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[发明专利]膜厚测定装置、膜厚测定方法及具有膜厚测定装置的研磨装置-CN201410330819.4在审
发明人： 野村季和;饭泉健;渡边和英;小林洋一 -专利权人：株式会社荏原制作所
申请日： 2014-07-11 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： B24B37/00 文献下载
摘要：一种膜厚测定装置，具有：将基板(W)支承成水平的基板台(87)；洗涤水供给部(90)，其将洗涤水供给到基板台(87)上的基板(W)整个表面；膜厚测定头(84)，其将光照射在基板台(87)上的基板(W)表面上的测定区域，生成来自测定区域的反射光的光谱，从该光谱确定基板(W)的膜厚；以及流体供给部(130)，其在光的光路上形成气体流，将该气体流施加到测定区域。采用本发明的膜厚测定装置及膜厚测定方法，可提高膜厚的测定精度。
测定装置方法具有研磨

[实用新型]研磨装置-CN201320224010.4有效
发明人：小滨达也;小畠严贵;野村季和;木村宪雄;川岛清隆 -专利权人：株式会社荏原制作所
申请日： 2013-04-27 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本实用新型提供的研磨装置，能够均匀且高效地对研磨对象物的被研磨面供给研磨液。研磨装置具备：具有研磨面（52）的研磨工作台（22）；保持半导体晶片（W）并将半导体晶片（W）按压于研磨面（52）的顶环（24）。另外，研磨装置还具备：对研磨面（52）供给研磨液（Q）的研磨液供给口（57）；以及移动机构，该移动机构使研磨液供给口（57）移动，以使研磨液（Q）因半导体晶片（W）与研磨面（52）之间的相对移动而均匀地遍布半导体晶片（W）的整个面。
研磨装置