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[发明专利]一种半导体激光器及其制备方法-CN202311189899.1在审
发明人： 郭丽彬;周大勇;杨慧永;祝曾伟;顾俊 -专利权人：材料科学姑苏实验室
申请日： 2023-09-15 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种半导体激光器及其制备方法。制备方法包括：提供衬底；在衬底的一侧依次制备第一限制层、第一波导层、量子阱有源层和第二波导层；在第二波导层背离量子阱有源层的一侧依次制备多层子限制层，多层子限制层构成第二限制层；其中，子限制层为p型掺杂层，沿多层子限制层层叠的方向，位于中间的子限制层的掺杂浓度大于位于两侧的子限制层的掺杂浓度；在第二限制层背离第二波导层的一侧制备接触层。本发明中，对第二限制层的生长工艺进行优化，既可保证掺杂离子在第二限制层中的有效激活，满足第二限制层低电阻率的要求，还可减少第二限制层中杂质的引入，减少激光器的内部损耗，提升激光器性能。
一种半导体激光器及其制备方法

[发明专利]一种用于开关场站电缆穿管防雨防潮的接口装置-CN202310793899.6在审
发明人：郑宏阳;李亚龙;邱林年;郭辉;胡嘉琪;李博;董理;李文涛;杨婷婷;魏鑫锴;张雨;周华美;金龙;何新荣;华海娟;郭丽彬 -专利权人：华能平凉发电有限责任公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H02G15/013 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于开关场站电缆穿管防雨防潮的接口装置，包括电源箱，接口机构，包括管道部件，设置于所述管道部件上的防水部件以及设置于所述防水部件上的可调部件；以及，防护结构，包括防护盖帽，设置于所述防护盖帽上的连卡部件；所述管道部件通过防水部件和可调部件连接，所述防护盖帽套设于管道部件的接口处，所述防护盖帽通过连卡部件进行固定，通过防水部件与可调部件结合，能够将管道部件进行连接，同时可调部件能够适应不同尺寸的管道部件，可以使不同型号的管道部件之间进行连接，从而提升接口机构的适应性和兼容性，利用防护盖帽将接口机构进行保护，可以有效的预防接口机构的老化，提升接口机构的使用寿命。
一种用于开关场站电缆防雨防潮接口装置

[实用新型]一种阀口清理工装-CN202122541233.0有效
发明人：张英;沈焕钢;郭丽彬 -专利权人：浙江南都电源动力股份有限公司
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： B08B5/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及电池加工技术领域，具体涉及一种阀口清理工装。包括连通部，所述连通部下侧设置有配合部，所述配合部上设置有吹扫通道，所述吹扫通道与所述连通部连通，所述吹扫通道的轴线与连通部的轴线错开。针对铅酸蓄电池阀口残液吹扫效果不好的技术问题，本实用新型提供了一种阀口清理工装，在通入气流的情况下，它利用自身结构，使吹出的气流朝向特定的方向，形成气旋，实现了阀口底部及侧边残液的彻底吹扫。
一种清理工装

[发明专利]一种钻井分层设计中基于构造模型的构造海拔确定方法-CN202010859740.6有效
发明人：王必金;李铭华;罗劲;刘爱武;文辉;朱美衡;郭丽彬;满惠慧;罗书行 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司江汉油田分公司勘探开发研究院
申请日： 2020-08-24 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： G01V1/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种钻井分层设计中基于构造模型的构造海拔确定方法，包括以下步骤：1)在高精度三维地震资料解释的基础上确定地层框架，建立目标靶区与已有井区的连井时间构造模型，并直接获取已知井区与目标靶区的过井时间值；2)确定已有井区综合平均速度，并计算出地层速度；3)根据周边钻探情况，拟合出不同地层随埋深增加的速度变化趋势；4)根据已知井层速度按构造模型对应赋予靶区地层的层速度，根据步骤3)的速度变化趋势校正靶区地层的层速度，最后根据过井时间值和层速度计算出钻井设计分层中所需要的构造海拔。本发明方法计算的地层埋深更准确，大大的降低了因为设计误差所带来的钻探风险。
一种钻井分层设计基于构造模型海拔确定方法

[发明专利]绿盲蝽在不同因子下稳定表达的内参基因及其应用-CN201911110000.6有效
发明人：罗静;王奥丽;成艳霞;郭丽彬;徐乐天 -专利权人：湖北大学
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C12Q1/6888 文献下载
摘要：本发明提出了绿盲蝽在不同因子下稳定表达的内参基因组合及其应用。具体组合方案如下：不同发育阶段稳定表达的内参基因组合为RPL27和RPL32，不同组织的内参基因组合为RPL27和RPL32，dsRNA处理条件下的内参基因组合为RPL27和EF1γ。还提出了该稳定表达内参基因用于荧光定量分析时所使用的不同引物序列。本发明首次确定了绿盲蝽在三种因子条件下最稳定的内参基因组合，为研究绿盲蝽在不同发育阶段、不同组织、以及dsRNA介导的RNA干扰条件下基因表达水平的分析提供了合适内参基因的选择，为研究绿盲蝽的基因功能以及RNAi介导的转基因作物的研发及其安全评价建立了夯实的基础。
绿盲蝽不同因子稳定表达内参基因及其应用

[发明专利]发光二极管外延结构及其制备方法-CN201910659984.7有效
发明人： 郭丽彬;程斌;鲍传保;周长健 -专利权人：宁波安芯美半导体有限公司
申请日： 2019-07-22 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管外延结构及其制备方法，所述制备方法包括，提供一衬底，于所述衬底上形成第一半导体层，于所述第一半导体层上形成发光层，于所述发光层上形成第二半导体层，其中，其中，所述发光层包括多个量子阱单元组，所述多个量子阱单元组是堆栈设置，每一所述量子阱单元组包括至少一层势阱层以及至少一层势垒层，其中所述多个量子阱单元组的势垒层的掺杂组成是相互不同。利用本发明，可有效提升器件的光电性能，实现辐射复合效率。
发光二极管外延结构及其制备方法

[发明专利]图形化氮化铝复合衬底、深紫外LED外延结构及制备方法-CN202110002544.1有效
发明人：齐胜利;郭丽彬;刘亚柱 -专利权人：宁波安芯美半导体有限公司
申请日： 2021-01-04 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种图形化氮化铝复合衬底、由该复合衬底制备的深紫外LED外延结构及该深紫外LED外延结构的制备方法。所述图形化氮化铝复合衬底由蓝宝石衬底、图形化氮化铝层组成，且图形化氮化铝层为表面压印有孔型图案的氮化铝层；所述深紫外LED外延结构结构从下到上依次由图形化氮化铝复合衬底、外延氮化铝层、n型AlGaN接触层、AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱有源层、p型AlGaN层和p型GaN外延层。本发明通过匹配溅射氮化铝退火温度和纳米压印图形周期尺寸可以控制复合衬底上外延氮化铝的应力状态，制备几乎无应力的氮化铝薄膜，在此基础上的深紫外LED裂纹面积小、晶体质量高，因此良率高、光电性能优越。
图形氮化复合衬底深紫 led 外延结构制备方法

[发明专利]一种盐湖盆地小层烃源岩平面分布预测方法-CN202110976860.9在审
发明人：罗书行;郭丽彬;杜伟;文辉;刘爱武;罗劲;叶青竹;满惠慧 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司江汉油田分公司勘探开发研究院
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： G01V1/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种盐湖盆地小层烃源岩平面分布预测方法，该方法包括以下步骤：1)根据测井资料和录井资料，选取取心井段长并且测井包含有敏感性测井参数数据的单井作为标准井；2)根据研究区单井TOC与测井对应关系，确定与TOC有关的敏感性测井参数；3)拟合TOC与标准井的测井数据的函数关系式；4)根据关系式，通过测井数据计算出研究区其他单井TOC数值；5)利用高精度三维地震数据体，进行单井TOC标准化处理；6)选择井震相关性较高的空间估值样本数，以基于地震波形变化的相控反演计算出TOC三维数据体；7)针对反演出的TOC数据体，求取有效烃源岩总的时间厚度，提取平面有效烃源岩厚度等值线图。本发明方法能有效提高对低井控地区的预测精度。
一种盐湖盆地小层烃源岩平面分布预测方法

[发明专利]深紫外LED外延结构、深紫外LED及制备方法-CN202110002673.0有效
发明人：齐胜利;郭丽彬;周飚;刘亚柱 -专利权人：宁波安芯美半导体有限公司
申请日： 2021-01-04 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明涉及LED技术领域，技术涉及一种深紫外LED外延结构、深紫外LED及其制备方法。所述深紫外LED外延结构的制备方法如下：在衬底上生长深紫外LED外延层至P型AlGaN层，在深紫外LED外延层P型AlGaN层模板的基础上，在上面做图形化SiO2，然后在外延在此基础上生长P型GaN层，把图形化SiO2外延层刻蚀掉，即制得深紫外LED外延结构；然后在刻蚀掉SiO2层的位置镀上Al电极，即制得深紫外LED。图形化SiO2被刻蚀后的位置镀上的Al电极，可有效增加光的反射，增加出光。同时，Al电极附近较薄的P型GaN层可有效减少P型GaN层的吸光，提升UVC产品的发光效率，同时特殊工艺的Al电极，可增加光的反射，增加出光效率，提升器件的光电性能，特别可满足大功率产品的需求。
深紫 led 外延结构制备方法

[发明专利]一种深紫外LED外延结构及其制备方法-CN202111025420.1在审
发明人：丁涛;周飚;郭丽彬;齐胜利 -专利权人：宁波安芯美半导体有限公司
申请日： 2021-09-02 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明提供一种应用于深紫外发光二极管的外延结构及制备方法，具体步骤如下：提供一平片衬底；生长AlN缓冲层；对AlN缓冲层进行等离子体预处理；生长AlN低温层；生长AlN高温层；生长n型AlGaN层；生长AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱有源层；生长Mg掺杂的p型AlGaN层，Mg掺杂的p型AlGaN层和Mg掺杂的p型GaN层。通过等离子体轰击AlN缓冲层表面以在AlN缓冲层铺上一层气体原子，AlN缓冲层所铺上的一层气体原子改变了AlN缓冲层表面的极性，使得后续在AlN缓冲层沉积吸附的AlN的晶体原子排列较为整齐，从而减少了外延层中的晶体缺陷，改善AlN薄膜的晶体质量，减少穿透位错，提升深紫外发光二极管的光电性能。
一种深紫 led 外延结构及其制备方法

[发明专利]一种发光二极管外延结构及发光二极管-CN201811073322.3有效
发明人： 郭丽彬;吴礼清;唐军;齐胜利 -专利权人：宁波安芯美半导体有限公司
申请日： 2018-09-14 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管外延结构，应用于发光二极管技术领域，所述外延结构从下向上的物质依次为：含铝氮化物衬底、第一半导体层、N型半导体层、第一多量子阱结构、第二多量子阱结构、第二P型半导体层、电子阻挡层、第三P型半导体层；其中，所述第二多量子阱结构至少包括：至少两个多量子阱和多量子势垒，所述多量子势垒包含：含铝和镓的第一氮化物，以及含铝的第二氮化物，且所述第二氮化物和所述第一氮化物交替生长。
一种发光二极管外延结构

[发明专利]金属氮化镓复合衬底外延生长方法及发光二极管外延结构-CN201910908504.6有效
发明人： 郭丽彬;唐军 -专利权人：宁波安芯美半导体有限公司
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种金属氮化镓复合衬底外延生长方法，所述生长方法包括，提供一金属氮化镓复合衬底，于所述金属氮化镓复合衬底上形成一低温应力层，于所述低温应力层上形成第一半导体层，于所述第一半导体层上形成有源区量子阱层，于所述有源区量子阱层上形成第二半导体层，其中，所述衬底在生长温度介于700至750℃之间进行退火处理，所述低温应力层在生长温度介于700至850℃之间的条件下进行生长。利用本发明，可有效减少衬底的较大翘曲问题，更有利于应力的释放，显著改善衬底的外延层外观，减少外延层鼓泡、起皮及裂纹的现象，改善晶体质量。
金属氮化复合衬底外延生长方法发光二极管结构

[发明专利]一种深紫外LED外延结构及其制备方法-CN202110002659.0在审
发明人：齐胜利;郭丽彬;刘亚柱 -专利权人：宁波安芯美半导体有限公司
申请日： 2021-01-04 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01L33/24 文献下载
摘要：本发明属于半导体光电子器件技术领域中的深紫外LED外延生长技术，具体涉及一种深紫外LED外延结构及其制备方法。所述深紫外LED外延结构从下而上由衬底、高温AlN层、N型AlGaN层、MQW多量子阱发光层、P型GaN层组成，所述N型AlGaN层上开设有V型状缺陷阵列，MQW多量子阱发光层、P型GaN层在N型AlGaN层上的V型状缺陷上依次继续外延生长。本发明通过在N型AlGaN层刻蚀出V型缺陷，使得MQW在非极性面上生长，释放生长过程中产生的应力，V型缺陷坑使得有源发光区由传统的平面结构变为立体结构，增加了水平的PN结，可控制载流子输运路径，增加复合面积，增加UVCLED的发光面积，提高发光亮度，解决了现有技术中深紫外LED器件的发光效率偏低的问题。
一种深紫 led 外延结构及其制备方法

[发明专利]发光二极管外延结构的制备方法-CN201811510723.0有效
发明人： 郭丽彬;周长健;程斌 -专利权人：宁波安芯美半导体有限公司
申请日： 2018-12-11 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管外延结构的制备方法，所述方法包括，提供一衬底，其中所述衬底上设有第一电极；在所述衬底上形成N型半导体层；在所述N型半导体层上形成发光层；在所述发光层上形成P型半导体层；在所述P型半导体层上形成P型接触层；其中所述P型接触层的生长速率小于0.35um/h，且厚度小于等于并具有镁的掺杂浓度大于等于1.00E+20atoms/cm3。利用本发明，可有效改善器件冷热比性能，提高器件的光电效应，获得光电性能良好的发光二极管。
发光二极管外延结构制备方法

[实用新型]一种便于焊接的光窗支架-CN202020558066.3有效
发明人： 郭丽彬;张永刚 -专利权人：格莱特（天津）光电科技有限公司
申请日： 2020-04-15 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： B23K37/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种便于焊接的光窗支架，包括夹板、伸缩杆和调节座，伸缩杆的两端分别铰接在夹板的一侧和调节座的上端，调节座为凹字形结构，且内部两端通过销轴铰接有副杆，副杆的下端转动连接有两个夹板，该便于焊接的光窗支架，通过伸缩杆两端的夹板设置，从而可以利用夹板一侧的调节螺母转动，从而带动丝杆转动，从而使丝杆在转动时通过往复块带动滑板相对运动，从而改变滑板在夹板一侧的位置，从而做到针对不同尺寸的光窗尺寸，对光窗进行固定，从而利用三个夹板对光窗的两个框边进行夹取固定，完成对光窗的准确定位固定，方便人员焊接安装，有效提高人工手动固定方式造成的加工效率低下以及操作不便的问题。
一种便于焊接支架

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