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[发明专利]用于检测不同波长的光检测装置-CN202310417801.7在审
发明人：卢彦丞;那允中;陈书履;陈建宇;郑斯璘;林崇致;刘宇轩 -专利权人：光程研创股份有限公司
申请日： 2020-01-06 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：一种光检测装置，包括：第一光检测部件，包括：基板；在该基板中的第一吸收区，该第一吸收区包括具有第一能隙的第一材料；具有第一导电类型的第一掺杂区，其与该第一吸收区相邻且与该基板的表面接触；具有第二导电类型的第二掺杂区，其与该第一吸收区相邻且与该基板的表面接触，其中该第一导电类型不同于该第二导电类型；第一控制端子电耦接至该第一掺杂区；第二控制端子电耦接至该第二掺杂区；以及第二光检测部件，包括：在该第一吸收区上方的第二吸收区，该第二吸收区包括具有第二能隙的第二材料，其中该第二能隙小于该第一能隙，其中该第一掺杂区沿着该第二吸收区的侧壁和底面延伸，以将该第一吸收区和该第二吸收区分开。
用于检测不同波长装置

[发明专利]宽频谱光学传感器-CN202211730294.4有效
发明人：刘汉鼎;那允中;郑斯璘;陈书履;陈慧文;梁哲夫 -专利权人：光程研创股份有限公司
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G01J1/02 文献下载
摘要：本发明涉及“宽频谱光学传感器”，公开了一种光学传感器，包括：半导体基板；形成在半导体基板中的包括收集电子的第一载流子收集区和收集空穴的第二载流子收集区的第一光吸收区，其吸收第一波长范围内的光子并产生光载流子；在第一光吸收区的一部分上的第二光吸收区，其吸收第二波长范围内的光子并产生光载流子；耦合到第一读取电路并向其提供由第一载流子收集区收集的电子的第一读取区；耦合到控制第一载流子收集区和第一读取区之间的载流子传输的第一控制信号的第一栅极；耦合到第二读取电路并向其提供由第二载流子收集区收集的空穴的第二读取区；和耦合到控制第二载流子收集区和第二读取区之间的载流子传输的第二控制信号的第二栅极。
宽频光学传感器

[发明专利]锗-硅光感测设备II-CN201880033744.X有效
发明人：那允中;郑斯璘;陈书履;刘汉鼎;陈慧文;梁哲夫;吕元复;陈建龙;林崇致;朱冠祯 -专利权人：奥特逻科公司
申请日： 2018-04-12 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种光学设备包括：半导体衬底，其由第一材料形成，所述半导体衬底包括第一n掺杂区；以及光电二极管，其由所述半导体衬底支撑，所述光电二极管包括被配置为吸收光子并用所吸收的光子生成光载流子的吸收区，所述吸收区由与所述第一材料不同的第二材料形成并且包括：第一p掺杂区；以及第二n掺杂区，其耦合到所述第一n掺杂区，其中，所述第二n掺杂区的第二掺杂浓度小于或基本上等于所述第一n掺杂区的第一掺杂浓度。
硅光感测设备 ii

[发明专利]宽频谱光学传感器-CN202210396041.1有效
发明人：刘汉鼎;那允中;郑斯璘;陈书履;陈慧文;梁哲夫 -专利权人：光程研创股份有限公司
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G01J1/02 文献下载
摘要：本发明涉及“宽频谱光学传感器”。本发明公开了一种光学传感器，包括：使用第一材料形成的第一二极管，第一二极管包括n掺杂区和p掺杂区；NMOS晶体管，包括：耦合到第一二极管的n掺杂区的源极区；耦合到NMOS栅极控制信号的栅极区；和漏极区。光学传感器还包括使用第二材料形成的第二二极管，第二二极管包括：耦合到第一偏置信号的n掺杂区；和p掺杂区；以及PMOS晶体管，包括：耦合到第一二极管的p掺杂区和第二二极管的p掺杂区的源极区；耦合到PMOS栅极控制信号的栅极区；和漏极区。
宽频光学传感器

[发明专利]高效宽光谱传感器-CN201680051317.5有效
发明人：刘汉鼎;那允中;郑斯璘;陈书履;陈慧文 -专利权人：光程研创股份有限公司
申请日： 2016-07-22 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种光学传感器包括：第一材料层，所述第一材料层包括至少第一材料；第二材料层，所述第二材料层包括与所述第一材料不同的至少第二材料，其中，所述第一材料的材料带隙大于所述第二材料的材料带隙；以及梯度材料层，所述梯度材料层被布置在所述第一材料层与所述第二材料层之间，所述梯度材料层包括至少所述第一材料和所述第二材料的合金，所述合金具有所述第二材料的沿着从所述第一材料到所述第二材料的方向变化的组分。
高效光谱传感器

[发明专利]高速光检测装置-CN202210853713.7在审
发明人：那允中;梁哲夫;陈书履;郑斯璘;刘汉鼎;陈建龙;吕元復;林杰霆;陈柏均;陈慧文;朱书纬;林崇致;朱冠祯 -专利权人：奥特逻科公司
申请日： 2018-04-03 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：本申请涉及高速光检测装置。公开了一种电路，包含：一光检测器，包含一第一读出端子及一第二读出端子，该第二读出端子不同于该第一读出端子；一第一读出电路，耦接于该第一读出端子，并被配置用于输出一第一读出电压；一第二读出电路，耦接于该第二读出端子，并被配置用于输出一第二读出电压；以及一共模模拟数字转换器，包含：一第一输入端子，耦接于一第一电压源；一第二输入端子，耦接于一共模产生器，该共模产生器被配置用于接收该第一读出电压及该第二读出电压并产生一共模电压，该共模电压介于该第一读出电压及该第二读出电压之间；以及一第一输出端子，被配置用于输出对应于该光检测器产生的一电流量的一第一输出信号。
高速检测装置

[发明专利]高速光检测装置-CN201880035981.X有效
发明人：那允中;梁哲夫;陈书履;郑斯璘;刘汉鼎;陈建龙;吕元復;林杰霆;陈柏均;陈慧文;朱书纬;林崇致;朱冠祯 -专利权人：奥特逻科公司
申请日： 2018-04-03 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：一种电路，包含：一光检测器，包含一第一读出端子及一第二读出端子，第二读出端子不同于第一读出端子；一第一读出电路，耦接至第一读出端子，并被配置用于输出一第一读出电压；一第二读出电路，耦接至第二读出端子并被配置用于输出一第二读出电压；以及一共模模拟数字转换器(ADC)，其包含：一第一输入端子，耦接至一第一电压源；一第二输入端子，耦接至一共模产生器，共模产生器被配置用于接收第一读出电压及第二读出电压，并产生在第一读出电压和第二读出电压之间的一共模电压；以及一第一输出端子，被配置用于输出对应于光检测器产生的电流大小的一第一输出信号。
高速检测装置

[发明专利]宽频谱光学传感器-CN201680056263.1有效
发明人：刘汉鼎;那允中;郑斯璘;陈书履;陈慧文;梁哲夫 -专利权人：光程研创股份有限公司
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明题为“宽频谱光学传感器”。本发明公开了一种光学传感器，该光学传感器包括半导体基板；形成在半导体基板中的第一光吸收区，该第一光吸收区被配置用于吸收第一波长范围内的光子并由所吸收的光子产生光载流子；形成在第一光吸收区上的第二光吸收区，所述第二光吸收区被配置用于吸收第二波长范围内的光子并由所吸收的光子产生光载流子；以及耦合到第二光吸收区的传感器控制信号，所述传感器控制信号被配置用于提供至少第一控制电平和第二控制电平。
宽频光学传感器

[发明专利]锗硅感光设备-CN201680051058.6有效
发明人：刘汉鼎;那允中;郑斯璘;陈书履;陈慧文;梁哲夫 -专利权人：光程研创股份有限公司
申请日： 2016-08-04 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明题为“锗硅感光设备”。本发明公开了一种图像传感器阵列，所述图像传感器阵列包括：载体基板；第一组光电二极管，所述第一组光电二极管耦合到所述载体基板，其中所述第一组光电二极管包括第一光电二极管，其中所述第一光电二极管包括半导体层，所述半导体层被配置用于吸收处于可见波长的光子并从所吸收的光子生成光载流子；和第二组光电二极管，所述第二组光电二极管耦合到所述载体基板，其中所述第二组光电二极管包括第二光电二极管，其中所述第二光电二极管包括装配在所述半导体层上的锗硅区，所述锗硅区被配置用于吸收处于红外或近红外波长的光子并从所吸收的光子生成光载流子。
感光设备

[发明专利]光探测装置-CN202111637175.X在审
发明人：陈建宇;那允中;郑斯璘;杨闵杰;刘汉鼎;梁哲夫 -专利权人：奥特逻科公司
申请日： 2019-04-08 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：一种光探测装置，包括衬底、第一吸收层、第一键合结构、第二吸收层、第二键合结构、第一载流子引导单元及第二载流子引导单元。所述第一吸收层在所述衬底上被构造成吸收具有第一峰值波长的光子；所述第一键合结构位于所述衬底与所述第一吸收层之间；所述第二吸收层在所述衬底上被配置用于吸收具有不同于所述第一峰值波长的第二峰值波长的光子；所述第二键合结构位于所述衬底与所述第二吸收层之间；所述第一载流子引导单元与所述衬底集成且电耦合到所述第一吸收层；所述第二载流子引导单元与所述衬底集成且电耦合到所述第二吸收层。
探测装置

[发明专利]光探测装置-CN201980038133.9有效
发明人：陈建宇;那允中;郑斯璘;杨闵杰;刘汉鼎;梁哲夫 -专利权人：奥特逻科公司
申请日： 2019-04-08 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01L31/00 文献下载
摘要：一种光探测装置，包括吸收层，该吸收层被配置为吸收光子并从吸收的光子产生光载流子，其中，该吸收层包括锗。载流子引导单元电耦合到吸收层，其中，载流子引导单元包括具有第一栅极端子的第一开关。
探测装置

[发明专利]光检测装置-CN202110848441.7在审
发明人：陈书履;陈建宇;郑斯璘;那允中;杨闵杰;刘汉鼎;梁哲夫 -专利权人：奥特逻科公司
申请日： 2019-02-22 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L27/148 文献下载
摘要：本发明提供一种光检测装置，该光检测装置包括半导体衬底。第一锗基光吸收材料由半导体衬底支撑并且被配置成吸收具有大于800nm的第一波长的第一光信号。第一金属线被电耦合到第一锗基光吸收材料的第一区。第二金属线被电耦合到第一锗基光吸收材料的第二区。第一区是未掺杂的或被掺杂有第一类型的掺杂剂。第二区被掺杂有第二类型的掺杂剂。第一金属线被配置成控制在第一锗基光吸收材料内部产生以由第二区收集的第一类型的光生载流子的量。
检测装置

[发明专利]光检测装置及其光检测方法-CN201980015012.2有效
发明人：陈书履;陈建宇;郑斯璘;那允中;杨闵杰;刘汉鼎;梁哲夫 -专利权人：奥特逻科公司
申请日： 2019-02-22 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：一种光检测装置包括半导体衬底。第一锗基光吸收材料由半导体衬底支撑并且被配置成吸收具有大于800nm的第一波长的第一光信号。第一金属线被电耦合到第一锗基光吸收材料的第一区。第二金属线被电耦合到第一锗基光吸收材料的第二区。第一区是未掺杂的或被掺杂有第一类型的掺杂剂。第二区被掺杂有第二类型的掺杂剂。第一金属线被配置成控制在第一锗基光吸收材料内部产生以由第二区收集的第一类型的光生载流子的量。
检测装置及其方法

[发明专利]用于检测不同波长的光检测装置-CN202010010144.0在审
发明人：卢彦丞;那允中;陈书履;陈建宇;郑斯璘;林崇致;刘宇轩 -专利权人：光程研创股份有限公司
申请日： 2020-01-06 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：用于检测不同波长的光检测装置包括第一光检测部件，其包括基板；以及第二光检测部件，其包括第二吸收区。基板具有第一吸收区，第一吸收区被配置为吸收具有第一峰值波长的光子并产生第一光载子。第二吸收区由基板支撑并且被配置为吸收具有第二峰值波长的光子并产生第二光载子。第一吸收区和第二吸收区沿垂直方向重叠。
用于检测不同波长装置

[发明专利]波导结构及包含波导结构的光电子元件-CN201911016849.7在审
发明人： 郑斯璘;陈建宇;刘汉鼎;林家鹏;林崇致;那允中;林品佐;吴宗庭;刘宇轩;朱冠祯 -专利权人：光程研创股份有限公司
申请日： 2019-10-24 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：一种波导结构包括第一表面，其具有第一宽度；第二表面，其具有第二宽度，第二表面在第一表面对侧；以及侧壁表面，其连接第一表面和第二表面。第一宽度大于第二宽度。
波导结构包含光电子元件

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