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[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010744693.0在审
发明人： 金青洙;金容君;胡显锐;邵光速 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-07-29 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构及其形成方法，涉及半导体技术领域。该形成方法包括：提供一半导体衬底，半导体衬底包括间隔设置的源极区及漏极区；在半导体衬底的一侧形成栅氧化层、界面层及栅极层，栅氧化层、界面层及栅极层均位于源极区与漏极区之间，且界面层位于栅氧化层背离半导体衬底的一侧，栅极层位于界面层背离栅氧化层的一侧，且界面层在半导体衬底上的正投影的面积小于栅氧化层在半导体衬底上的正投影的面积。本发明的半导体结构的形成方法，可有效减小栅极致漏电流，降低待机功耗，提高器件可靠性。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]埋入式栅极及其制作方法-CN202010708729.X在审
发明人： 金青洙;金容君;胡显锐;邵光速 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-07-22 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本发明涉及一种埋入式栅极及其制作方法。其中埋入式栅极的制作方法包括：提供基底；在所述基底中形成字线沟槽；对所述字线沟槽的表面进行处理，以在所述字线沟槽的表面形成凹型结构；在所述字线沟槽内形成导电层，所述导电层的表面具有与所述凹型结构相匹配的凸型结构。本发明中，通过先在字线沟槽的表面形成凹型结构，然后再在所述字线沟槽内形成其表面具有与所述凹型结构相匹配的凸型结构的导电层，从而在不改变字线沟槽宽度的前提下，通过改变字线结构的形状来增大字线沟槽长度，进而解决因器件尺寸变小所导致的短沟道效应，提高器件性能。
埋入栅极及其制作方法