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[发明专利]半导体存储装置-CN202110115263.7有效
发明人：大出裕之;野田光太郎 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H10B63/10 文献下载
摘要：实施方式提供能够适当地制造的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备沿第一方向排列的第一布线～第五布线和设于它们之间的多个存储器单元。另外，该半导体存储装置具备：第一接触件电极，配置于第一布线与第五布线之间，沿第一方向延伸，并电连接于第一布线以及第五布线；第二接触件电极，配置于第一接触件电极与第五布线之间，沿第一方向延伸，并电连接于第一布线以及第五布线；以及第三接触件电极，配置于第二接触件电极与第五布线之间，沿第一方向延伸，并电连接于第一布线以及第五布线。第二接触件电极在第二方向上的宽度比第一接触件电极在第二方向上的宽度大，且比第三接触件电极在第二方向上的宽度大。
半导体存储装置

[发明专利]半导体装置以及半导体存储装置-CN202211070863.7在审
发明人：冈岛睦;齐藤信美;池田圭司;野田光太郎;秋田贵誉 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：实施方式提供一种能够抑制可靠性的降低的半导体装置以及半导体存储装置。实施方式的半导体装置具备：氧化物半导体层，沿第一方向延伸；栅极电极，在与第一方向交叉的第二方向上与氧化物半导体层重叠；栅极绝缘膜，设置于栅极电极与氧化物半导体层之间；第一导电层，在第一方向上设置于氧化物半导体层之上，并且包含导电性氧化物；第二导电层，在第一方向上设置于第一导电层之上，并且包含金属元素；第一保护膜，与第二导电层的侧面相接；以及第二保护膜，与第一导电层的侧面或上表面的至少一部分相接。第一保护膜及第二保护膜分别包含与第二导电层相比、氧的扩散系数小的材料。
半导体装置以及存储

[发明专利]半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法-CN202110675281.0在审
发明人： 野田光太郎;野田恭子;星野健;津端修一 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供能够谋求电特性的提高的半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法。本实施方式的半导体存储装置具有第1布线、第2布线、第1存储层和第1绝缘膜。上述第1绝缘膜沿着上述第2布线的一部分表面及上述第1存储层的表面而设置。上述第1绝缘膜由Si、N及O形成。在上述第3方向上，将上述第1存储层的上述第2布线侧的端面的位置设定为第1位置。将上述第2布线的与上述第1存储层相反侧的端面的位置设定为第2位置。上述第1位置处的上述第1绝缘膜的N与O的原子比(N/O)为1.0以上。上述第2位置处的上述第1绝缘膜的N与O的原子比(N/O)低于1.0。
半导体存储装置制造方法

[发明专利]存储装置及其制造方法-CN201710779500.3有效
发明人： 野田光太郎;岡嶋睦 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2017-09-01 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本案是存储装置及其制造方法。存储装置具：第1配线，在第1方向延伸；多个半导体部件，在与第1方向交叉的第2方向延伸；第2配线，设置在多个半导体部件间，在与第1方向及第2方向交叉的第3方向延伸；第1绝缘膜，设置在多个半导体部件中的一者与第2配线间；多个第3配线，在第2方向延伸；多个第4配线，设置在多个第3配线间，在第3方向延伸，沿着第2方向排列；电阻变化膜，设置在多个第3配线中的一者与多个第4配线间；第1膜。第1膜设置在第2配线与第4配线间，介于半导体部件与电阻变化膜间，不介于相互连接的半导体部件与第3配线间。半导体部件的第1端连接第1配线。多个第3配线中的一者连接多个半导体部件中的一者的第2端。
存储装置及其制造方法

[发明专利]非易失性半导体存储装置及其制造方法-CN202011137110.4在审
发明人： 野田光太郎;大出裕之 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：一种防止邻接布线间的短路并降低了布线电阻的非易失性半导体存储装置及其制造方法。具备：沿第一方向延伸的第一布线层；沿第二方向延伸的第二布线层；沿第二方向延伸并设于第三方向上方的第三布线层；配置于第二布线层与第一布线层间并具有第一电阻变化膜的第一存储单元；沿第一方向延伸并设于第三方向上方的第四布线层；以及配置于第四布线层与第三布线层间并具有第二电阻变化膜的第二存储单元。第二布线层与第三布线层的层叠结构在其层叠界面处在第一方向上具有凹陷结构。
非易失性半导体存储装置及其制造方法

[发明专利]非易失性半导体存储装置及其制造方法-CN201980060555.6在审
发明人： 野田光太郎 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2019-02-15 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： H01L21/8239 文献下载
摘要：根据本申请的实施方式，非易失性半导体存储装置具备多个第一布线层、多个第二布线层和存储单元，上述多个第一布线层沿第一方向延伸，上述多个第二布线层在多个第一布线层的上方沿与第一方向交叉的第二方向延伸，上述存储单元在多个第二布线层与多个第一布线层的交叉部分配置于第二布线层与第一布线层之间，并且具备具有电阻变化膜的单元部和具有选择器。第一布线层和第二布线层具备互不相同的材料。本申请提供降低了布线电阻的非易失性半导体存储装置及其制造方法。
非易失性半导体存储装置及其制造方法

[发明专利]非易失性半导体存储装置及其制造方法-CN201980059930.5在审
发明人： 野田光太郎 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2019-03-06 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L21/8239 文献下载
摘要：根据实施方式，非易失性半导体存储装置具备：多个第一布线层，在第一方向上延伸，沿着与第一方向交叉的第二方向排列；多个第二布线层，在与第一方向以及第二方向交叉的第三方向上设置于多个第一布线层的上方，在第一方向上排列，在第二方向上延伸；多个第一层叠结构体，在多个第二布线层与多个第一布线层的交叉部分，包含配置于第二布线层与第一布线层之间的存储单元；第二层叠结构体，在第二方向上与多个第一布线层相邻，沿着第二方向排列，与第二布线层相接触；以及绝缘层，设置于多个第一层叠结构体之间以及多个第二层叠结构体之间，第二层叠结构体的杨氏模量比绝缘层的杨氏模量大。提供一种机械强度优异、耐图案短路、因此成品率提高、可靠性高的非易失性半导体存储装置及其制造方法。
非易失性半导体存储装置及其制造方法

[发明专利]电池壳体-CN202010069571.6在审
发明人：奧出竜基;野田光太郎 -专利权人：双叶产业株式会社
申请日： 2020-01-21 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01M2/10 文献下载
摘要：一种电池壳体，其用于容纳向车辆行驶用电机供应电力的电池，且具备第1部位、第2部位以及第3部位。第1部位是沿着一个方向延伸的筒状部位。第1部位的与一个方向正交的剖面形状沿着一个方向恒定不变或周期性地变化。第2部位以及第3部位是覆盖第1部位中的位于一个方向上的两端的开口的部位。第2部位和第3部位中的至少一者作为与第1部位各自独立的部件而构成。
电池壳体

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