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[发明专利]一种基于含钒冶金渣的改性酸浸高效回收钒的方法-CN202110325971.3在审
发明人：李建宏;曹成超;高昭伟;黄家全;史政良;邢树欣;李洪明;邵海龙;仲为年;杜梦军;郝文凯 -专利权人：西部矿业股份有限公司;肃北蒙古族自治县西矿钒科技有限公司;西部矿业集团科技发展有限公司
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： C22B34/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于含钒冶金渣的改性酸浸高效回收钒的方法，先将含钒冶金渣在隧道窑中烘干，然后在进入焙烧段在高温条件下焙烧改变含钒冶金渣的化学性质及晶型，彻底分解MgSiO3和MgPO3。之后加入强氧化剂氧化浸出、离子交换、净化除杂、铵化沉钒生产偏钒酸铵产品。用本发明的方法生产偏钒酸铵，含钒冶金渣的浸出率达99％以上。与传统含钒冶金渣的水浸、酸浸及碱浸等工艺相比，含钒冶金渣的浸出率提高了40‑45％。最大限度地提高了含钒冶金渣的钒浸出率、总回收率和资源利用率，解决了含钒冶金渣过滤难且回收成本高，因而具有极高的经济效益和社会效益。
一种基于冶金改性高效回收方法

[发明专利]一种智能广告聚合系统-CN202011563360.4在审
发明人：陈彦城;曹飞;钟仁方;陈坤;程炬豪;王松松;陶冶明;路卿;薛程鸿;郝文凯;陈雄伟;胡泽杰 -专利权人：杭州魔厨科技有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： G06Q30/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种智能广告聚合系统，包括聚合广告SDK、聚合广告管理端；所述聚合广告SDK，用于对获取的多个第三方广告平台的SDK包进行协议映射处理，得到同一标准的多个第三方的SDK包，并对得到的同一标准的多个第三方的SDK包进行封装；所述聚合广告管理端，用于采集开发者平台所需的第三方平台信息，根据采集的信息调用封装好的多个第三方的SDK包接口，并下发开发者平台所需的第三方平台的SDK包。本发明通过将多个第三方的SDK包进行整合，开发者平台调取多家第三方广告平台的数据是只需根据本系统即可调取到，且本系统还可根据开发者的需求定义不同的配比策略，得出一个既有合理流量配比，又有高填充率、高收益的最优方案。
一种智能广告聚合系统

[发明专利]基于单双跳变的低功耗确定性BIST及种子压缩方法-CN201610067190.8有效
发明人：张建伟;丁秋红;吴国强;陈晓明;滕飞;马万里;王政操;郝文凯 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2016-01-30 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： G06F11/27 文献下载
摘要：本发明涉及大规模数字集成电路技术领域，一种基于单双跳变的低功耗确定性BIST及种子压缩方法，一方面，为了降低测试功耗，本发明使用了一种新型的单双跳变单元和ROM存储的控制信号通过单双混合跳变来生成确定性种子，然后利用单跳变重播种技术来生成确定性测试向量。同时，为了减少冗余向量的个数，减少测试时间，本发明还增加了2‑bit减法计数器来约束重播种过程中确定性测试向量生成的个数。另一方面，为了压缩面积开销并生成控制信号，本发明还提出了对应的种子压缩方法，实验结果表明，本发明提出的BIST和种子压缩方法的测试性能，如测试时间、面积开销及测试功耗都有很大程度的降低。
基于单双跳变功耗确定性 bist 种子压缩方法

[发明专利]一种或型级联匹配线结构-CN201510465640.4有效
发明人：张建伟;郑善兴;吴国强;陈晓明;丁秋红;滕飞;马万里;李佳琪;王政操;郝文凯 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2015-08-03 - 公布日： 2017-12-26 - 主分类号： G11C15/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种匹配线结构，一种或型级联匹配线结构，由第一、二…N个单级OR型匹配线电路串联级联组成，所述每个单级OR型匹配线电路中包括比较控制模块、敏感放大器及第1、2…n个TCAM单元，所述比较控制模块与敏感放大器之间通过匹配线ML连接，所述第1、2…n个TCAM单元分别与匹配线ML并联连接，本发明由于大部分搜索操作都在第一级发生失配，无需启动后级搜索操作，且单级匹配线功耗跟TCAM单元数相关性较小，因此整体电路匹配线平均功耗不会因为字电路位数的增加而增加。同时该匹配线结构不需要对搜索线进行复位操作，有利于降低搜索线功耗。
一种级联匹配结构

[发明专利]一种低匹配线电容的TCAM单元-CN201510468136.X有效
发明人：张建伟;郑善兴;吴国强;陈晓明;丁秋红;滕飞;马万里;李佳琪;王政操;郝文凯 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2015-08-03 - 公布日： 2017-12-26 - 主分类号： G11C15/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种TCAM单元，一种低匹配线电容的TCAM单元，包括MOS管MN1、MN2、MN3、MN4、MN5及反相器T1、T2、T3、T4，所述T1输出端与T2输入端相连作为存储数据D端，T1输入端与T2输出端相连作为D#端，MN1栅极与D#端相连，MN2栅极与D端相连；T3输出端与T4输入端相连作为屏蔽位M端，T3输入端与T4输出端相连作为M#端；MN3栅极与M#端相连，源极分别与MN1、MN2漏极相连，MN4栅极与M端相连，源极接地，MN3、MN4漏极相连并与MN5栅极相连，源极接地，漏极与匹配线ML相连。本发明TCAM单元的匹配线等效电容仅为传统NOR型TCAM单元匹配线等效电容的1/4，大大降低了匹配线功耗。另外，由于D和D#互补，避免了两个MOS管之间短路问题的发生。
一种匹配电容 tcam 单元