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[发明专利]太阳能电池模块、玻璃建材、以及太阳能电池模块的制造方法-CN201980020268.2在审
发明人：泽田彻;前田贤吾;门田直树;牧野司 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：本公开所涉及的太阳能电池模块包括：太阳能电池组，包含沿第一方向延伸的第一太阳能电池、第二太阳能电池；第一玻璃基板，覆盖太阳能电池组的背面侧；第二玻璃基板，覆盖太阳能电池组的受光面侧；固定部件，与太阳能电池组的背面侧对置地配置，配置在太阳能电池组与第一玻璃基板之间；粘接部件，夹设在太阳能电池组与固定部件之间；密封材料，夹设在第一太阳能电池与第二太阳能电池之间，固定部件包括：第一对置部，与第一太阳能电池对置，沿第一方向延伸；第二对置部，与第二太阳能电池对置，沿第一方向延伸；连结部，将第一对置部与第二对置部连结；以及透光部，配置在第一对置部与第二对置部之间，构成第一对置部、第二对置部、以及连结部的材料的热变形温度比构成密封材料的材料的熔点高。
太阳能电池模块玻璃建材以及制造方法

[发明专利]太阳能电池模块、玻璃建材、以及太阳能电池模块的制造方法-CN201980017598.6在审
发明人：前田贤吾;门田直树;松尾秀树;牧野司;中岛昭彦 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2019-03-05 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本公开所涉及的太阳能电池模块(100)包括：第一太阳能电池单元(10)，沿第一方向延伸；第一受光面侧集电电极(12)，设置在上述第一太阳能电池单元(10)的受光面侧，沿上述第一方向延伸；第一受光面侧连接用电极(14)，与上述第一受光面侧集电电极(12)的一端侧连接，在上述受光面内沿与上述第一方向交叉的方向延伸；以及互连器(21)，与上述第一受光面侧连接用电极(14)连接。
太阳能电池模块玻璃建材以及制造方法

[发明专利]玻璃建材-CN201780057941.0在审
发明人：梅田和彦;小林信乡;木下清一;门田直树;松尾秀树;牧野司;太田信久;中岛昭彦 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2017-09-20 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H01L31/054 文献下载
摘要：本发明所涉及的玻璃建材包含：两面受光型的第1太阳能电池，其具有向一个方向延伸的形状；两面受光型的第2太阳能电池，其配置为在所述第1太阳能电池的宽度方向排列，并具有向所述一个方向延伸的形状；第1玻璃基板，其覆盖所述第1太阳能电池的一面和所述第2太阳能电池的一面；以及反射膜，其至少部分性地配置在所述第1太阳能电池的另一面侧与所述第2太阳能电池的另一面侧，在可见光区域透射率比反射率高，在近红外区域反射率比透射率高。
太阳能电池两面受光型玻璃建材方向延伸反射率透射率宽度方向排列近红外区域可见光区域玻璃基板反射膜配置覆盖

[发明专利]薄膜光电转换装置及其制造方法-CN201280043703.1有效
发明人： 门田直树;佐佐木敏明 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2012-09-04 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L31/076 文献下载
摘要：本发明涉及含有非晶质锗光电转换层（53）的薄膜光电转换装置。本发明的薄膜光电转换装置包含非晶质锗光电转换单元（5），其在p型半导体层（51）和n型半导体层（54）之间具有实质上本征的、且实质上不含硅原子的非晶质锗光电转换层（53）。在一种实施方式所涉及的本发明的薄膜光电转换装置中，在比非晶质锗光电转换单元（5）更接近光入射侧，配置了具有晶质硅光电转换层（43）的晶质硅光电转换单元（4）。在一种实施方式中，优选非晶质锗光电转换单元（5）在波长900nm的量子效率为30%以上。
薄膜光电转换装置及其制造方法

[发明专利]薄膜光电转换装置及其制造方法-CN201180010565.2有效
发明人： 门田直树;佐佐木敏明 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2011-01-27 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明的目的在于改善含有结晶锗光电转换层的薄膜光电转换装置的开路电压、曲线因子、以及对于长波长光的光电转换效率。本发明的光电转换装置是在基板上依次配置第一电极层、一个以上的光电转换单元、以及第二电极层而成，光电转换单元在p型半导体层与n型半导体层之间具备光电转换层。至少一个光电转换单元的光电转换层是由实质上是本征或者弱n型且实质上不含硅原子的结晶锗半导体形成的结晶锗光电转换层。在p型半导体层与结晶锗光电转换层之间配置有实质上是本征的非晶硅半导体层的第一界面层。
薄膜光电转换装置及其制造方法

[发明专利]薄膜光电转换装置及其制造方法-CN200980133876.0有效
发明人：佐佐木敏明;门田直树 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2009-08-24 - 公布日： 2011-07-27 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：在以往的将非晶锗或者结晶硅用于光电转换层的薄膜光电转换装置中，存在无法将1100nm以上的长波长光利用于光电转换、转换效率的提高不充分的课题。本发明利用薄膜光电转换装置来解决所述课题，其特征在于：所述薄膜光电转换装置包括1个以上在p型半导体层与n型半导体层之间具备光电转换层的光电转换单元，至少一个光电转换单元的光电转换层包括本征或者弱n型的结晶锗半导体，并且所述结晶锗半导体的波数为935±5cm-1的红外吸收峰值的吸收系数不足6000cm-1。另外，通过特征在于所述结晶锗半导体的波数为960±5cm-1的红外吸收峰值的吸收系数不足3500cm-1的薄膜光电转换装置来解决所述课题。
薄膜光电转换装置及其制造方法