专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]图像传感器和包括图像传感器的电子系统-CN202310347222.X在审
  • 张敬恩;金声仁;高圣勳;金东炫;李旭 - 三星电子株式会社
  • 2023-04-03 - 2023-10-20 - H01L27/146
  • 公开图像传感器和包括图像传感器的电子系统。所述图像传感器包括具有像素区域的基底和设置在像素区域中的晶体管,在像素区域中限定具有由局部切口空间限制的局部不对称鳍区域的有源区域。晶体管包括水平栅极部分和竖直栅极部分,水平栅极部分设置在有源区域上,竖直栅极部分填充局部切口空间并面对局部不对称鳍区域的鳍侧壁之一。形成在有源区域中的源极区域和漏极区域距局部不对称鳍区域的距离彼此不同。所述电子系统包括至少一个相机模块和处理器,所述至少一个相机模块包括图像传感器,处理器被配置为处理从所述至少一个相机模块提供的图像数据。
  • 图像传感器包括电子系统
  • [发明专利]电池冲击测量方法和采用该方法的电池系统-CN202280016645.7在审
  • 李硕晋;金东炫 - 株式会社LG新能源
  • 2022-10-18 - 2023-10-20 - G01P15/00
  • 一种电池冲击测量方法,其是用于测量对电池的冲击的方法,包括如下步骤:主控制单元(MCU)将电池系统的先前操作模式存储在存储器的第一区域中;MCU将电池系统的当前操作模式存储在存储器的第二区域中;MCU确定存储在第一区域中的操作模式与存储在第二区域中的操作模式是否彼此相同;如果基于确定结果,存储在第一区域中的操作模式与存储在第二区域中的操作模式彼此不同,则MCU将改变标志作为第一值存储在存储器的第三区域中;如果存储在第二区域中的操作模式为睡眠模式并且改变标志为第一值,则MCU从加速度传感器接收加速度传感器信号;以及如果存储在第二区域中的操作模式不为睡眠模式,则MCU从加速度传感器接收加速度传感器信号。
  • 电池冲击测量方法采用方法系统
  • [发明专利]电池诊断方法和应用该方法的电池系统-CN202280016053.5在审
  • 洪性柱;崔健;金东炫;安孝成 - 株式会社LG新能源
  • 2022-10-12 - 2023-10-10 - G01R31/389
  • 电池诊断方法,包括如下步骤,其中,电池管理系统(BMS):分别计算并联连接的多个电池单元的多个内阻,内阻分别基于多个电池单元的多个单元电压和多个单元电流来计算;基于多个内阻来得出多个内阻的整体代表值;基于并联连接数目计算多并联理想因子,该并联连接数目是并联连接的多个电池单元的数目;基于多个内阻和内阻的整体代表值来计算内阻的分散度;基于内阻的整体代表值、多并联理想因子和内阻的分散度来计算正常范围的上限阈值;以及基于上限阈值来得出正常范围,并且根据正常范围诊断电池组的状态。
  • 电池诊断方法应用系统
  • [发明专利]显示面板-CN202310282340.7在审
  • 尹秀娟;章惠媛;李新兴;金东炫;卜胜龙;郑荣哲 - 三星显示有限公司
  • 2023-03-22 - 2023-09-26 - H10K59/35
  • 本发明涉及一种显示面板。该显示面板包括:多个单元像素,该多个单元像素中的每一个包括多个子像素。多个子像素中的每一个包括用以发光的发光图案;多个单元像素中的一个单元像素的子像素包括一个红色子像素、一个蓝色子像素和两个绿色子像素;蓝色子像素和红色子像素中的每一个具有三角形形状;并且两个绿色子像素中的每一个的发光面积小于蓝色子像素的发光面积。
  • 显示面板
  • [发明专利]图像传感器-CN202310061278.9在审
  • 权杜原;金净惠;金东炫;蒋玟澔 - 三星电子株式会社
  • 2023-01-17 - 2023-08-01 - H01L27/146
  • 一种图像传感器,包括第一结构和在竖直方向上堆叠在第一结构上的第二结构,第一结构包括分别与第一浮置扩散区域和第二浮置扩散区域电连接的第一像素焊盘和第二像素焊盘以及在第一像素焊盘与第二像素焊盘之间贯穿并且与第一接地结构电连接的第一耦合抑制线,第二结构包括分别与第一源极跟随器栅极和第二源极跟随器栅极电连接的第三像素焊盘和第四像素焊盘以及在第三像素焊盘与第四像素焊盘之间贯穿并且与第二接地结构电连接的第二耦合抑制线。
  • 图像传感器

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