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[发明专利]用于存储器的时序测量的本地时钟信号产生电路-CN201710205971.3有效
发明人： 钱一骏 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2017-03-31 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： G11C29/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于存储器的时序测量的本地时钟信号产生电路，采用了3条独立的缓冲器串联电路，每条缓冲器串联电路分别用于提供时钟信号CLKI、CLKM和CLKO中的一个，每条缓冲器串联电路的各缓冲器的输出端仅设置一个时钟输出端。本发明能够减少各缓冲器输出端的负载，从而能减少单级缓冲器的延时，从而能提高测试精度；还能够减少电路规模，从而减少版图面积。
用于存储器时序测量本地时钟信号产生电路

[发明专利]SRAM的IP地址建立时间的测量电路和方法-CN201610024754.X有效
发明人： 钱一骏 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2016-01-15 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： G11C29/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种SRAM的IP地址建立时间的测量电路，包括相同的第一和二SRAM；第一SRAM的数据和地址输入端都连接地址输入信号，时钟输入端连接第一时钟信号，数据输出端连接到第二SRAM的地址输入端；第二SRAM的数据输入端连接数据输入信号，时钟输入端连接第二时钟信号，数据输出端连接D触发器的D端；D触发器的时钟输入端连接第三时钟信号，Q端输出数据输出信号。利用第一和二时钟信号测量出包括SRAM延时的IP地址建立时间测量值；利用第二和第三时钟信号测量出SRAM延时；最后相减得到IP地址建立时间。本发明还公开了一种SRAM的IP地址建立时间的测量方法。本发明能提高测量的准确性。
sram ip 地址建立时间测量电路方法

[发明专利]SRAM编译器的内部时钟电路-CN201610024752.0有效
发明人： 钱一骏 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2016-01-15 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：本发明公开了一种SRAM编译器的内部时钟电路，内部时钟产生器在外部时钟信号的控制下形成内部时钟输入信号的上升沿；内部时钟输入信号通过选定的预置延时电路后输入到位线控制器，位线控制器输出字线信号到字线上；SRAM编译器根据存储阵列大小选择不同的预置延时电路。字线信号的上升沿产生后位线开始进行放电，位线放电结束后位线控制器形成于复位脉冲信号并输入到内部时钟产生器形成内部时钟输入信号的下降沿。本发明能优化小容量SRAM的GTP时序、提高小容量SRAM的读写速度和对不同PVT条件的自适应能力、降低小容量SRAM的功耗浪费，同时能保证大容量SRAM维持足够的读写余量。
sram 编译器内部时钟电路

[发明专利]双端口SRAM的时序控制电路-CN201510024022.6有效
发明人： 钱一骏 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2015-01-19 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：本发明公开了一种双端口SRAM的时序控制电路，单元结构对应的两条位线节点和地之间分别串联有3个NMOS管。NMOS管的栅极分别连接对应的字线、脉冲信号和时间控制信号。各脉冲信号由对应时钟信号输入到第一脉冲产生器中分别形成。地址信号通过地址锁存器后输入到地址比较器中进行比较并输出地址比较结果到时间控制信号产生器中，脉冲信号进行与运算后输入到时间控制信号产生器中并输出时间控制信号；两个地址信号相同时地址比较结果为1；不同时，地址比较结果为0；两个脉冲信号的与结果为0时，时间控制信号为1；两个脉冲信号的与结果为1时，时间控制信号为地址比较结果的反相信号。本发明能降低SRAM操作功耗且不影响读可靠性。
端口 sram 时序控制电路