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[发明专利]用作磨料的氧化铈粉末和含有该粉末的CMP浆料-CN200880011138.4有效
发明人：吴明焕;曹昇范;鲁埈硕;金种珌;金长烈 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2008-04-30 - 公布日： 2010-02-17 - 主分类号： C01F17/00 文献下载
摘要：本发明公开了用作磨料的氧化铈粉末；含有该粉末的CMP浆料；以及使用该CMP浆料的浅槽隔离(STI)法。至少两种通过使用具有不同晶体结构的碳酸铈制备的氧化铈以一适当比例混合，并用作CMP浆料的磨料，从而调节CMP浆料所需的抛光特性。另外，在所公开的制备碳酸铈的方法中，碳酸铈的晶体结构可简单地控制。基于在用作磨料的氧化铈中、抛光特性提高的情况取决于碳酸铈的晶体结构这一发现，至少一种抛光特性——如二氧化硅层的抛光速率、氮化硅层的抛光速率、二氧化硅层和氮化硅层之间的抛光选择性和WIWNU——可通过使用至少两种选自以下的氧化铈作为CMP浆料的磨料、并调节所述氧化铈的混合比例来调节，所述氧化铈选自(i)一种使用镧石-(Ce)晶体结构的碳酸铈制备的氧化铈；(ii)一种使用正交晶体结构的碳酸铈制备的氧化铈；以及(iii)一种使用六方晶体结构的碳酸铈制备的氧化铈。
用作磨料氧化粉末含有 cmp 浆料

[发明专利]用尿素制备碳酸铈粉末的方法-CN200880008481.3有效
发明人：吴明焕;曹昇范;鲁埈硕;金种珌;金长烈;申东穆 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2008-03-14 - 公布日： 2010-02-03 - 主分类号： C01F17/00 文献下载
摘要：在一种通过将铈前体溶液与尿素溶液混合并进行沉淀反应从而制备碳酸铈粉末的方法中，其中通过使用至少一种有机溶剂作铈前体溶液和尿素溶液两者之一或两者的溶剂，并调节沉淀反应温度在120℃至300℃的范围内，而使碳酸铈粉末具有六方晶体结构。并且，所述方法能得到碳酸铈粉末、由所述碳酸铈粉末制得的二氧化铈粉末、以及包含所述二氧化铈粉末作磨料的CMP浆体。在所述方法中，尿素用作沉淀剂能改善反应的均匀性，从而可容易且廉价地获得六方晶体结构的碳酸铈粉末，而没有高温高压导致的危险，也无需水热合成中的昂贵系统。
尿素制备碳酸粉末方法

[发明专利]制备碳酸铈粉体的方法-CN200880008484.7无效
发明人：吴明焕;曹昇范;鲁埈硕;金种珌;金长烈 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2008-03-14 - 公布日： 2010-02-03 - 主分类号： C01F17/00 文献下载
摘要：在通过将一种铈前体溶液与一种碳酸根前体溶液混合并进行沉淀反应而制备碳酸铈粉体的方法中，其中通过使用至少一种在分子式中含至少两个羟基(OH)的有机溶剂作为所述铈前体溶液和所述碳酸根前体溶液之一或两者的溶剂，和改变所述有机溶剂的分子式中所含碳或羟基(OH)的数目，来控制碳酸铈使其具有斜方晶体结构、六方晶体结构、或斜方晶/六方晶混合晶体结构。所述方法可容易并廉价地得到具有所需晶体结构的碳酸铈粉体，而不具有由高温高压带来的危险，并且不需要水热合成的昂贵系统。
制备碳酸铈粉体方法

[发明专利]采用有机溶剂制备二氧化铈粉末的方法以及包含该粉末的CMP浆料-CN200780043118.0有效
发明人：鲁埈硕;吴明焕;曹昇范;金种珌;金长烈 -专利权人： LG化学株式会社
申请日： 2007-11-20 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种在溶液相中直接制备二氧化铈粉末的方法，该方法通过a)将铈前体溶液与沉淀剂溶液混合而使反应发生；以及b)对反应的溶液进行氧化处理，其中，将至少一种不含水的纯有机溶剂用作用于铈前体溶液以及沉淀剂溶液的溶剂，从而来制备二氧化铈粉末，该粉末的粒度调节为50nm至3μm。本发明还公开了由该方法制得的二氧化铈粉末和包含该二氧化铈粉末作为抛光剂的CMP浆料。该方法通过在湿法沉淀法中采用有机溶剂作为溶剂可以制备具有50nm以上的平均粒度和高结晶度的二氧化铈粉末，而通过常规的湿法沉淀法则难以制备这样的粉末，并且即使没有经过单独的热处理也可将这样制备的二氧化铈粉末用作用于CMP浆料的抛光剂。
采用有机溶剂制备氧化粉末方法以及包含 cmp 浆料

[发明专利]二氧化铈粉末、制备该粉末的方法以及包含该粉末的CMP浆料-CN200780027773.7无效
发明人：吴明焕;曹昇范;鲁埈硕;金种珌;金长烈 -专利权人： LG化学株式会社
申请日： 2007-07-26 - 公布日： 2009-07-29 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于CMP磨料的二氧化铈粉末，该粉末可以在半导体制造工艺中化学机械抛光期间改善二氧化硅层对氮化硅层的抛光选择性和/或晶片内不均匀性(WIWNU)。更具体而言，所述二氧化铈粉末通过使用具有六方晶系结构的碳酸铈作为前体而制得。同样，本发明公开了包含用二氧化铈粉末作为磨料的CMP浆料以及使用该CMP浆料作为抛光浆料的用于半导体器件的浅沟槽隔离方法。
氧化粉末制备方法以及包含 cmp 浆料

[发明专利]CMP浆料的辅助剂-CN200780012579.1有效
发明人：李基罗;金种珌;洪瑛晙 -专利权人： LG化学株式会社
申请日： 2007-04-12 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： B24D3/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种辅助剂，该辅助剂用于使用磨粒同时抛光阳离子带电材料和阴离子带电材料的工艺中，该辅助剂吸附在所述阳离子带电材料上从而抑制该阳离子带电材料被抛光，致使所述阴离子带电材料的抛光选择性提高，其中，所述辅助剂包含具有芯-壳结构且具有小于所述磨粒粒度的纳米级粒度的聚合物颗粒，该聚合物颗粒的表面为阴离子带电的。本发明还公开了包含上述辅助剂和磨粒的CMP(化学机械抛光)浆料。
cmp 浆料辅助剂

[发明专利]用于抛光半导体晶片的CMP浆料及使用该浆料的方法-CN200780003331.9有效
发明人：曹升范;金种珌;鲁埈硕;吴明焕;金长烈 -专利权人： LG化学株式会社
申请日： 2007-01-19 - 公布日： 2009-02-25 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种CMP浆料，其中将重均分子量为30～500且含有羟基(OH)、羧基(COOH)或其两者的化合物加入到包含磨粒和水且具有第一粘度的CMP浆料中，以便控制CMP浆料具有比第一粘度低5～30％的第二粘度。本发明还公开了一种使用该CMP浆料抛光半导体晶片的方法。根据本发明，CMP浆料的磨粒的团聚粒度可被减小，同时CMP浆料的粘度可降低并且抛光时晶片的整体平坦性可得到改善。因此，CMP浆料可有利地用于制造需要精细图案的半导体器件的制造过程中，并且能够在半导体制造过程中通过使用该浆料而改善半导体器件的可靠性和生产。
用于抛光半导体晶片 cmp 浆料使用方法

[发明专利]用于控制抛光选择性的辅助剂以及包含该辅助剂的化学机械抛光浆料-CN200680046228.8有效
发明人：李政熹;金种珌;李基罗;文光翼;高彰范;张淳浩;曹升范;洪瑛晙 -专利权人： LG化学株式会社
申请日： 2006-12-08 - 公布日： 2008-12-17 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种在同时抛光阳离子带电材料和阴离子带电材料时用于控制抛光选择性的辅助剂。本发明还公开了包含上述辅助剂的CMP浆料。所述辅助剂包含：(a)聚电解质，其在阳离子带电材料上形成吸附层，以提高对阴离子带电材料的抛光选择性；(b)碱性物质；和(c)基于氟的化合物。当将根据本发明的用于控制CMP浆料抛光选择性的辅助剂应用于CMP处理过程中时，在抛光处理过程中，可以提高对二氧化硅层的抛光选择性，获得CMP浆料的均匀粒度，稳定在外力下的粘度变化，并使产生的微细刮痕最少化。因此，根据本发明的用于CMP浆料的辅助剂能够提高在超大规模集成半导体制造过程中的可靠性和生产率。
用于控制抛光选择性辅助剂以及包含化学机械抛光浆料

[发明专利]用于控制抛光选择性的辅助剂以及包含该辅助剂的化学机械抛光浆料-CN200680046413.7有效
发明人：李基罗;金种珌;李政熹;文光翼;高彰范;张淳浩;曹升范;洪瑛晙 -专利权人： LG化学株式会社
申请日： 2006-12-08 - 公布日： 2008-12-17 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于同时抛光阳离子带电材料和阴离子带电材料的辅助剂，为提高对阴离子带电材料的抛光选择性，该辅助剂在阳离子带电材料上形成吸附层，其中，该辅助剂包含含有下述组分的聚电解质盐：(a)重均分子量为2,000～50,000的直链聚电解质与重均分子量为1,000～20,000并包含主链和侧链的接枝型聚电解质的混合物；以及(b)碱性物质。本发明还公开了包含上述辅助剂和磨粒的CMP(化学机械抛光)浆料。与仅使用直链聚电解质的CMP浆料相比，包含直链聚电解质与接枝型聚电解质的混合物的辅助剂，能够提高抛光选择性，并且能够通过控制直链聚电解质与接枝型聚电解质的比例而获得所需范围的抛光选择性。
用于控制抛光选择性辅助剂以及包含化学机械抛光浆料

[发明专利]碳酸铈粉末、二氧化铈粉末、制备该粉末的方法以及包含该粉末的CMP浆料-CN200680042218.7有效
发明人：吴明焕;鲁埈硕;金种珌;金长烈;曹昇范 -专利权人： LG化学株式会社
申请日： 2006-11-10 - 公布日： 2008-11-12 - 主分类号： C01F17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过将铈前驱体溶液与碳酸盐前驱体溶液混合并使该混合溶液进行沉淀反应来制备碳酸铈粉末的方法，其中，铈在所述铈前驱体溶液中的浓度为1M～10M，所述铈前驱体与碳酸盐前驱体的摩尔浓度比为1∶1～1∶7，并且所述铈前驱体溶液含有选自由碳酸盐化合物、丙烯酸化合物和含硫酸根离子的化合物组成的组中的至少一种添加剂。根据公开的发明，通过控制铈前驱体溶液的浓度、铈前驱体与碳酸盐前驱体溶液的摩尔浓度比、添加剂的种类等，可以由液相法制备具有0.05～1μm均一粒度的碳酸铈粉末。同样地，即使具有正交晶体结构，该碳酸铈粉末也能具有长宽比为1～5的均一形状。
碳酸粉末氧化制备方法以及包含 cmp 浆料

[发明专利]单组分CMP浆料的氧化铈粉末及其制备方法、浆料组合物及使用该浆料的浅槽隔离方法-CN200680032288.4有效
发明人：曹昇范;鲁埈硕;申东穆;金种珌;吴明焕;金长烈;崔银美;高敏镇 -专利权人： LG化学株式会社
申请日： 2006-09-01 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： C01F17/00 文献下载
摘要：本发明公开了用于单组分CMP浆料的氧化铈粉末，所述氧化铈粉末的比表面积为5m²/g或更大，并且直径大于等于3nm的孔的体积分数与直径小于3nm的孔的体积分数的比为8∶2～2∶8。本发明也公开了制备上述氧化铈粉末的方法、包含上述氧化铈粉末作为研磨材料的单组分CMP浆料和采用该单组分CMP浆料的浅槽隔离的方法。所述CMP浆料使用了经低温煅烧步骤、任选的粉碎步骤和高温煅烧步骤制得的且具有高的孔体积分数和低强度的氧化铈粉末作为研磨材料，即使该CMP浆料以单组分CMP浆料形式提供，其也不会产生氧化铈粉末的沉淀。而且，所述单组分CMP浆料提供了显著减小的对氮化硅层的抛光速率和增大的氧化硅层/氮化硅层的抛光选择性。
组分 cmp 浆料氧化粉末及其制备方法组合使用隔离

[发明专利]用于化学机械抛光浆料的辅助剂-CN200580041069.8有效
发明人：李基罗;金种珌;李政熹;洪政填;洪瑛晙;金鲁马;李安娜 -专利权人： LG化学株式会社
申请日： 2005-12-28 - 公布日： 2007-11-07 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于阳离子带电材料和阴离子带电材料同时抛光的辅助剂，其在阳离子带电材料上形成吸附层以提高阴离子带电材料对阳离子带电材料的抛光选择性，其中所述辅助剂包含聚合电解质盐，该聚合电解质盐包含：(a)重均分子量为1,000～20,000并包含主链和侧链的接枝型聚合电解质；以及(b)基材。本发明还公开了包含上述辅助剂和磨粒的CMP(化学机械抛光)浆料。
用于化学机械抛光浆料辅助剂

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