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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种稳定框架管脚压指结构及方法-CN202211060698.7在审
发明人：颜文;郑海迎;漆燚;徐友生 -专利权人：泸州龙芯微科技有限公司
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种稳定框架的压指结构及方法，本发明技术方案提供的框架管脚稳定压合。对所述框架管脚进行压合时，由于框架管脚压合位置约束，压指在使用过程中出现磨损情况，对现有压指进行改革发明压合方法，由于金属与金属接触时，压指在一定磨损情况下同侧两指并压时会出现共振情况导致transducer在超声输出中会分散所作用的震动频率并且不稳定导致产品发生虚焊导致产品报废，在不改变机构设计的情况下进行压指改革，利用三点定位稳压来代替两指并压情况本发明实施例所述技术方案大大降低了管脚压指压合不良所导致的虚焊的风险程度。
一种稳定框架管脚结构方法

[发明专利]芯片划片后表面清洗装置-CN202210884721.8在审
发明人：黄晓波;罗云红;郑海迎;王安均 -专利权人：泸州龙芯微科技有限公司
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： B08B3/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片划片后表面清洗装置，其特征在于；本装置包括：清洗剂桶、碳酸水供应系统、碳酸水与清洗剂混合系统、高频率磁力泵；清洗剂桶与碳酸水供应系统经碳酸水与清洗剂混合系统混合后输出至芯片处。本发明所述芯片划片后表面清洗装置实施时；碳酸水的水压大于2kg/cm，高频率磁力泵的瞬间压力是大于3kg/cm，把清洗剂压到碳酸水管道，与碳酸水混合，高速冲击下产生大量泡沫水。对芯片加工的危害主要表现；是有微轻度腐蚀性，主要在于控制加入比例，清洗液的浓度变化会影响其清洗性能，清洗剂与碳酸水配比1:5至1:10之间。以清洗效果定论，芯片表面没有硅渣等颗粒或污染变色等。
芯片划片表面清洗装置

[发明专利]双重防误、防撞排料装置-CN202210881057.1在审
发明人：黄晓波;颜文;穆宣;郑海迎 -专利权人：泸州龙芯微科技有限公司
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种双重防误、防撞排料装置；应用于TO220CB/TO263/TO220F半导体功率器件封装生产线塑封工序；防止上料架或上料架盖放置错误造成的设备损坏和产品变形报废。本装置包括：上料架、上料架盖、机械手、检测顶杆弹簧、上料架开通孔、上料架盖开通孔，光电开关，及现有相关协调动作装置。本专利的优点及有益效果体现为：造价低廉，检测杆与光电开关属低成本材料；重力检测加弹簧复位，检测稳定性好，经久耐用；不影响现有装置，方便安装，方便作业员操作。
双重防撞排料装置

[发明专利]一种IGBT的封装方法以及封装结构-CN202210996259.0在审
发明人：罗云红;颜文;郑海迎;王安均 -专利权人：泸州龙芯微科技有限公司
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种IGBT的封装方法以及封装结构，本发明对所述IGBT进行封装时，由于承载基板尺寸约束，直接以焊料单次压模成型，两次芯片填装的封装方式替代原本焊料两次压模成型，两次芯片填装的模式，形成的封装结构的大大提升了封装效率。本发明大大降低了封装结构的风险程度，便于单一电子设备简化性。而且，由于电子设备存在机械误差，单次压模成型可以有效避免设备两次压模成型所带来的机械误差大大提高电子设备的封装速度，有效避免了封装过程中所产生的风险。
一种 igbt 封装方法以及结构

[发明专利]一种全包封功率器件提升绝缘等级的工艺方法-CN202210972204.6在审
发明人：罗云红;黄晓波;郑海迎;王安均 -专利权人：泸州龙芯微科技有限公司
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： B05D5/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种全包封功率器件提升绝缘等级的工艺方法；将绝缘胶水采用高频振射注入到托针孔内进行填充，再经过温度130℃／时间20min的烘烤；等待自然冷却后拿出。热膨胀系数（PPM/℃）60，断裂伸长率（%）3.5，剪切强度（MPa）8，导热系数(W/m℃)0.23，体积导电率（Ω.cm）6.3*105。产品结构上托针孔深度为0.68±0.1mm，最小点胶量高度0.45mm，最大点胶量于产品托针孔面上凸出高度少于0.1mm。产品承受高压AC=3000v或DC=4000V的环境下避免外界产生高压差，因而放电打火。
一种全包封功率器件提升绝缘等级工艺方法

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