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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]电子设备及其制造方法-CN201910608925.7有效
发明人： 金晃衍 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-07-08 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明提供一种电子设备及其制造方法。制造包括半导体存储器的电子设备的方法包括：形成沿第一方向延伸并具有闭环形状的第一导电结构；形成沿第二方向延伸并具有闭环形状的第二导电结构，第二方向与第一方向交叉；形成位于第一导电结构与第二导电结构的交叉处的存储单元；通过刻蚀第一导电结构的端部部分形成沿第一方向延伸的第一导电图案；通过刻蚀第二导电结构的端部部分形成沿第二方向延伸的第二导电图案；在第一导电图案和第二导电图案中的每一者的被刻蚀的表面上形成第一保护层；并在第一保护层上形成间隙填充层。
电子设备及其制造方法

[发明专利]电子设备及其制造方法-CN202210104996.5在审
发明人： 金晃衍 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：提供一种包括半导体存储器的电子设备及其制造方法。半导体存储器包括：衬底，该衬底包括单元区域和外围电路区域，单元区域包括第一单元区域和第二单元区域，第一单元区域被设置成比第二单元区域更靠近外围电路区域；第二线，这些第二线设置在第一线之上且在与第一方向交叉的第二方向上延伸；存储单元，这些存储单元位于在单元区域中的第一线与第二线之间的交叉区域处；第一绝缘层，该第一绝缘层位于在第一单元区域中的第一线之间、第二线之间、或者第一线之间和第二线之间二者；以及第二绝缘层，该第二绝缘层位于在第二单元区域中的第一线之间和第二线之间，其中，第一绝缘层的介电常数小于第二绝缘层的介电常数。
电子设备及其制造方法

[发明专利]电子器件-CN202110757823.9在审
发明人： 金晃衍 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-07-05 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本申请公开了电子器件。一种半导体器件包括：衬底，其包括单元区域、第一外围电路区域、以及第二外围电路区域；多个第一线，其被设置在所述衬底之上且跨越单元区域和第一外围电路区域；多个第二线，其被设置在第一线之上且跨越单元区域和第二外围电路区域；以及第一存储单元，其被定位于第一线和第二线之间的每个交叉部，其中，单元区域包括第一单元区域和第二单元区域，第一单元区域被设置成比第二单元区域更靠近第一外围电路区域和第二外围电路区域，以及其中，第二线的处在第一单元区域中的第一部分的电阻大于第二线的处在第二单元区域中的第二部分的电阻。
电子器件

[发明专利]电子装置及其制造方法-CN202110046786.0在审
发明人： 金晃衍 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-01-14 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本申请涉及电子装置及其制造方法，其中电子装置包括一种半导体存储器，半导体存储器包括：衬底，其包括单元区域、设置在单元区域两侧的第一外围电路区域和第二外围电路区域；第一线路，其延伸跨越单元区域和第一外围电路区域；第二线路，其设置在第一线路之上并且延伸跨越单元区域和第二外围电路区域；接触插塞，其设置在第二外围电路区域中并且连接到第二线路；第三线路，其设置在第二线路之上并且分别与第二线路交叠；以及第一存储单元，其设置在单元区域中并且在第一线路和第二线路之间位于第一线路和第二线路的相交处，其中第三线路的位于单元区域中的部分接触第二线路，并且第三线路的位于接触插塞之上的另一部分与第二线路间隔开。
电子装置及其制造方法

[发明专利]电子器件及其制造方法-CN202011130693.8在审
发明人： 金晃衍 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-10-21 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本申请公开了电子器件及其制造方法。电子器件包括半导体存储器，半导体存储器包括：衬底，其包括单元区域、设置在单元区域两侧的第一外围电路区域和第二外围电路区域；第一线路，其延伸穿越单元区域和第一外围电路区域；第二线路，其设置在第一线路之上并且延伸穿越单元区域和第二外围电路区域；接触插塞，其在第二外围电路区域中并且连接到第二线路；第三线路，其设置在第二线路之上并且分别与第二线路交叠；以及第一存储单元，其设置在单元区域中并且位于第一线路和第二线路的相交处在第一线路和第二线路之间，其中第三线路的位于单元区域中并且在接触插塞之上的部分接触第二线路，并且第三线路的部分剩余部分与第二线路隔开。
电子器件及其制造方法

[发明专利]电子器件及其制造方法-CN202010776288.7在审
发明人： 金晃衍 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-08-05 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：提供了一种包括半导体存储器的电子器件。半导体存储器包括：多个第一线，其在第一方向上延伸；多个第二线，其设置在所述第一线上方，所述第二线在与第一方向相交的第二方向上延伸；多个存储单元，其设置在所述第一线与所述第二线之间在第一线和第二线的交叉区域处；第一衬垫层图案，其位于每个存储单元在第二方向上的两个侧壁上；第一绝缘层图案，其位于在第二方向上相邻的第一衬垫层图案之间；第二衬垫层图案，其位于每个存储单元在第一方向上的两个侧壁上；第二绝缘层图案，其位于在第一方向上相邻的第二衬垫层图案之间；以及第三绝缘层，其位于在第二方向上相邻的第二衬垫层图案之间。
电子器件及其制造方法

[发明专利]电子设备及其制造方法-CN202010631382.3在审
发明人： 金晃衍 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-07-03 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：半导体存储器包括：衬底，其包括：其中布置有多个可变电阻元件的第一区域；在第一区域的不同侧的第二和第三区域；设置在衬底上方并跨过第一区域和第二区域延伸的多条第一线；设置在第一线上方并跨过第一区域和第三区域延伸的多条第二线。所述可变电阻元件位于所述第一线和所述第二线的交点处且在所述第一线和所述第二线之间，在第三区域中设置有接触插塞，其上端耦接至第二线，在第一区域中电阻材料层被插设于第二线与可变电阻元件之间，但是在第三区域中的接触插塞和第二线之间不存在。
电子设备及其制造方法

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