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[实用新型]一种临床麻醉通气面罩-CN202122075297.6有效
发明人：陈红;金世云;张野 -专利权人：安徽医科大学第二附属医院
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： A61M16/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种临床麻醉通气面罩，包括：面罩本体、面罩进气口、面罩回气口和绑带；所述面罩进气口设置在所述面罩本体的底部，且所述面罩进气口连通至所述面罩本体内；所述面罩回气口设置在所述面罩本体的中间表面，且所述面罩回气口连通至所述面罩本体内；所述面罩本体包括侧边，所述绑带设有两根，两根所述所述绑带分别设置在所述侧边的两侧；所述侧边上连接有气囊组件，所述气囊组件与充气孔连接，所述设置在所述面罩本体的中间表面，所述气囊组件包括沿侧边长度方向均匀设置的气囊球，所述气囊球与所述充气孔之间连接。本实用新型结构简单，能很好地与患者脸部皮肤贴合在一起，不会发生漏气情况，实用价值高。
一种临床麻醉通气面罩

[实用新型]功率半导体器件-CN202020289058.3有效
发明人：朴锺镐;胡尚寿;李相龙;金世云 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2019-07-19 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01L29/866 文献下载
摘要：本实用新型公开了功率半导体器件，所述功率半导体器件包括：有源区域中的源极区、外围区域中的栅极结构以及串联连接在有源区域和栅极结构之间的多个沟槽二极管。该多个沟槽二极管中的每一个包括：第一沟槽，该第一沟槽设置在衬底材料中；绝缘层，该绝缘层设置在第一沟槽的表面上方；第一导电类型的第一半导体材料，该第一半导体材料设置在第一沟槽内；和第二导电类型的第二半导体材料，该第二半导体材料设置在第一沟槽内并且设置在第一沟槽中的第一半导体材料的上方。
功率半导体器件

[实用新型]沟槽二极管和功率半导体器件-CN201921146192.1有效
发明人：朴锺镐;胡尚寿;李相龙;金世云 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2019-07-19 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L29/866 文献下载
摘要：本实用新型公开了沟槽二极管和功率半导体器件，该沟槽二极管包括：第一沟槽，该第一沟槽设置在衬底材料中；绝缘层，该绝缘层设置在第一沟槽的表面上方；第一导电类型的第一半导体材料，该第一半导体材料设置在第一沟槽内；和第二导电类型的第二半导体材料，该第二半导体材料设置在第一沟槽内并且设置在第一沟槽中的第一半导体材料的上方。第一半导体材料的掺杂浓度至少是1×1018/cm3。第二半导体材料的掺杂浓度至少是1×1017/cm3。
沟槽二极管功率半导体器件

[发明专利]晶体管和制备该晶体管的方法-CN201910307588.8在审
发明人：胡尚寿;朴锺镐;金世云;李相龙;姜荣权 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2019-04-17 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开提供了一种晶体管和制备该晶体管的方法，所述晶体管包括沟槽，所述沟槽限定在半导体衬底中。栅极电极设置在所述沟槽中，并且通过栅极电介质与所述沟槽的侧壁绝缘。屏蔽电极设置在所述栅极电极下方的所述沟槽中，并且通过屏蔽电介质与所述栅极电极和所述沟槽的所述侧壁绝缘。所述屏蔽电介质包括固体电介质部分和设置在所述屏蔽电极与所述沟槽的所述侧壁之间的腔。
晶体管栅极电极电介质侧壁绝缘屏蔽电极屏蔽制备固体电介质栅极电介质侧壁衬底半导体

[发明专利]用于预测急性髓系白血病病人对抗癌药物应答的标记物-CN200680044375.1无效
发明人：尹正浩;金永准;金世云;宋荣华;朴栋润;金成韩;李瀚镛;金东旭;申仁京;李凤龙 -专利权人：数字基因组学株式会社;大熊株式会社
申请日： 2006-09-26 - 公布日： 2008-12-17 - 主分类号： C12Q1/68 文献下载
摘要：本发明公开了一种标记物，所述的标记物能预测AML(急性髓系白血病)病人对抗癌治疗的应答。本发明还提供了一种试剂盒，所述的试剂盒具有用于测定标记基因的表达水平的工具，所述的标记基因能预测应答，从而用于预测AML病人对抗癌药物的应答。另外，以该标记基因的表达程度为基础，本发明提供了一种用于预测AML病人对抗癌药物应答的方法。通过将取自AML病人的生物样本应用于该试剂盒，来分析所述基因的表达谱图，可以预测AML病人对抗癌药物的应答。该方法提供了对AML病人适合的化疗信息，从而提高所使用的抗癌药物的治疗效果并减轻病人的痛苦和经济负担。
用于预测急性白血病病人抗癌药物应答标记