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[发明专利]一种毛细管道环境传感器及其制备方法-CN202010305616.5有效
发明人： 金英西;祁彬;薛松生 -专利权人：江苏多维科技有限公司
申请日： 2020-04-17 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： G01D5/14 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种毛细管道环境传感器及其制备方法，毛细管道环境传感器包括传递空腔和至少一个毛细管道，传递空腔的截面积大于毛细管道截面积，毛细管道的一端与传递空腔连通；传递空腔与外部测量环境之间设置有弹性传递隔膜；毛细管道内部设置有定位液滴，定位液滴与毛细管道内壁密合接触，且定位液滴与传递媒介密合接触。通过互连接的传递空腔和毛细管道，且传递空腔的截面积大于毛细管道的截面积，利用传递空腔与毛细管道的体积差异，将大体积下微小位移转化为小体积下显著位移；由于毛细管道中设置有定位液滴，且毛细管道环境传感器包括磁感应元件，磁感应元件基于定位液滴移动将位移变化通过中间变量，现高灵敏度和低功耗检测。
一种毛细管环境传感器及其制备方法

[实用新型]一种磁传感系统-CN202120020574.0有效
发明人： 金英西;郭海平 -专利权人：江苏多维科技有限公司
申请日： 2021-01-06 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： G01R33/02 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种磁传感系统，该磁传感系统包括磁传感器和至少一个待测磁性元件；磁传感器包括基板以及多组磁传感组，多组磁传感组以偏移方式排布于基板上；每组磁传感组包括多个磁传感单元，多个磁传感单元串联或并联；待测磁性元件与磁传感器相对设置，待测磁性元件所在平面与磁传感器的扫描平面平行，待测磁性元件与磁传感器相对运动时，磁传感器检测磁场信号的变化并转化为电信号输出。本实用新型实施例的技术方案可以高效、低成本地提高磁传感器的空间分辨率。
一种传感系统

[发明专利]一种微机电环境传感器及其制备方法-CN202010305608.0有效
发明人： 金英西;祁彬;薛松生 -专利权人：江苏多维科技有限公司
申请日： 2020-04-17 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： G01D5/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种微机电环境传感器及其制备方法，微机电环境传感器的传递基片中设置有传递空腔，传递媒介位于传递空腔内；传递空腔中接收开口的面积大于释放开口的面积；接收开口表面设置有弹性传递隔膜，释放开口表面设置有弹性压力隔膜；承载基片中设置有承载空腔，磁敏感应元件至少位于承载空腔内，且承载空腔与释放开口至少部分重叠。设置传递空腔中接收开口的面积大于释放开口的面积，基于帕斯卡原理，利用传递空腔间的体积差异，将大体积下微小位移转化为小体积下显著位移；又由于释放开口与释放开口至少部分重叠且承载空腔内设置磁敏感应元件，如此将位移变化通过中间变量，如磁场变化，转换为电阻值变化，实现高灵敏度和低功耗检测。
一种微机环境传感器及其制备方法

[实用新型]一种磁电阻成像传感器阵列-CN201320889665.3有效
发明人：马克·C·仝大;薛松生;詹姆斯·G·迪克;金英西;沈卫锋 -专利权人：江苏多维科技有限公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本实用新型公开了一个以磁场感应为基础的磁电阻成像传感器阵列。此磁电阻成像传感器阵列包括传感元件阵列和应用集成电路，还包括为传感元件阵列提供电源的电路，磁电阻感应元件阵列选择电路，信号放大电路，数字化，存储和微处理器。此外，所述传感元件阵列包括至少一个磁电阻传感元件。本实用新型通过优化应用集成电路和传感元件阵列的排布方式和使用可以减小媒介成像传感器阵列和媒介之间的距离的电连接技术，减小了媒介成像传感器阵列和媒介之间的距离，从而提高了现有的媒介成像传感器的分辨率。
一种磁电成像传感器阵列

[发明专利]近距离磁电阻成像传感器阵列-CN201310750924.9在审
发明人：马克·C·仝大;薛松生;詹姆斯·G·迪克;金英西;沈卫锋 -专利权人：江苏多维科技有限公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明公开了一个以磁场感应为基础的近距离磁电阻成像传感器阵列。此近距离磁电阻成像传感器阵列包括传感元件阵列和应用集成电路，还包括为传感元件阵列提供电源的电路，磁电阻感应元件阵列选择电路，信号放大电路，数字化，存储和微处理器。此外，所述传感元件阵列包括至少一个磁电阻传感元件。本发明通过优化应用集成电路和传感元件阵列的排布方式和使用可以减小媒介成像传感器阵列和媒介之间的距离的电连接技术，减小了媒介成像传感器阵列和媒介之间的距离，从而提高了现有的媒介成像传感器的分辨率。
近距离磁电成像传感器阵列

[实用新型]磁电阻成像传感器阵列-CN201320374601.X有效
发明人：薛松生;詹姆斯·G·迪克;金英西;沈卫锋;马克·C·仝大 -专利权人：江苏多维科技有限公司
申请日： 2013-06-27 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： G01R33/022 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种磁电阻成像传感器阵列，包括媒介的磁场激发偏置装置；磁电阻传感器芯片，其包含一主表面和一感应面，主表面内建立有相垂直的X轴和Y轴；感应面内设置有若干构成阵列的磁电阻感应元件，一个或多个磁电阻感应元件的主要感应轴平行于X轴的方向，即为X轴感应元件，另外一个或多个磁电阻感应元件的主要感应轴平行于Y轴的方向，即为Y轴感应元件；激励磁电阻感应元件的电激励源；选择磁电阻感应元件的元件选择电路；输出信号电路。本实用新型能测量沿着两个轴向的磁场的幅度以及磁场梯度，这种双轴感测能力能使得图片更加清晰，具有较少的盲点；元件选择电路能在任何时间和任何所需的时间序列上监测磁场的绝对值和差值。
磁电成像传感器阵列

[发明专利]磁电阻成像传感器阵列-CN201310261144.8有效
发明人：薛松生;詹姆斯·G·迪克;金英西;沈卫锋;马克·C·仝大 -专利权人：江苏多维科技有限公司
申请日： 2013-06-27 - 公布日： 2013-10-02 - 主分类号： G01R33/022 文献下载
摘要：本发明涉及一种磁电阻成像传感器阵列，包括媒介的磁场激发偏置装置；磁电阻传感器芯片，其包含一主表面和一感应面，主表面内建立有相垂直的X轴和Y轴；感应面内设置有若干构成阵列的磁电阻感应元件，一个或多个磁电阻感应元件的主要感应轴平行于X轴的方向，即为X轴感应元件，另外一个或多个磁电阻感应元件的主要感应轴平行于Y轴的方向，即为Y轴感应元件；激励磁电阻感应元件的电激励源；选择磁电阻感应元件的元件选择电路；输出信号电路。本发明能测量沿着两个轴向的磁场的幅度以及磁场梯度，这种双轴感测能力能使得图片更加清晰，具有较少的盲点；元件选择电路能在任何时间和任何所需的时间序列上监测磁场的绝对值和差值。
磁电成像传感器阵列

[实用新型]用于测量磁场的磁电阻传感器-CN201220053923.X有效
发明人：詹姆斯·G·迪克;金英西;沈卫锋;薛松生 -专利权人：江苏多维科技有限公司
申请日： 2012-02-20 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本实用新型设计了一种用于测量磁场的磁电阻传感器。本实用新型提供了磁电阻传感元件的灵敏度的计算，该灵敏度与形状各向异性能及外场相关。磁电阻元件的长轴与敏感方向平行，同时具有一个垂直敏感方向的外场分量Hcross可以进一步饱和磁电阻元件的磁矩。单片永磁体的作用是产生具有角度的Hcross场同时抵消沿易磁化轴方向的非理想场。高灵敏度磁电阻元件可以广泛应用在电气领域。本实用新型将会对其构成的六种电桥形式进行阐述。
用于测量磁场磁电传感器

[实用新型]单一芯片桥式磁场传感器-CN201120409449.5有效
发明人：雷啸锋;薛松生;金英西;詹姆斯·G·迪克;沈卫锋;王建国;刘明峰 -专利权人：江苏多维科技有限公司
申请日： 2011-10-25 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种单一芯片桥式磁场传感器，所述设计中GMR或MTJ磁电阻元件的磁性自由层的磁矩方向采用形状各向异性进行偏置，磁电阻元件具有使自由层磁矩方向指向其磁性易轴方向的形状，特别地形状可以是椭圆，长方形，菱形；优选地采用集成于芯片上的片状永磁体对推挽全桥电阻的自由层磁矩进行辅助偏置。采用该设计可以在同一芯片上，一次直接生产出推挽桥式传感器。所公开的单一芯片桥式磁场传感器相对传统的设计具有，输出稳定，性能更好，工艺简单，成本更低的特点。
单一芯片磁场传感器

[实用新型]独立封装的桥式磁场传感器-CN201120176087.X有效
发明人：詹姆斯·G·迪克;沈卫锋;王建国;张小军;雷啸锋;金英西;薛松生 -专利权人：江苏多维科技有限公司
申请日： 2011-05-27 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种采用磁性隧道结的桥式磁电阻传感器。该磁强计由封装在半导体芯片内的一个半桥或几个全桥磁隧道结传感器芯片组成。之后，传感器芯片通过引线邦定法相互连接。芯片引线邦定至多种标准半导体引线框，并封装成低成本的标准半导体封装形式。
独立封装磁场传感器

[实用新型]单一芯片推挽桥式磁场传感器-CN201120409446.1有效
发明人： 金英西;雷啸锋;詹姆斯·G·迪克;沈卫锋;王建国;薛松生;黎伟 -专利权人：江苏多维科技有限公司
申请日： 2011-10-25 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本实用新型设计了一种磁场传感器，特别是在MTJ元件周围设置永磁体的单一芯片推挽桥式磁场传感器。一种单一芯片推挽桥式磁场传感器，它包括多个桥式连接的磁电阻元件，每个磁电阻元件包括具有敏感方向的敏感元件，敏感元件为MTJ元件、AMR元件或GMR元件，所述每个磁电阻元件的两侧设置有用于对所述磁电阻元件的磁化方向进行偏置的一对永磁体。通过设置永磁体的方向，两个自由层的磁化方向的夹角可以被预设，其相对于同一敏感方向有不同的响应。本实用新型设计的推挽桥式磁场传感器可以在单一基片上一次性成膜制备。同时我们可以设置通电线圈预设置自由层磁化方向或对其进行校准。
单一芯片推挽桥式磁场传感器

[发明专利]单片参考全桥磁场传感器-CN201110100226.5有效
发明人：詹姆斯·G·迪克;金英西;沈卫锋;薛松生;王建国;雷啸锋 -专利权人：江苏多维科技有限公司
申请日： 2011-04-21 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种单片参考全桥磁场传感器，该磁场传感器是一种由磁电阻参考元件和传感元件组成的惠斯通全桥，感应臂和参考臂都是采用磁隧道结电阻或巨磁电阻材料。在本发明中，传感元件和参考元件的灵敏度是通过控制一个或一组磁偏置组合，交换偏置，磁屏蔽或形状各向异性能来进行调节的。此外，还可以通过预先设定调整参考元件和传感元件的阻值比来优化电桥输出偏移和对称性。通过使用该技术，该磁场传感器展现出了卓越的温度稳定性，低偏移电压以及优异的电压对称性。
单片参考磁场传感器

[发明专利]用于测量磁场的磁电阻传感器-CN201210037732.9有效
发明人：詹姆斯·G·迪克;金英西;沈卫锋;薛松生 -专利权人：江苏多维科技有限公司
申请日： 2012-02-20 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明设计了一种用于测量磁场的磁电阻传感器。本发明提供了磁电阻传感元件的灵敏度的计算，该灵敏度与形状各向异性能及外场相关。磁电阻元件的长轴与敏感方向平行，同时具有一个垂直敏感方向的外场分量Hcross可以进一步饱和磁电阻元件的磁矩。单片永磁体的作用是产生具有角度的Hcross场同时抵消沿易磁化轴方向的非理想场。高灵敏度磁电阻元件可以广泛应用在电气领域。本发明将会对其构成的六种电桥形式进行阐述。
用于测量磁场磁电传感器

[发明专利]单一芯片推挽桥式磁场传感器-CN201110326725.6有效
发明人： 金英西;雷啸锋;詹姆斯·G·迪克;沈卫锋;王建国;薛松生;黎伟 -专利权人：江苏多维科技有限公司
申请日： 2011-10-25 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明设计了一种磁场传感器，特别是在MTJ元件周围设置永磁体的单一芯片推挽桥式磁场传感器。通过设置永磁体的方向，两个自由层的磁化方向的夹角可以被预设，其相对于同一敏感方向有不同的响应。本发明设计的推挽桥式磁场传感器可以在单一基片上一次性成膜制备。同时我们可以设置通电线圈预设置自由层磁化方向或对其进行校准。
单一芯片推挽桥式磁场传感器

[实用新型]单片双轴桥式磁场传感器-CN201120396342.1有效
发明人：詹姆斯·G·迪克;金英西;沈卫锋;雷啸锋;薛松生 -专利权人：江苏多维科技有限公司
申请日： 2011-10-18 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单片双轴桥式磁场传感器，该双轴桥式磁场传感器采用隧道结磁电阻元件在同一半导体基片上制备两种全桥磁场传感器以感应正交磁场分量。该传感器通过设置传感元件的形状和永磁偏置场以感应正交磁场分量。正交桥式传感器的偏置永磁体和参考层在在同一个磁场方向下初始化，不需要特殊的工艺，局部加热或在不同的工序中沉积其他磁性材料以实现双轴磁场传感器。
单片双轴桥式磁场传感器

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