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[实用新型]一种大尺寸低缺陷碳化硅单晶生长装置-CN202320172174.0有效
发明人：陈晶莹;罗烨栋;浩瀚;赵新田;杨弥珺;章宣;都佳豪 -专利权人：宁波合盛新材料有限公司
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本实用新型公开一种大尺寸低缺陷碳化硅单晶生长装置，涉及碳化硅生产设备技术领域，包括上部石墨坩埚、下部石墨坩埚、多孔石墨圆筒、多孔石墨筒、籽晶提杆、石墨籽晶盖、保温毡和感应线圈；上部石墨坩埚设置于下部石墨坩埚的顶部，且上部石墨坩埚的底部与下部石墨坩埚相连通；上部石墨坩埚和下部石墨坩埚内分别设置有一多孔石墨圆筒，多孔石墨圆筒内设置有多孔石墨筒；保温毡外侧设置有感应线圈。可先通过PVT法，使用扩径机械装配式石墨盖来减少由于粘接不均导致的六方空洞缺陷，同时可实现晶体的扩径生长，再使用PVT法得到更大的直径籽晶作为LPE法的籽晶。由于有两套加热系统和生长腔室，可在同一块晶体上实现不同类型的掺杂。
一种尺寸缺陷碳化硅生长装置

[发明专利]一种大尺寸低缺陷碳化硅单晶的生长方法-CN202310055979.1在审
发明人：陈晶莹;罗烨栋;浩瀚;赵新田;杨弥珺;章宣;都佳豪 -专利权人：宁波合盛新材料有限公司
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种大尺寸低缺陷碳化硅单晶的生长方法，属于碳化硅单晶制备技术领域。本发明提供的大尺寸低缺陷碳化硅单晶的生长方法中，利用大尺寸低缺陷碳化硅单晶生长装置，以碳化硅粉料为原料，在N型掺杂剂存在条件下基于PVT法进行第一阶段长晶，得到晶锭；以硅粉、碳粉、铬粉和P型掺杂剂的混合物为原料，以所述晶锭作为籽晶，基于LPE法进行第二阶段长晶，得到大尺寸低缺陷碳化硅单晶。采用本发明提供的方法可以生长得到大尺寸低缺陷碳化硅单晶，且可在同一块碳化硅单晶上实现不同类型的掺杂。
一种尺寸缺陷碳化硅生长方法

[实用新型]一种多孔石墨镶嵌使用的碳化硅长晶装置-CN202320052948.6有效
发明人：章宣;罗烨栋;浩瀚;赵新田;杨弥珺;陈晶莹;都佳豪 -专利权人：宁波合盛新材料有限公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种多孔石墨镶嵌使用的碳化硅长晶装置，包括坩埚、多孔石墨总成、籽晶和碳化硅粉末，碳化硅粉末装入坩埚与多孔石墨总成之间，在坩埚的顶部设置籽晶托，籽晶粘接在籽晶托上。本实用新型将多孔石墨板插入普通高纯石墨支架的镶嵌式结构替代多孔石墨筒，即保证多孔石墨过滤气氛中的碳颗粒作用，又可利用小直径的多孔石墨坯料加工，充分利用了多孔石墨料，且因本结构用了普通高纯石墨支架，整体强度得到提高，组装时不易破损，降低了成本。另此结构长晶后外部结的陶瓷体，可用物理敲击的方法去除大部分陶瓷体，再入炉焙烧的方式将陶瓷体碳化，碳化后又可重复使用，镶嵌的多孔片出现损坏的情况只需更换多孔片。
一种多孔石墨镶嵌使用碳化硅装置