a)，其向由被处理基板与第一和第二的各环状壁划分的基座内的外侧空间(63)、由被处理基板与第二环状壁划分的基座内的内侧空间(64)中导入规定的气体，使外侧空间和内侧空间分别呈气体气氛。在第二环状壁上形成有连通外侧空间和内侧空间的连通路径(62a)，其具有能够实现外侧空间和内侧空间的气体气氛分离的流导值。
保持装置

[发明专利]真空处理装置-CN202280011677.8在审
发明人： 阪上弘敏;北沢僚也;矶部辰德 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C23C14/00 文献下载
摘要：本发明提供一种在维持真空气氛的状态下能够尽量排除带入的颗粒的真空处理装置。具有真空室(1、2)，其设置有处理单元(4)，在真空室上连接真空泵(15)，且在真空室内安装有台架(3)；具备摆动机构，基板(Sw)与处理单元对置地被实施处理的台架的姿态为第一姿态，以实施处理时以外的台架的姿态为第二姿态，该摆动机构使台架在第一姿态与第二姿态间摆动；还具备在真空室内向台架喷射惰性气体的喷射机构(5)，喷射机构构成为可在第一流量和第二流量之间进行流量切换，所述第一流量能在使真空室内为规定压力的真空气氛的状态下喷飞附着在台架和基板中的至少一方上的颗粒，所述第二流量可将因喷飞而在真空室内扩散的颗粒向真空泵移送。
真空处理装置

[发明专利]溅射装置、薄膜制造方法-CN202080006532.X有效
发明人： 阪上弘敏;大野哲宏 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：均匀地对溅射靶（14）进行溅射。在阴极电极（21）的单面配置有溅射靶（14），在相反的一侧的面平行地配置有多个磁铁装置（301、311~314、302）。在磁铁装置（301、311~314、302）的两端配置有可变磁场（47），所述可变磁场（47）具有将基础磁力部（71）形成的磁场和电磁铁部（73）形成的磁场合成后的磁场，通过控制在电磁铁部（73）中流动的励磁电流的朝向和大小，从而控制在电磁铁部（73）形成的磁极的极性和磁场强度，使可变磁铁（47）形成的磁场强度由于进行了溅射的成膜对象物（13）的增加而变小，从而使溅射面（24）上的磁场强度固定。
溅射装置薄膜制造方法

[发明专利]防附着构件和真空处理装置-CN201980042545.X有效
发明人： 阪上弘敏;大野哲宏 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C23C14/00 文献下载
摘要：本发明提供一种能够抑制在真空处理时从配置在放电空间的防附着构件产生的微粒的技术。本发明的防附着构件(30)具有：框状的防附着主体构件(10)；以及框状的保持构件(20)，其在使防附着主体构件(10)紧贴在真空槽(6)内的放电空间(9)侧的状态下保持防附着主体构件(10)。防附着主体构件(10)从背面(20R)被多个支撑螺栓(23)固定，所述背面(20R)是保持构件(20)的放电空间(9)侧的面的相反侧的面，支撑螺栓(23)构成为各自的顶端部不从防附着主体构件(10)的放电空间(9)侧的面即表面(10F)向放电空间(9)侧露出。
附着构件真空处理装置

[发明专利]真空处理装置、伪基板装置-CN201980007096.5有效
发明人： 阪上弘敏;大野哲宏 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2019-06-07 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C23C14/00 文献下载
摘要：除去真空处理装置中的真空氛围中的灰尘。在真空处理装置（2）的搬运室（10）设置储藏室（12），在储藏室（12）内配置伪基板装置（20），借助带电装置（18）使伪基板装置（20）的捕集体（28）带电，向真空处理室（13a~13d）的内部搬入。各真空处理室（13a~13d）的内部的灰尘由于静电力而被吸附于被搬入的伪基板装置（20）的捕集体（2）。灰尘被捕集的伪基板装置（20）向大气氛围中取出，拆下捕集体（28）来洗涤，使伪基板装置（20）再生。
真空处理装置伪基板

[发明专利]溅射装置-CN202180024562.8在审
发明人： 阪上弘敏;大野哲宏 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2021-09-13 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本发明的溅射装置具备：真空腔室、阴极、靶、基板保持部和摆动部。摆动部具有：沿摆动方向延伸的摆动轴；摆动驱动部，用于使所述基板保持部在所述摆动轴的轴线方向上摆动；以及旋转驱动部，设置于所述摆动轴且用于使所述摆动轴转动。旋转驱动部能够使所述基板保持部在水平载置位置和铅直处理位置之间进行旋转动作，所述水平载置位置是载置及取出位于大致水平方向位置的所述被处理基板的位置，所述铅直处理位置是以沿大致铅直方向的方式立起所述被处理基板的被处理面后的位置。所述摆动部具备配置在所述被处理基板的周围且与所述基板保持部同步摆动的防沉积板。
溅射装置

[发明专利]防附着部件和真空处理装置-CN201980007085.7有效
发明人： 阪上弘敏;大野哲宏;尾崎萌 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2019-06-12 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： C23C14/00 文献下载
摘要：本发明提供能够抑制在真空处理时从配置于放电空间的防附着部件产生的微粒的技术。本发明是防止在真空处理时产生的物质向真空槽内附着的防附着部件(30)，具备框状的防附着主体部件(10)和保持防附着主体部件(10)的保持部件(20)。防附着主体部件(10)具有在基板的周围设置的板状的第一至第四构成部件1‑4，并且第一至第四构成部件1‑4在与真空槽内的放电空间相向的面相反侧的面上分别设有第一至第四勾挂部，第一至第四勾挂部用于勾挂并安装于在保持部件(20)设置的第一至第四钩部。
附着部件真空处理装置

[发明专利]真空加热装置、反射器装置-CN201980029651.4有效
发明人： 阪上弘敏;大野哲宏 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2019-08-26 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： F27B17/00 文献下载
摘要：提供一种具有不发生由热伸长带来的损伤的反射器装置的真空加热装置。将被行列配置的多个单位反射板（31）通过固定装置（21）和保持装置（11a～11d）分别安装于真空槽（17）的安装面（19）。如果在各单位反射板（31）被照射红外线，则随着保持装置（11a～11d）的变形部（64）的变形，各单位反射板（31）以固定装置（21）的安装场所为中心而热伸长。通过热伸长，向各单位反射板（31）附加的力被缓和，防止了各单位反射板（31）被安装于安装面（19）的部位的损伤。
真空加热装置反射

[发明专利]溅射成膜装置-CN201980006240.3有效
发明人： 阪上弘敏;大野哲宏 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供了能够在利用磁控管溅射进行成膜时抑制在溅射靶材的外周部中非腐蚀区域的发生的技术。本发明是在真空中利用磁控管溅射法对一个成膜对象物进行成膜的溅射成膜装置。在本发明中，具有：磁控管发生用的磁石装置10，相对于一个溅射靶材7配置在与溅射面7a相反侧，在放电时在沿着该溅射靶材7的溅射面7a的方向上移动；内侧屏蔽部21，接近配置在溅射靶材7的外周部的周围，被设为浮动电位；以及外侧屏蔽部22，设置在该内侧屏蔽部21的周围，被设为接地电位，由导电性材料构成。
溅射装置

[发明专利]吸附装置以及真空处理装置-CN202080040321.8在审
发明人： 阪上弘敏;大野哲宏 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2020-06-04 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种在使用冷却用气体冷却基板的吸附装置中防止冷却用气体的泄漏从而提高基板的冷却效率的技术。在本发明中，升降构件(15)构成为在不支承基板(10)的状态下，连结部(15a)配置在贯通孔(52)的引导部(53)内，并且基板支承部(15b)配置在贯通引导孔(52)的收容部(54)内。在升降构件(15)的连结部(15a)与基板支承部(15b)之间设有O形环(17)，通过与设置在贯通引导孔(52)的收容部(54)的支承壁部(55)密合地支承该O型环而将贯通引导孔(52)的收容部(54)相对于引导部(53)密封。
吸附装置以及真空处理

[发明专利]基板监视装置及基板监视方法-CN201580065522.2有效
发明人： 阪上弘敏;大野哲宏;东基从 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： G01N21/958 文献下载
摘要：一种基板监视装置，具备：摄像部(27)，其具有指定的摄像范围；配置部(26a)，其在摄像范围内配置基板(S)；照射部(29)，其构成为通过对配置于摄像范围内的基板(Sc(Se1))照射激光光线(L)，从而在基板的端部(So(Se1))产生激光光线的反射光及散射光的至少一方，而将端部(Se1)的影像形成于摄像部(27)的受光面；以及监视部，其监视摄像部(27)的摄像结果。
监视装置方法

[发明专利]真空装置、吸附装置、导电性薄膜制造方法-CN201880005600.3有效
发明人：前平谦;不破耕;橘高朋子;大野哲宏;阪上弘敏 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2018-11-07 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：一边使电介质的吸附对象物竖立设置一边使导电性薄膜生长。在吸附板14的上部设置的第一区域21配置第一正负电极31、41，在旋转轴线10和第一区域21之间设置的第二区域配置与第一正负电极31、41相比宽度广且间隔也广的第二正负电极32、42。一边向第一正负电极31、41施加第一电压而利用梯度力吸附电介质的吸附对象物一边使吸附板14从横向设置姿势变为竖立设置姿势，一边向第二正负电极32、42施加第二电压一边在吸附对象物8的表面使导电性薄膜生长。吸附对象物8持续被吸附，因此，不会从吸附板14脱落。在利用静电力开始吸附之后，当向吸附对象物和吸附板14之间导入热介质气体时，能够进行吸附对象物的温度控制。
真空装置吸附导电性薄膜制造方法

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