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[发明专利]半导体器件-CN202211650576.3在审
发明人：赵槿汇;姜明吉;金奇范;金洞院 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：公开了半导体器件。所述半导体器件包括：有源区，在基底上；源极/漏极图案，在有源区上；沟道图案，在有源区上并且连接到源极/漏极图案，每个沟道图案包括垂直堆叠以彼此间隔开的多个半导体图案；栅电极，分别在沟道图案上，在第一方向上延伸并且彼此平行；以及有源接触件，分别电连接到源极/漏极图案。第一有源接触件的底表面位于第一水平处，并且第二有源接触件的底表面位于高于第一水平的第二水平处。第三有源接触件的底表面位于高于第二水平的第三水平处。
半导体器件

[发明专利]包括多个沟道层的半导体器件-CN202211284753.0在审
发明人：赵槿汇;金奇范;姜明吉;金洞院 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括基板、在基板上的有源鳍和在有源鳍上的晶体管。该晶体管包括依次堆叠的下沟道层、中间沟道层和上沟道层以及栅极结构，该栅极结构横跨有源鳍，分别围绕沟道层并包括栅极电介质和栅电极。栅电极包括在有源鳍和下沟道层之间的下电极部分、在下沟道层和中间沟道层之间的中间电极部分、以及在中间沟道层和上沟道层之间的上电极部分。栅电极包括功函数调节金属元素，在下电极部分中的功函数调节金属元素的含量不同于在中间电极部分和上电极部分中的每个中的功函数调节金属元素的含量。
包括沟道半导体器件