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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体激光装置、半导体激光装置的制造方法和光学装置-CN201110134781.X无效
发明人：林伸彦;吉川秀樹;藏本慶一;野村康彦;後藤壮謙;岡山芳央;德永誠一 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2011-05-16 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： H01S5/022 文献下载
摘要：本发明提供半导体激光装置、半导体激光装置的制造方法和光学装置。该半导体激光装置具有半导体激光元件和将半导体激光元件密封的封装体。封装体具有用于安装半导体激光元件的基部、密封用部件和窗用部件。半导体激光元件由基部、密封用部件和窗用部件密封。基部、密封用部件和窗用部件中的至少二个部件相互通过由乙烯-聚乙烯醇共聚物构成的密封剂接合。
半导体激光装置制造方法光学

[发明专利]半导体激光装置和显示装置-CN200980147565.X无效
发明人：畑雅幸;久纳康光;野村康彦;中岛三郎 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2009-09-11 - 公布日： 2011-10-26 - 主分类号： H01S5/022 文献下载
摘要：本发明提供一种在再现白色光时，即使在振荡波长不同的多个激光元件间要求较大的输出差的情况下，也能够柔软应对的半导体激光装置。该半导体激光装置(100)具备：具有一个或多个激光发光部的红色半导体激光元件(10)；具有一个或多个激光发光部的绿色半导体激光元件(30)；和具有一个或多个激光发光部的蓝色半导体激光元件(50)。而且，红色半导体激光元件、绿色半导体激光元件和蓝色半导体激光元件中至少两个半导体激光元件具有如下关系：射出相对长的波长的光的半导体激光元件的激光发光部的个数比射出相对短的波长的光的半导体激光元件的激光发光部的个数多。
半导体激光装置显示装置

[发明专利]半导体激光装置和显示装置-CN200980138656.7无效
发明人：畑雅幸;久纳康光;野村康彦;中岛三郎 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2009-09-17 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： H01S5/40 文献下载
摘要：本发明提供一种能够容易地得到所希望的色相的半导体激光装置。该半导体激光装置(100)具备：具有一个或多个激光发光部的绿色半导体激光元件(30)、具有一个或多个激光发光部的蓝色半导体激光元件(50)、具有一个或多个激光发光部的红色半导体激光元件(10)。而且，绿色半导体激光元件、蓝色半导体激光元件和红色半导体激光元件中的至少二个半导体激光元件具有如下关系，即，合计输出相对小的半导体激光元件的激光发光部的个数比合计输出相对大的具有多个激光发光部的半导体激光元件的激光发光部的个数、或输出相对大的具有一个激光发光部的半导体激光元件的个数多。
半导体激光装置显示装置

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN201010619582.3有效
发明人：畑雅幸;户田忠夫;冈本重之;井上大二朗;别所靖之;野村康彦;山口勤 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2004-02-06 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种可使元件工作稳定化的半导体元件。该半导体元件包含以下部件，即：至少在背面一部分上具有错位集中的区域的基板、在基板表面上形成的半导体元件层、在基板背面上错位集中区域上形成的绝缘膜、和以与基板背面错位集中区域以外的区域相接触的方式形成的背面侧电极。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN201010620144.9有效
发明人：畑雅幸;户田忠夫;冈本重之;井上大二朗;别所靖之;野村康彦;山口勤 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2004-02-06 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种可使元件工作稳定化的半导体元件。该半导体元件包含以下部件，即：至少在背面一部分上具有错位集中的区域的基板、在基板表面上形成的半导体元件层、在基板背面上错位集中区域上形成的绝缘膜、和以与基板背面错位集中区域以外的区域相接触的方式形成的背面侧电极。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]半导体激光装置和光学拾取装置-CN201110035365.4无效
发明人：畑雅幸;别所靖之;野村康彦;庄野昌幸;梶山清治;土屋洋一 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2006-03-27 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： H01S5/40 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体激光装置和光学拾取装置，半导体激光装置的蓝紫色发光点、红色发光点和红外发光点，配置成按该顺序沿Y方向大致排列在直线上。从蓝紫色发光点发射的蓝紫色激光和从红色发光点发射的红色激光，通过由偏振光束分离器、准直透镜、光束扩展器、λ/4片、物镜、柱面透镜和光轴校正元件构成的光学系统入射到光盘上，从光盘返回后被导向同一个光检测器。从红外发光点发射的红外激光，通过上述光学系统入射到光盘上，从光盘返回后被导向光检测器。
半导体激光装置光学拾取

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN200910005133.7有效
发明人：畑雅幸;户田忠夫;冈本重之;井上大二朗;别所靖之;野村康彦;山口勤 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2004-02-06 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种可使元件工作稳定化的半导体元件。该半导体元件包含以下部件，即：至少在背面一部分上具有错位集中的区域的基板、在基板表面上形成的半导体元件层、在基板背面上错位集中区域上形成的绝缘膜、和以与基板背面错位集中区域以外的区域相接触的方式形成的背面侧电极。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]半导体元件和其制造方法-CN200780029764.1有效
发明人：畑雅幸;野村康彦 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2007-08-08 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明提供半导体元件和其制造方法。即使在半导体元件部在面内方向中包括具有不同的热膨胀系数的多个方向的情况下，也能够抑制元件特性的下降。该半导体激光元件(半导体元件)包括：在主面的面内方向中包括热膨胀系数不同的[1-100]方向和[0001]方向的半导体元件部；以及在主面的面内方向中包括热膨胀系数不同的箭头E方向和箭头F方向的基台。而且，以半导体元件部的[1-100]方向，相比于基台的箭头F方向更靠近箭头E方向一侧的方式，半导体元件部相对于基台被接合。
半导体元件制造方法

[发明专利]氮化物系半导体元件的制造方法-CN200910000559.3有效
发明人：狩野隆司;山口勤;伊豆博昭;畑雅幸;野村康彦 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2005-02-21 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化物系半导体元件的制造方法，在具有从表面贯通到背面的条状的位错集中区域的GaN基板的表面上将氮化物系半导体各层以均匀的膜厚进行层叠。氮化物系半导体基板，例如，沿GaN基板表面的位错集中区域，在位错集中区域附近的非位错集中区域形成槽。在形成了该槽的GaN基板的表面上形成氮化物系半导体的各层，作为结晶成长层。
氮化物半导体元件制造方法

[发明专利]半导体激光装置和光装置-CN200810179134.9无效
发明人：井上大二朗;别所靖之;畑雅幸;野村康彦 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2005-03-11 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明提供具有振荡波长不同的多个半导体激光元件、并可使用产生低电压的电源电路驱动短波长的半导体激光元件的半导体激光装置和光装置。半导体激光装置(500)具有射出蓝紫色激光的第一半导体激光元件(11)、射出红色激光的第二半导体激光元件(12)、导电性组件主体(19)。第一半导体激光元件(11)具有p侧衬垫电极和n侧电极。第一半导体激光元件(11)的p侧衬垫电极和n侧电极与组件主体(19)绝缘。产生正电位的驱动电路(501)连接于第一半导体激光元件(11)的p侧衬垫电极，产生负电位的直流电源(502)连接于第一半导体激光元件(11)的n侧电极上。
半导体激光装置

[发明专利]半导体激光元件及其制造方法-CN200780001734.X无效
发明人：井上大二朗;别所靖之;畑雅幸;野村康彦;德永诚一 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2007-07-31 - 公布日： 2009-02-04 - 主分类号： H01S5/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体激光元件及其制造方法，能够得到能够抑制光波导的损伤的半导体激光元件。该GaN类半导体激光芯片(半导体激光元件)包括：由氮化物类半导体构成的n型GaN基板；和形成在n型GaN基板上，由形成有构成在F方向延伸的光波导的脊部的氮化物类半导体构成的半导体层。此外，脊部(光波导)形成在从半导体层的中央部向一侧偏移的区域中。此外，在与脊部(光波导)的一侧相反的一侧的区域中，以在与脊部(光波导)延伸的F方向交叉的方向延伸的方式，从半导体层侧形成有解理导入用台阶。
半导体激光元件及其制造方法

[发明专利]半导体激光元件-CN200810134056.0无效
发明人：广山良治;野村康彦;畑雅幸;三宅泰人 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2008-07-24 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： H01S3/22 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体激光元件，其包括：由氮化物类半导体构成的基板；和在上述基板的主表面上形成的光波导，其中，基板包括以相对基板的主表面在倾斜方向上延伸的方式配置的位错集中区域，光波导以位于位错集中区域的上方，并位于基板的主表面中的除去出现位错集中区域的部分的区域上的方式形成。
半导体激光元件

[发明专利]半导体激光装置和其制造方法-CN200810100306.9无效
发明人：中岛三郎;野村康彦;畑雅幸;后藤壮谦 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2008-03-14 - 公布日： 2008-09-24 - 主分类号： H01S5/022 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体激光装置和其制造方法，该半导体激光装置包括：沿着共振器延伸的第一方向或与第一方向交叉的第二方向存在弯曲的半导体激光元件；和固定半导体激光元件的弯曲的凸出侧的基台，在第一方向和第二方向中弯曲较大的方向上的半导体激光元件的一个端部和基台之间的距离小于在第一方向和第二方向中弯曲较大的方向上的半导体激光元件的另一端部和基台之间的距离。
半导体激光装置制造方法

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN200810008830.3有效
发明人：畑雅幸;户田忠夫;冈本重之;井上大二朗;别所靖之;野村康彦;山口勤 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2004-02-06 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：本发明提供一种可使元件工作稳定化的半导体元件。该半导体元件包含以下部件，即：至少在背面一部分上具有错位集中的区域的基板、在基板表面上形成的半导体元件层、在基板背面上错位集中区域上形成的绝缘膜、和以与基板背面错位集中区域以外的区域相接触的方式形成的背面侧电极。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]氮化物类半导体元件及其制造方法-CN200710186168.6无效
发明人：别所靖之;野村康彦;畑雅幸 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2007-11-30 - 公布日： 2008-06-18 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化物类半导体元件，该氮化物类半导体元件包括：由氮化物类半导体构成的基板；在基板上形成的、由形成有向第一方向延伸的光波导的氮化物类半导体构成的氮化物类半导体层；在至少除光波导的端面附近以外的区域，沿光波导延伸的第一方向，在与基板的形成有氮化物类半导体层的一侧相反的一侧的表面上形成的第一台阶部。
氮化物类半导体元件及其制造方法

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