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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[外观设计]LED照明灯具-CN201830069527.9有效
发明人：笠仓晓夫;齐藤豊;酒井良正 -专利权人：三菱化学株式会社
申请日： 2018-02-13 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： 26-05 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：LED照明灯具。2．本外观设计产品的用途：用于照明。3．本外观设计的设计要点：在于产品的形状。4．最能表明设计要点的图片或者照片：立体图。
外观设计图片

[发明专利]场效应晶体管、其制造方法以及使用了该场效应晶体管的电子器件-CN201080014681.7有效
发明人：大关阳介;酒井良正;大野玲 -专利权人：三菱化学株式会社
申请日： 2010-04-07 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供具有高迁移率且迁移率的离差小的场效应晶体管。以源极和/或漏极在平行于沟道长度方向且垂直于衬底的截面中具有楔形部的方式，形成源极和/或漏极，通过涂布法形成半导体层，由此制造至少具有衬底、半导体层、源极和漏极的场效应晶体管。
场效应晶体管制造方法以及使用该场效应电子器件

[发明专利]场效应晶体管-CN200910165165.3有效
发明人：小桥昌浩;半田敬信;荒牧晋司;酒井良正 -专利权人：三菱化学株式会社
申请日： 2003-07-31 - 公布日： 2010-03-10 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：优化支撑性基板的机械特性与有机场效应晶体管的绝缘体层，由此在有机场效应晶体管中获得高迁移率，高导通电流和低漏电流，以及高电流开/关比。场效应晶体管包括提供于支撑性基板(1)上的绝缘体层(3)，被绝缘体层(3)隔开的栅电极(2)和有机半导体层(4)，如此布置使之与有机半导体层(4)接触的源电极(5)和漏电极(6)，其中在绝缘体层屈服点的伸长率ε1(％)大于在支撑性基板屈服点的伸长率ε2(％)。所提供的良好柔韧性，可以限制为减小漏电流而施加的应力可能导致的裂缝，进而获得高迁移率，高导通电流和低漏电流，以及高电流开/关比。
场效应晶体管

[发明专利]绝缘层、电子元件、场效应晶体管和聚乙烯基苯硫酚-CN200780028970.0有效
发明人：荒牧晋司;酒井良正 -专利权人：三菱化学株式会社
申请日： 2007-08-02 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： C08F12/30 文献下载
摘要：本发明提供一种绝缘层，该绝缘层能够在用于电子元件时改善元件特性，为此绝缘层中含有包含下式表示的重复单元的高分子绝缘体。式中，R^a表示直接键合或任意的连接基团，Ar表示具有或不具有取代基的2价芳香族基团，R^b表示氢原子、氟原子或一价有机基团。
绝缘电子元件场效应晶体管聚乙烯苯硫酚

[发明专利]有机半导体材料和有机场效应晶体管-CN200680034697.8有效
发明人：大场好弘;佐藤和昭;酒井良正;荒牧晋司 -专利权人：三菱化学株式会社
申请日： 2006-09-20 - 公布日： 2008-09-17 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：本发明涉及有机半导体材料和有机场效应晶体管。本发明提供了一种稳定性良好的有机半导体材料，其可以被用于涂布工序，同时具有高的规则性和结晶性。为了提供所述有机半导体材料，使用如下化合物，所述化合物是6个～20个5元环和/或6元环的芳香环键合而成的，并且具有由下式(1)表示的部分结构，其迁移率是1.0×10^－3cm²/Vs以上，固体状态下的电离电位是4.8eV～5.6eV。式(1)中，R¹和R²各自独立地表示氢原子或一价有机基团，其中，R¹和R²中的至少一个是可以具有取代基的芳香族基团。
有机半导体材料场效应晶体管

[发明专利]场效应晶体管-CN200580033078.2无效
发明人：荒牧晋司;芳山龙一;大野玲;酒井良正 -专利权人：三菱化学株式会社
申请日： 2005-11-10 - 公布日： 2007-09-05 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种场效应晶体管，该场效应晶体管具有有机半导体部分，并且通过提高所述有机半导体部分的驱动稳定性来减小因驱动导致的特性变化。所述场效应晶体管含有栅绝缘部分、有机半导体部分、以及源极和漏极，该场效应晶体管的特征在于，当在70℃下向栅施加使所述栅绝缘部分中的电场强度达到100±5MV/m的电压5.0±0.1小时时，阈值电压的变化在5V以内。
场效应晶体管

[发明专利]场效应晶体管-CN03817832.X有效
发明人：小桥昌浩;半田敬信;荒牧晋司;酒井良正 -专利权人：三菱化学株式会社
申请日： 2003-07-31 - 公布日： 2005-09-21 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：优化支撑性基板的机械特性与有机场效应晶体管的绝缘体层，由此在有机场效应晶体管中获得高迁移率，高导通电流和低漏电流，以及高电流开/关比。场效应晶体管包括提供于支撑性基板(1)上的绝缘体层(3)，被绝缘体层(3)隔开的栅电极(2)和有机半导体层(4)，如此布置使之与有机半导体层(4)接触的源电极(5)和漏电极(6)，其中在绝缘体层屈服点的伸长率ε1(％)大于在支撑性基板屈服点的伸长率ε2(％)。所提供的良好柔韧性，可以限制为减小漏电流而施加的应力可能导致的裂缝，进而获得高迁移率，高导通电流和低漏电流，以及高电流开/关比。
场效应晶体管

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