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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]散热板-CN202010142394.X有效
发明人：曹明焕;金逸镐;李锡雨;金永锡;成枝宏人;青山智胤 -专利权人：古德系统有限公司;同和金属技术有限公司
申请日： 2020-03-04 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：本发明涉及一种散热板，该散热板像高功率电子元件或光学元件一样产生大量的热量，并且能够保持封装过程中与由陶瓷材料制成的元件的结合以及使用时的良好的结合。本发明的散热板包括由铜(Cu)或铜(Cu)合金制成的第一层，在第一层上形成的并且由钼(Mo)或包含铜(Cu)的合金制成的第二层，在第二层上形成的并且由铜(Cu)或铜(Cu)合金制成的第三层，在第三层上形成的并且由钼(Mo)或包含铜(Cu)的合金制成的第四层，以及在第四层上形成的并且由铜(Cu)或铜(Cu)合金制成的第五层。具有预定厚度的钴(Co)扩散层形成在第一层、第三层和第五层与其间设置的第二层和第四层之间的各个界面上。
散热

[发明专利]包层材料及其制造方法-CN201880079862.4有效
发明人：青山智胤;成枝宏人;金逸镐;曹明焕 -专利权人：同和控股（集团）有限公司;顾德系统有限公司
申请日： 2018-12-03 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： B23K20/00 文献下载
摘要：提供一种包层材料及其制造方法，所述包层材料即使通过加压加工进行冲裁(施加比热冲击更高的剪切力)，也能够防止发生开裂或剥离。在将表面形成有Cu皮膜的石墨粉末烧结而得的Cu‑石墨层(12)的各面上，放置至少一个面上形成有由选自Co、Ti、Pd、Pt以及Ni的一种金属构成的金属膜(10a)的Mo‑Cu层(10)，以使该金属膜(10a)与其抵接，然后一边在Cu‑石墨层(12)和Mo‑Cu层(10)之间施加压力一边加热。
包层材料及其制造方法

[发明专利]散热板-CN201811182773.0在审
发明人： 金逸镐;曹明焕;金永锡 -专利权人：古德系统有限公司
申请日： 2018-10-11 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种散热板。该散热板可以适用于使用化合物半导体封装高输出半导体器件，其中散热板具有与陶瓷材料相同或类似的热膨胀系数，即使在与诸如氧化铝(Al₂O₃)等陶瓷材料结合时也能够良好地结合，并且能够将在高输出器件中时产生的大量热量快速地排出到外面，从而获得高导热率。根据本发明的散热板具有使两种或更多种材料层叠的结构，包括在散热板的厚度方向上的芯层和覆盖芯层的顶表面和底表面的覆盖层，其中覆盖层由含铜材料形成，芯层包括具有含铜和碳材料的复合结构的基材，并包括含Cu和Mo且在基材中以格子形式排列的合金层。
散热板陶瓷材料覆盖层高输出基材芯层化合物半导体半导体器件热膨胀系数复合结构高导热率格子形式含铜材料顶表面覆盖芯合金层碳材料氧化铝散热地排封装

[发明专利]用于高功率元件的散热板-CN201680023487.2在审
发明人： 金逸镐;曹明焕;金永锡 -专利权人：古德系统有限公司
申请日： 2016-09-06 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：本发明涉及散热板，其具有低热膨胀系数和高热导率，使得该散热板可以适当地用于使用GaN型化合物半导体的高功率半导体元件中的散热用基板。本发明的散热板的特征为包含核心层和通过层积在核心层的顶面和底面而形成的两个覆盖层的散热板，其中，所述核心层由在Cu基质中复合有碳相的复合材料构成，所述覆盖层由Mo‑Cu合金构成。
散热板核心层覆盖层散热高功率半导体元件低热膨胀系数化合物半导体高功率元件高热导率复合材料通过层底面顶面基板基质复合

[发明专利]锡基焊球和包含它的半导体封装-CN201280003149.4无效
发明人：李在洪;金逸镐;洪性在;文晶琸 -专利权人： MK电子株式会社
申请日： 2012-11-07 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： B23K35/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有适用于电子产品的特性的锡(Sn)基焊球，以及包含所述锡基焊球的半导体封装。该锡基焊球包含：约0.3至3.0重量％的银(Ag)，约0.4至0.8重量％的铜(Cu)，约0.01至0.09重量％的镍(Ni)，约0.1％至0.5重量％的铋(Bi)，以及余量的锡(Sn)和不可避免的杂质。
锡基焊球包含半导体封装

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