“金治皓”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果8个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]电子设备-CN201811592027.9有效
发明人： 金治皓;黄应林;曹祥薰 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-12-21 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H10B63/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种包括半导体存储器的电子设备。半导体存储器包括：第一线；第二线，其与第一线间隔开并在与第一线交叉的方向上延伸；第三线，其与第二线间隔开并在与第二线交叉的方向上延伸；第一可变电阻元件，其介于第一线与第二线之间，该第一可变电阻元件和第一线与第二线的交叉点重叠；第二可变电阻元件，其介于第二线与第三线之间，该第二可变电阻元件和第二线与第三线的交叉点重叠，第二可变电阻元件的一部分被配置为当流过第一可变电阻元件的电流的方向与流过第二可变电阻元件的电流的方向相反时，比第一可变电阻元件的一部分产生更大量的热；以及材料层，其与第二可变电阻元件串联连接并且设置在第二线与第三线之间，材料层具有电阻。
电子设备

[发明专利]电子器件及其制造方法-CN201810442143.6有效
发明人：金孝俊;金治皓;曺祥薰;黄应林 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-05-10 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：在用于制造包括半导体存储器的电子器件的方法中，该方法包括：形成层叠结构，层叠结构中的每个层叠结构包括可变电阻图案；在层叠结构上形成覆盖层，覆盖层包括杂质；在层叠结构之间形成间隙填充层；以及通过用紫外光照射覆盖层和间隙填充层来去除覆盖层中的杂质并且使间隙填充层致密化。
电子器件及其制造方法

[发明专利]电子设备及其制造方法-CN201610262782.5有效
发明人： 金治皓;朴基善 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2016-04-25 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：提供一种包括半导体存储器的电子设备。半导体存储器可以包括：形成在衬底之上并具有接触孔的层间电介质层；形成在接触孔的下部内的接触插塞；形成在接触孔的上部内的接触焊盘；插置在接触插塞与接触焊盘之间的非晶缓冲层；以及形成在接触焊盘之上的可变电阻元件。
电子设备及其制造方法

[发明专利]电子设备及其制造方法-CN201911284470.4在审
发明人： 金治皓;姜民船;康铉石;金孝俊;吴在根;蔡洙振 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：这项技术提供了一种电子设备及其制造方法。根据本文件的实施方式的电子设备可以包括：衬底，其包括在第一区域中的第一部分和在第二区域中的第二部分；多个存储单元，其设置在衬底的第一部分之上；第一绝缘层，其在衬底的第二部分之上延伸并且至少部分地填充多个存储单元中的相邻存储单元之间的空间；以及第二绝缘层，其设置在第一绝缘层之上，并且其中，第一绝缘层的介电常数小于第二绝缘层的介电常数，或第一绝缘层的导热率小于第二绝缘层的导热率，或同时满足这两者。
电子设备及其制造方法

[发明专利]电子设备及其制造方法-CN201610262600.4有效
发明人： 金治皓 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2016-04-25 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：一种电子设备可以包括半导体存储器。所述半导体存储器可以包括：沟槽，其形成在衬底内；栅电介质层，其形成在沟槽的表面上；栅电极，其形成在栅电介质层上，间隙填充沟槽一部分并包含掺杂剂；扩散区，其形成为与沟槽的表面接触，并且在衬底内与栅电极相对应；结区，其形成在衬底内、沟槽的两侧；以及存储元件，其在沟槽的一侧与结区耦接。
电子设备及其制造方法

[发明专利]电子设备及其制造方法-CN201911017064.1在审
发明人：金孝俊;康铉石;金治皓;吴在根 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-10-24 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明提供一种电子器件设备及其制造方法。电子设备包括半导体存储器。制造该电子设备的方法，包括：形成从衬底的表面垂直延伸并具有横向突出的第一上部的第一存储单元，形成从衬底的表面垂直延伸并具有朝向第一上部横向突出的第二上部的第二存储单元，并在第一存储单元和第二存储单元之上形成衬垫层，该衬垫层具有设置在第一上部之上的第一部分和设置在第二上部之上的第二部分，该衬垫层的第一部分与第二部分彼此接触。
电子设备及其制造方法

[发明专利]电子装置及其制造方法-CN201810251420.5在审
发明人：姜大建;蔡洙振;闵盛奎;金明燮;金治皓;李秀姸 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-03-26 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：一种电子装置可以包括半导体存储器，并且所述半导体存储器可以包括：多个存储单元，每个存储单元包括可变电阻层；替代电介质层，其填充所述多个存储单元之间的间隔；以及非替代电介质层，其被设置为与所述多个存储单元中的每个存储单元的可变电阻层相邻，其中，非替代电介质层可以包括可流动电介质材料。
存储单元电介质层半导体存储器可变电阻层电子装置替代电介质材料可流动填充制造

[发明专利]制造非易失性存储器件的方法-CN200810146904.X无效
发明人：宋锡杓;辛东善;李荣镇;李美梨;金治皓;朴吉在;徐辅民 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2008-08-26 - 公布日： 2009-10-14 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：一种制造非易失性存储器件的方法，包括在半导体衬底上形成隧道层和导电层，并且图案化所述导电层、所述隧道层和所述半导体衬底以在半导体衬底中形成导电图案、隧道图案和沟槽。所述方法还包括用绝缘材料填充所述沟槽，并且暴露所述导电图案的部分侧壁。所述方法还包括在向内的方向上使导电图案的暴露的部分侧壁凹陷以形成浮置栅极。浮置栅极包括基底部分和宽度小于基底部分的宽度的突出部分。所述方法还包括蚀刻绝缘层以形成暴露出浮置栅极的基底部分的隔离层。此外，所述方法包括形成沿浮置栅极的基底和突出部分延伸的介电层以及覆盖浮置栅极的基底和突出部分的控制栅极。
制造非易失性存储器方法

1
共 8 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top