“钱谷嘉高”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果3个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]光电转换元件及其制造方法-CN201680053329.1有效
发明人：森健史;松本雄太;钱谷嘉高 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2016-08-18 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：光电转换元件(1)具有设在第一非晶质半导体层(13)的缘部与第二非晶质半导体层(15)的缘部之间的斥液层(16)。斥液层(16)并未设在除第一非晶质半导体层(13)的缘部与第二非晶质半导体层(15)的缘部之间以外的第一非晶质半导体层(13)与第二非晶质半导体层(15)之间。因此，可提供半导体层(13)被高精度地图案化的光电转换元件(1)。
光电转换元件及其制造方法

[发明专利]太阳能电池及太阳能电池的制造方法-CN201680049532.1在审
发明人：宋怡潇;钱谷嘉高;小林正道 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2016-09-07 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：一种太阳能电池,具有第一导电型或是第二导电型的半导体基板(1)、半导体基板(1)上的非晶硅膜(6、7)、及非晶硅膜(6、7)上的电极(8、9)。非晶硅膜(6、7)的电极(8、9)侧的区域与电极(8、9)含有银及银以外的金属。
太阳能电池制造方法

[发明专利]薄膜形成装置系统及薄膜形成方法-CN201080065486.7无效
发明人： 钱谷嘉高 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2010-12-29 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：薄膜形成装置系统包括：加热室（3），其是处理室之一，配置有用于加热基板（16）的加热装置（20）和使基板（16）与加热装置（20）相对移动的基板传送装置（12A）；ZnO溅射室（4），其是处理室之一，配置有用于在加热了的基板（16）上形成薄膜的溅射装置（26）；控制装置（22），其用于操作基板传送装置（12A）。基板传送装置（12A）被控制装置（22）控制为在不能从加热室（3）传送基板（16）时，使加热室（3）内的基板（16）与加热装置（20）继续相对移动。通过该构成，能够防止基板的变形和热裂。
薄膜形成装置系统方法

1
共 3 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top