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[发明专利]络合剂、制备方法和三氯氢硅的除杂方法-CN202310901407.0在审
发明人：刘兴平;葛远升;吕学谦;闵中龙;曹红霞 -专利权人：新特能源股份有限公司;新疆新特晶体硅高科技有限公司
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C07C323/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种络合剂、制备方法和三氯氢硅的除杂方法，所述络合剂的结构式为结构式(1)。在除杂过程中，向三氯氢硅中加入络合剂，使得络合剂与金属杂质进行络合，络合剂与金属杂质形成化学性质稳定的络合物，可以形成含有不挥发的金属络合物的混合体系，可以再通过精馏分离提纯三氯氢硅。络合剂与金属的选择性更高，结合能力更强，不会引入新的金属污染，可以高效去除三氯氢硅中的金属杂质，处理后的三氯氢硅纯度高，处理工艺简单，易于操作。
络合制备方法三氯氢硅

[发明专利]一种铜硅系催化剂及其制备方法-CN202111445314.9有效
发明人：吕学谦;顾宗珍;闵中龙;王文;何隆;范协诚;银波 -专利权人：新特能源股份有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明提供一种铜硅系催化剂及其制备方法，所述铜硅系催化剂中包括：载体和活性组分；其中，所述活性组分为硅‑铜系多元合金，所述硅‑铜系多元合金中包括Cu元素和Si元素，还包括M元素，所述M元素指Cr、Ni、Mo、Ti、Zr、Ce、La、Sc中的至少一种。本发明中的铜硅系催化剂的活性组分晶粒细小，有效增加界面缺陷活性中心和硅‑铜相界面。所述催化剂应用于冷氢化反应过程中，四氯化硅直接与催化剂中的活性组分硅‑铜相发生反应，使得催化反应时间大幅缩短，因而可以有效的提高催化反应速率及转化率。
一种铜硅系催化剂及其制备方法

[实用新型]干法回收白炭黑尾气的装置-CN202321298539.0有效
发明人：葛远升;吕学谦;冯留建;柏小含;魏江江;闵中龙 -专利权人：新特能源股份有限公司;新疆晶硕新材料有限公司
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： B01D53/88 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种干法回收白炭黑尾气的装置，包括：混料器，用于将生产白炭黑的尾气与氧气混合；除尘反应器，与混料器连接，除尘反应器用于过滤除尘，其内负载有催化剂，经过过滤除尘的尾气与氧气在催化剂的作用下反应，其中的氯化氢催化氧化为氯气，得到第一混合气；冷却器，与除尘反应器连接，用于冷却反应过的第一混合气，得到第二混合气；干燥器组，与冷却器连接，干燥器组用于干燥第二混合气，得到第三混合气；吸附器组，与干燥器组连接，吸附器组用于吸附第三混合气中的氯气，得到处理过的尾气。该装置集尾气过滤除尘、氯化氢转化为一体，实现白炭黑尾气的净化和氯回收，工序简单，操作方便，减少了生产工序，降低了生产日常成本。
回收炭黑尾气装置

[发明专利]氧氯化锆的生产工艺及氧氯化锆-CN202210070867.9在审
发明人：仝少超;闵中龙;张霞飞;唐华华;杨艳 -专利权人：新疆晶硕新材料有限公司
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C01G25/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧氯化锆的生产工艺及氧氯化锆，该工艺包括以下步骤：1)以四氯化锆为原料，配制第一氧氯化锆溶液；2)以高纯氧氯化锆为原料，配制第二氧氯化锆溶液；3)将第一氧氯化锆溶液、第二氧氯化锆溶液同时开始自然降温，待第二氧氯化锆溶液开始结晶后，将预设质量的第二氧氯化锆溶液加入到第一氧氯化锆溶液中，得到混合溶液；4)将混合溶液自然降温，待结晶后，得到氧氯化锆晶体。本发明的工艺以氧氯化锆溶液为起点，控制结晶过程，降低氧氯化锆中杂质含量，提高氧氯化锆品质。本发明氧氯化锆在结晶过程中控制结晶过程，得到更高纯度的晶体，降低结晶次数，进而达到提高氧氯化锆产品品质，间接降低企业生产成本。
氯化生产工艺

[发明专利]一种负载型催化剂及其制备方法-CN202111443417.1有效
发明人：吕学谦;闵中龙;王文;张吉武;范协诚;银波 -专利权人：新特能源股份有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： B01J23/72 文献下载
摘要：本发明提供一种负载型催化剂及其制备方法，所述催化剂包括：载体、活性组分、硅基添加剂和铜合金；其中，所述活性组分包括氯化亚铜、硫酸亚铜、氧化亚铜中的至少一种；所述铜合金中的合金元素包括铈、钇、镧、钛、硼、锆中的至少一种。本发明中提供的催化剂的粒径可控、孔隙率高、比表面积大；催化剂中的硅基添加剂直接与活性组分接触，可以大幅延长硅元素与活性组分的互扩散时间，提高活性硅铜相的收率；催化剂中添加了铜合金，其有利于形成细晶硅铜相，抑制晶粒的长大，增加硅铜相晶界缺陷中心，同时还可形成多元含硅金属间化合物，从而可以强化对四氯化硅吸附，提高四氯化硅催化转化效率。
一种负载催化剂及其制备方法

[发明专利]一种连续化生产硅烷偶联剂的方法及装置-CN201910595085.5有效
发明人：王瑞聪;银波;范协诚;仝少超;闵中龙 -专利权人：新疆硅基新材料创新中心有限公司
申请日： 2019-07-03 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C07F7/12 文献下载
摘要：本发明公开一种连续化生产硅烷偶联剂的方法，包括：取含氢硅烷和烯烃类为原料，加入催化剂，将原料输入到反应精馏塔，在加热条件下，使原料在反应精馏塔中一边反应一边精馏分离出产物，实现对硅烷偶联剂的连续化生产。本发明还公开一种连续化生产硅烷偶联剂的装置，包括第一原料罐，设置有烯烃类管线和催化剂管线，用于混合所述催化剂和所述烯烃类；第二原料罐，用于放置含氢硅烷；反应精馏塔，与所述第一原料罐和所述第二原料罐连接，用于氢硅烷和烯烃类进行反应，并精馏分离；产物储罐，与所述反应精馏塔的塔釜连接，用于储存目标产物。本发明可以实现连续化生产，提高硅烷偶联剂生产效率，提升自动化生产水平。
一种连续化生硅烷偶联剂方法装置

[发明专利]一种制备高纯球形二氧化硅的方法及高纯球形二氧化硅-CN201910610051.9有效
发明人：王瑞聪;银波;范协诚;闵中龙;仝少超 -专利权人：新疆硅基新材料创新中心有限公司
申请日： 2019-07-08 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C01B33/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备高纯球形二氧化硅的方法，包括：制备微乳液，在制备的微乳液中加入醇类物质形成微乳体系，取原料氯硅烷加入到含有醇类物质的微乳体系中，氯硅烷在微乳体系中进行水解和醇解反应，醇解反应得到的中间产物，进一步进行水解反应，获得二氧化硅。本发明还公开一种根据以上所述的方法制备而成的高纯球形二氧化硅。本发明制备的二氧化硅纯度高、球形率高、粒径小、分散性好，且反应平稳，便于可控。
一种制备高纯球形二氧化硅方法

[发明专利]一种用于催化四氯化硅转化的催化剂及其制备方法-CN202111445310.0有效
发明人：吕学谦;闵中龙;王文;顾宗珍;范协诚;银波 -专利权人：新特能源股份有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： B01J23/83 文献下载
摘要：本发明提供一种用于催化四氯化硅转化的催化剂及其制备方法，所述催化剂具有核壳结构，核包括催化剂载体，壳包括活性组分；其中，所述活性组分包括硅‑铜多元合金、单质铜和纳米陶瓷，所述硅‑铜多元合金中包括硅、铜、过渡金属元素和/或稀土元素。本发明中的催化剂应用于在冷氢化反应过程中，四氯化硅直接与催化剂中的活性组分硅‑铜相、单质铜发生反应，使得催化反应时间大幅缩短，因而可以有效的提高催化反应速率及转化率；通过机械合金化的制备方法制备的催化剂，具有孔径丰富、晶粒细小、缺陷密度大的优点。
一种用于催化氯化转化催化剂及其制备方法

[发明专利]一种去除氯硅烷中碳杂质的方法及系统-CN202211362206.X在审
发明人：赵旭霞;吕学谦;刘兴平;孙原庆;王芯蕊;闵中龙;冯留建;贾春 -专利权人：新特能源股份有限公司;新特硅基新材料有限公司
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明提供一种去除氯硅烷中碳杂质的方法及系统，方法包括：将多晶硅生产过程中的含碳氯硅烷与还原尾气混合，以使二者中的物料进行反应，对反应后的混合物料进行冷凝，以使反应后的混合物料中的氯硅烷冷凝成液体，对冷凝产生的气体进行吸附，以去除其中的甲烷，对冷凝产生的液体进行精馏，以去除其中的甲基三氯硅烷。本发明在不需要催化剂和/或原料浓缩的前提下，利用还原尾气余热促进甲基二氯硅烷反应的进行，使其转化成更高沸点的甲基三氯硅烷和更低沸点的甲烷气体，不仅技术手段简单、而且能够提高三氯氢硅与甲基氯硅烷杂质的分离效率，降低分离能耗，同时也为还原尾气热能利用提供了新思路。
一种去除硅烷杂质方法系统

[发明专利]一种超临界水氧化法制备石英砂的方法-CN201910099244.2有效
发明人：王瑞聪;银波;仝少超;闵中龙;范协诚 -专利权人：新疆硅基新材料创新中心有限公司
申请日： 2019-01-31 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C01B33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种超临界水氧化法制备石英砂的方法，该制备方法包括以下步骤：以硅粉和水为原料，将硅粉与水混合均匀，放入反应釜，再加热到使水达到超临界状态，超临界水作为反应介质，将硅粉氧化，得到高纯度的石英砂。本发明具有产物结晶度好、纯度高、反应周期短、反应速率快、简单易行的优点。
一种临界氧化法制石英砂方法

[发明专利]多种尾气处理回收液的综合处理方法及装置-CN202110676888.0在审
发明人：陈喜清;董雪平;仝少超;闵中龙;张小军 -专利权人：新特能源股份有限公司;新疆新特新能建材有限公司
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C02F9/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种多种尾气处理回收液的综合处理方法及装置，该方法包括以下步骤：a)将气相白炭黑生产尾气处理回收液和/或四氯化锆生产尾气处理回收液，与火电厂尾气脱硫废水混合，通入石灰乳调节反应在碱性条件下进行，其中，气相白炭黑生产尾气处理回收液中含有次氯酸钠，四氯化锆生产尾气处理回收液中含有次氯酸钠，火电厂尾气脱硫废水中含有氨氮，次氯酸钠与氨氮反应进行氨氮的脱除，得到反应处理过的废水。以上多种尾气处理回收液通过合理处理，既减少单独处理成本，又综合利用，并得到满足混凝土加气块生产用水的水质要求。此技术切实可行，充分利用水资源，特别适合具备条件，水资源缺泛地区。
多种尾气处理回收综合方法装置

[发明专利]SiO生产装置及生产方法-CN202211165080.7在审
发明人：王文;银波;冯留建;吕学谦;闵中龙;赵建文;王芯蕊 -专利权人：新特能源股份有限公司;新疆晶硕新材料有限公司
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： C01B33/113 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiO生产装置及生产方法，包括：反应室，包括：反应室本体、压力检测机构、温度检测机构、第一称重机构、第一加热机构，反应室本体用于加入Si和SiO2发生升华反应生成SiO，反应室本体与第一吹扫气管道、废气管连接；连接通道，与反应室连接；沉积室，包括：沉积室本体、设置于沉积室本体内的沉积内件，沉积室本体与连接通道连接，沉积室本体与尾气管连接；气体分布器，与连接通道连接，气体分布器包括内层套筒、套置于内层套筒外的外层套筒，内层套筒与连接通道出口联通，外层套筒与第二吹扫气管道连接。通过自动控制，固化生产方法，稳定产品质量，从而提高产能，降低成本，提高产品质量，产品质量均一性好。
sio 生产装置方法

[实用新型]一种废水处理装置-CN202220322207.0有效
发明人： 闵中龙;仝少超;张小军 -专利权人：新疆新特新能建材有限公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： C02F1/58 文献下载
摘要：本实用新型公开一种废水处理装置，其包括第一废水罐、第二废水罐、反应器、以及废液储罐，第一废水罐装有含氨氮的脱硝废水，其与反应器相连，用于向反应器通入脱硝废水；第二废水罐装有含次氯酸钠/次氯酸钙废水，其与反应器相连，用于向反应器通入含次氯酸钠/次氯酸钙废水；反应器用于接收第一废水罐通入的脱硝废水和第二废水罐通入的含次氯酸钠/次氯酸钙废水并使两者进行反应，以除去脱硝废水中的氨氮；废液储罐与反应器相连，用于接收反应器内反应后得到的废液。本发明能够利用含次氯酸钠/次氯酸钙的工业废水处理脱硫废水中的氨氮，可同时解决这两种废水的处理问题，并且，工艺简单，设备投资小，占地面积小，处理成本低。
一种废水处理装置

[实用新型]一种制备氯硅烷的装置-CN202221191937.8有效
发明人： 闵中龙;吕学谦;赵旭霞;孙健;冯留建;万宁宁;丁楚雄;王飞 -专利权人：新特能源股份有限公司;新疆晶硕新材料有限公司
申请日： 2022-05-17 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： B01J8/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种制备氯硅烷的装置，所述装置包括：氯气配料罐、高沸物配料罐、气体加热预混单元、反应器和冷却分离装置；其中，所述反应器由下向上依次设置有第一反应区、第二反应区和顶部区，所述第一反应区中设置有气体分布器，所述反应器上与所述第一反应区对应的区域设有第一加热设备，所述反应器上与所述第二反应区对应的区域设置有第二加热设备。本实用新型中提供装置中相关反应在高温氯气环境中有效发生，并且可连续性生产氯硅烷；为废硅粉、废硅泥、高沸物的处理等提供了可靠的生产装置，实现多晶硅生产过程中的废弃物的绿色循环利用，降低氯耗、硅耗及碱耗。
一种制备硅烷装置

[发明专利]一种多晶硅生产方法及系统-CN201910543890.3有效
发明人：银波;王文;范协诚;陈劲风;闵中龙;仝少超;宋高杰 -专利权人：新特能源股份有限公司
申请日： 2019-06-21 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明提供一种多晶硅生产方法，包括以下步骤：在反应开始前，先利用微波将还原炉中的硅芯加热至第一设定温度，然后将硅芯击穿后再施加电流，以在硅芯的表面化学沉积多晶硅，得到硅棒；在反应过程中，如对硅棒断电，则在断电后重启前，先利用微波将硅棒加热至第二设定温度，然后将硅棒击穿后再施加电流，以在硅棒表面继续化学沉积多晶硅。本发明还提供一种多晶硅生产系统，包括馈能单元和防护单元，馈能单元包括馈能天线，馈能天线设于还原炉上的能够与还原炉内部连通的开口处，用于产生和发射微波；防护单元用于将馈能天线与还原炉内的氛围隔开，以保护馈能天线。本发明能够实现多晶硅的平稳生长，得到性能良好的多晶硅产品，以提高产品质量。
一种多晶生产方法系统

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