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[发明专利]一种刻蚀残留物清洗剂-CN202210130669.7在审
发明人： 郭启祯;程挥戈;苏双峰;鄢艳华;周达文 -专利权人：深圳新宙邦科技股份有限公司
申请日： 2022-02-12 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C11D7/26 文献下载
摘要：本发明涉及清洗工艺技术领域，具体涉及一种刻蚀残留物清洗剂。本发明所述清洗剂包括：羟胺，水，有机溶剂和螯合剂，以所述清洗剂的总质量为100％计，所述羟胺的含量为10‑15％，所述有机溶剂的含量为50‑63％；当有机溶剂含量/羟胺含量＝a时，满足水含量/8≤a≤水含量/3.5。本发明所述的清洗剂，能够实现在不腐蚀特定材料(尤其是金属铝)的情况下，去除掉刻蚀后残留的聚合物碎片、有机金属残留、金属氧化物等杂质，且使用效果好，制备方法简单，具有较好的市场前景。
一种刻蚀残留物洗剂

[发明专利]一种光刻胶清洗剂及应用-CN202110924528.8在审
发明人：苏双峰;周达文;鄢艳华;郭启祯 -专利权人：深圳新宙邦科技股份有限公司
申请日： 2021-08-12 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造中的清洗工艺领域，具体涉及一种光刻胶清洗剂及应用。本发明基于清洗剂的总重量，包括：碱0.01‑65％；共溶剂0.01‑30％；螯合剂0.01‑15％；增效剂，所述增效剂为同时含有‑OH以及‑CHO和/或C＝O官能团的化合物，所述增效剂的重量百分比为A，且满足5A≤10％；表面活性剂0.01‑5％以及使所述清洗剂总重量为100％的余量水。本发明所述的清洗剂，包含水、碱、共溶剂、螯合剂、增效剂、表面活性剂的组分,通过引入增效剂的方法，利用‑OH的保湿作用，可以抑制组分中水份的挥发，同时，利用‑CHO和/或C＝O的还原性，用以保护组分中的羟胺不被氧化，最终达到延长清洗剂使用寿命，或在维持原使用时间的基础上，提高使用温度，以达到更好清洗效果的目的，具有较好的市场前景。
一种光刻洗剂应用

[发明专利]一种金属蚀刻液-CN202211235091.8在审
发明人：鄢艳华;郭启祯;赵大成 -专利权人：深圳新宙邦科技股份有限公司
申请日： 2022-10-10 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C23F1/16 文献下载
摘要：为克服现有技术中蚀刻液中醇胺类化合物变性使得残留去除效果弱的问题，本申请提供一种金属蚀刻液；所述蚀刻液包括以下组分：过氧化氢、辅助氧化剂、金属螯合剂、增溶剂、残留去除剂和水，所述残留去除剂包含结构式Ⅰ所示化合物和结构式Ⅱ所示醇胺类化合物；本申请提供的蚀刻液，结构式Ⅰ所示化合物抑制结构式Ⅱ所示醇胺类化合物与过氧化氢反应分解，保证了蚀刻过程中的残留去除效果，蚀刻无残留，保证蚀刻液的信赖性和寿命。
一种金属蚀刻

[发明专利]一种清洗剂及应用-CN202111114860.4在审
发明人： 郭启祯;苏双峰;鄢艳华;周达文 -专利权人：深圳新宙邦科技股份有限公司
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： C11D1/72 文献下载
摘要：本发明涉及清洗工艺技术领域，具体涉及一种清洗剂及应用。本发明所述清洗剂包括：水，碱性化合物，有机溶剂以及添加剂；其中添加剂含量≤水含量/(2*碱性化合物含量)，且碱性化合物含量满足使所述清洗液的pH值为11以上。本发明所述的清洗剂，通过选用浊点≥45℃的非离子表面活性剂和一定量的碱性化合物配合，用以去除掩模板上在使用一段时间后其表面形成包含金属和有机物的蒸镀膜，使用效果好，制备方法简单，具有较好的市场前景。
一种洗剂应用