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[发明专利]半导体制造装置-CN201080032024.5有效
发明人：朴相俊;金颖俊 -专利权人：圆益IPS股份有限公司
申请日： 2010-06-24 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L21/22 文献下载
摘要：公开了在半导体制造工序中在晶片上形成膜等各种工序中使用的半导体制造工序。管的内部具有工序空间，且在一侧具有排出口。容器能够通过管的下侧开口出入。基座在容器内上下相互隔开地被支承，且各个基座的旋转中心形成有中央孔，并且在各个基座的上表面绕着中心放置有多个晶片。供给管设置成从容器的上侧贯通于多个基座的各中央孔，形成有将从外部接收的工序气体喷向多个基座的各上表面的多个喷射口。由此，能够增加一次所能工序处理的晶片的数量，能够缩短工序处理时间，并且能够在所有晶片上形成均匀的膜。
半导体制造装置

[发明专利]太阳能电池及其制造方法-CN201010518085.4有效
发明人：朴相俊;朴成范;金颖俊;裵埈成 -专利权人： IPS有限公司
申请日： 2010-10-13 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：提供了太阳能电池及其制造方法。在制造太阳能电池的方法中，在其受光表面上形成有防反光膜的p型半导体基片装载入处理腔室。在这种情况，p型半导体基片可以沿基片支撑体的边缘装载在处理多个基片的装置的基片支撑体上，在此状态下，p型半导体基片的背面面朝上。然后在所述p型半导体基片的背面上由AlO、AlN或AlON形成具有负的固定电荷(NFC)的特性的背面电场(BSF)层。此时，可以通过在相对于喷头相对地旋转基片支撑体时，同时注入穿过各个气体注入单元的注入孔的铝源气体、第一净化气体、氧化剂气体和/或氮化剂气体，以及第二净化气体来形成BSF层。此后，背面电极形成于BSF之上，以使得背面电极与BSF层电连接。
太阳能电池及其制造方法