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[发明专利]NMOS管及其制造方法-CN201910986161.5有效
发明人： 郑印呈 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-10-17 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种NMOS管，包括：形成于栅极结构的两侧的P阱中的凹槽；在凹槽中填充有嵌入式外延层，嵌入式外延层包括至少一层梯度式硅磷砷外延层；最底层梯度式硅磷砷外延层和凹槽的底部表面和侧面接触；从凹槽的底部表面往上以及从侧面往内的方向上，梯度式硅磷砷外延层的磷掺杂浓度逐渐增加以及砷掺杂浓度逐渐降低，梯度式硅磷砷外延层中的磷和砷的掺杂浓度的梯度变化形成降低磷向外扩散的结构。本发明还公开了一种NMOS管的制造方法。本发明能有效降低嵌入式外延层的磷外扩，提高嵌入式外延层的张应力，提高器件的性能。
nmos 及其制造方法

[发明专利]凹槽的形成方法以及在位形成凹槽和填充外延层的方法-CN202011056640.6在审
发明人：王耀增;郑印呈;聂望欣;涂火金;刘厥扬;胡展源 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种凹槽的形成方法，包括步骤：步骤一、对硅衬底进行采用干法刻蚀工艺的第一次刻蚀形成呈U型或球型的凹槽；步骤二、在外延工艺腔中采用HCl和GeH4两种反应气体对凹槽进行第二次刻蚀使凹槽呈钻石型。本发明还公开了一种在位形成凹槽和填充外延层的方法。本发明能在外延工艺腔中对U型或球型进行反应气体的刻蚀形成钻石型凹槽，有利于在位实现凹槽的刻蚀和外延填充工艺，从而能减少嵌入式外延层的工艺环中的工艺步骤，并进而减少由工艺步骤所产生的缺陷。
凹槽形成方法以及在位填充外延

[发明专利]具有锗硅源漏的PMOS管的制造方法-CN201811255916.6有效
发明人：王耀增;郑印呈 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2018-10-26 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有锗硅源漏的PMOS管的制造方法，包括步骤：步骤一、提供形成有PMOS管对应的栅极结构的硅衬底，各PMOS管至少具有两种间距结构；步骤二、在各PMOS管的栅极结构两侧形成嵌入式锗硅外延层，包括分步骤：步骤21、统计所述PMOS管所具有的间距值；步骤22、对每一种间距值设计一个光罩；步骤23、依次采用对应的光罩形成对应的光刻胶图形，在对应的光刻胶图形的定义下形成和间距值相对应的栅极结构两侧的凹槽，在凹槽中填充锗硅外延层，使最后形成的各种嵌入式锗硅外延层的顶部表面位置趋于相同。本发明能改善PMOS管的间距不同对应的锗硅外延生长的负载效应，提高较大间距的PMOS管的效能。
具有锗硅源漏 pmos 制造方法

[发明专利]锗硅外延制造方法-CN201810330070.1在审
发明人： 郑印呈 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2018-04-13 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种锗硅外延制造方法，包括以下步骤：SiCoNi刻蚀去除氧化层；利用氢气去除碳；锗硅外延制造；制造保护层使保护层完全覆盖锗硅外延结节；按保护层的厚度整体刻蚀去除保护层；淀积硅覆盖层。本发明的锗硅外延制造方法能避免由于锗硅锗硅外延结节造成的器件击穿电压降低，进而提高器件的性能。
锗硅外延保护层制造结节刻蚀去除器件击穿电压硅覆盖层氢气去除氧化层淀积锗硅