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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体存储装置-CN201910743609.0有效
发明人：野吕宽洋;越智悠介;杉本贵宏;金川直晃 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2019-08-13 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：实施方式提供一种能提高可靠性的半导体存储装置。根据实施方式，本发明的半导体存储装置具备：主数据总线(MDB)，包含能在具有多个存储单元的存储单元阵列与串行/并行转换电路(12)之间分别并列传输数据信号的第1及第2数据线(200)；第1及第2中继缓冲器电路(19)，设置在第1数据线；及第3中继缓冲器电路(19)，设置在第2数据线(200)。主数据总线包含第1配线部，该第1配线部是沿着第1方向而设置，第1及第2缓冲器相互分隔而设置在第1配线部中的第1数据线，第3缓冲器设置在第1配线部中的第2数据线，第1至第3缓冲器的沿着第1方向的位置互不相同。
半导体存储装置

[发明专利]半导体器件-CN201811561497.9有效
发明人： 金川直晃 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：实施方式提供一种能够提高特性的半导体器件。实施方式的半导体器件包括：节点(ND1、ND2)；由元件分离层包围的第1、第2以及第3半导体区域(AA1、AA2、AA3)；在节点之间并联连接的、第1半导体区域内的第1导电型的第1以及第2晶体管(TR3、TR4)；连接在第2节点与第1晶体管(TR4)之间的、第2半导体区域内的第1导电型的第3晶体管(TR2)；以及连接在第2节点与第2晶体管之间的、第3半导体区域内的第1导电型的第4晶体管(TR1)，第1方向上的元件分离层与第1晶体管的门极电极之间的间隔(D4)小于第1方向上的第2元件分离层与上述第3晶体管的门极电极之间的间隔(D2)。
半导体器件

[发明专利]半导体存储装置-CN202210704968.7在审
发明人：林真太郎;阿部光弘;金川直晃 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供一种能稳定地输出读出数据的半导体存储装置。本发明的半导体存储装置(2)的定序器(41)将与存储器控制器(1)所请求的数据不同的非正规数据作为与最初以指定次数接收到的各读出信号对应的数据，使其从第2保存部(520)向输出部发送，将存储器控制器(1)所请求的数据即正规数据作为与后来所接收到的读出信号对应的数据，使其从第2保存部(520)向所述输出部发送。定序器(41)通过根据所述指定次数预先调整读指针(Rptr)，而使非正规数据从第2保存部(520)发送，所述读指针(Rptr)指示第2保存部(520)内保存的多个数据中接下来要向输出部发送的数据的保存位置。
半导体存储装置

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共 3 条

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