专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种地表蒸散估算方法-CN202110585106.2在审
  • 延昊;曹云;徐玲玲;程路;孙应龙;钱拴 - 国家气象中心(中央气象台)
  • 2021-05-27 - 2021-08-13 - G06F30/20
  • 本发明公开了一种地表蒸散估算方法,采集地表蒸散模型的输入数据,通过所述遥感叶面积指数以及地面观测的空气相对湿度和最大气孔导度驱动冠层导度模型计算植被冠层导度Gc,所述遥感叶面积指数分别计算出用于植被蒸腾的植被冠层吸收的可用能量AC和土壤吸收的可用能量AS,以及植物蒸腾Ec和土壤蒸发Es;利用总蒸散E0、温度、降水量数据和最大土壤可用水分含量(Mawc)参数驱动地表土壤水分平衡模型,对土壤水分变化进行了模拟得到实际蒸散E。本发明采用遥感和气象资料估计地表蒸散,根据地表水分和能量平衡原理,增加了净辐射、气温、大气和土壤水分亏缺和植被叶面积指数的影响,有助于陆地水循环和气候变化研究。
  • 一种地表蒸散估算方法
  • [实用新型]一种由8个MOS晶体管和2个MIM电容器构成的硅基有源寻址矩阵像素单元电路-CN201920986866.2有效
  • 代永平;刘艳艳;钱拴 - 南开大学
  • 2019-06-28 - 2020-02-21 - G09G3/36
  • 一种由8个MOS晶体管和2个MIM电容器构成的硅基有源寻址矩阵像素单元电路,主要由第1‑NMOS管与第1‑MIM电容器串联形成开关电容结构,第1‑PMOS管与第3‑PMOS管串联形成共漏放大器结构,且该共漏放大器的输入与开关电容形成电学串联,且该共漏放大器的输出与第3‑NMOS管形成电学串联;同样,第2‑NMOS管与第2‑MIM电容器串联形成开关电容结构,第2‑PMOS管与第4‑PMOS管串联形成共漏放大器结构,且该共漏放大器的输入与开关电容形成电学串联,且该共漏放大器的输出与第4‑NMOS管形成电学串联。其效果是,提供了一种由8个MOS晶体管和2个MIM电容器构成的像素单元电路,做到完全与常规5V~8V的MOS半导体芯片生产工序相匹配,另外,在单元电路中配置两个MIM电容器有利于存储一对差分模拟电平信号。
  • 一种mos晶体管mim电容器构成有源寻址矩阵像素单元电路
  • [实用新型]一种由10个MOS晶体管和2个MIM电容器构成的硅基有源寻址矩阵像素单元电路-CN201920987075.1有效
  • 代永平;刘艳艳;钱拴 - 南开大学
  • 2019-06-28 - 2020-02-21 - G09G3/36
  • 一种由10个MOS晶体管和2个MIM电容器构成的硅基有源寻址矩阵像素单元电路,由第1‑NMOS管和第1‑MIM电容器、第1‑PMOS管和第3‑PMOS管、第3‑NMOS管和第5‑PMOS管并同第2‑NMOS管和第2‑MIM电容器、第2‑PMOS管和第4‑PMOS管、第4‑NMOS管和第6‑PMOS管构成,并分别形成开关电容结构、CMOS传输门结构、共漏放大器结构,且该共漏放大器的输入与开关电容形成电学串联,且该共漏放大器的输出与CMOS传输门形成电学串联。其效果是,提供了一种由10个MOS晶体管和2个MIM电容器构成的像素单元电路,做到完全与常规5V~8V的MOS半导体芯片生产工序相匹配,且能提高像素单元电路输出到镜面电极的电压摆幅,另外,在单元电路中配置两个MIM电容器有利于存储一对差分模拟电平信号。
  • 一种10mos晶体管mim电容器构成有源寻址矩阵像素单元电路

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