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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体存储装置-CN201910743609.0有效
  • 野吕宽洋;越智悠介;杉本贵宏;金川直晃 - 铠侠股份有限公司
  • 2019-08-13 - 2023-10-27 - G11C16/26
  • 实施方式提供一种能提高可靠性的半导体存储装置。根据实施方式，本发明的半导体存储装置具备：主数据总线(MDB)，包含能在具有多个存储单元的存储单元阵列与串行/并行转换电路(12)之间分别并列传输数据信号的第1及第2数据线(200)；第1及第2中继缓冲器电路(19)，设置在第1数据线；及第3中继缓冲器电路(19)，设置在第2数据线(200)。主数据总线包含第1配线部，该第1配线部是沿着第1方向而设置，第1及第2缓冲器相互分隔而设置在第1配线部中的第1数据线，第3缓冲器设置在第1配线部中的第2数据线，第1至第3缓冲器的沿着第1方向的位置互不相同。
  • 半导体存储装置
  • [发明专利]半导体存储装置-CN201810886816.7有效
  • 野吕宽洋;藤田哲也;丸山圭司 - 铠侠股份有限公司
  • 2018-08-06 - 2023-06-30 - G11C16/26
  • 本发明的实施方式提供一种能够提高可靠性的半导体存储装置。根据实施方式，半导体存储装置包含存储器单元阵列30、第1时钟信号线C1L、从一端朝向另一端依序连接着第1缓冲电路及第2缓冲电路35的第2时钟信号线P0C1L、连接在第2时钟信号线P0C1L的一端的第1三态缓冲器200、及连接在第2时钟信号线P0C1L的另一端的第2三态缓冲器201。写入动作时，对于第1及第2缓冲电路35，经由第1三态缓冲器200输入时钟信号CLK1，读出动作时，对于第1及第2缓冲电路35，经由第2三态缓冲器201输入时钟信号CLK1。
  • 半导体存储装置
  • [发明专利]存储器装置-CN201680045522.0有效
  • 野吕宽洋 - 东芝存储器株式会社
  • 2016-03-09 - 2021-08-31 - G06F12/16
  • 根据一个实施例，半导体存储器装置包括：存储器，其被配置为存储数据；纠错电路，其被配置为校正从存储器读取的数据中的错误，并且如果数据中的错误不能被校正，则生成第一状态的第一信号以与数据一起发送到外部；以及第一引脚，其被配置为向外部发送第一信号，并从外部接收数据掩码信号。
  • 存储器装置
  •  1 
  • 共 5 条
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