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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]遮蔽栅极式沟槽晶体管-CN202120521945.3有效
发明人： 郑事展 -专利权人：力智电子（深圳）有限公司
申请日： 2021-03-12 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种遮蔽栅极式沟槽晶体管，包括具有沟槽的衬底、设置于沟槽下部的下部电极、设置于沟槽上部的上部电极、以及层间绝缘层，上部电极的上表面通过化学机械研磨工艺形成，使上部电极具有平整的上表面，层间绝缘层通过化学气相沉积工艺形成，使所述层间绝缘层具有平整的上表面。层间绝缘层通过化学气相沉积工艺形成，使得层间绝缘层较现有技术的厚且具有平整的上表面，由于上部电极的下表面形成在层间绝缘层的上表面，连带使得上部电极的下面变得平整；上部电极形成后，其上表面通过化学机械研磨，使上部电极回蚀工艺能平均蚀刻，使得上部电极具有平整的上表面；改良后的上部电极具有平整的上表面及下表面，从而达到提升产品可靠度的功效。
遮蔽栅极沟槽晶体管

[实用新型]遮蔽栅极式沟槽晶体管-CN202120533225.9有效
发明人： 郑事展 -专利权人：力智电子（深圳）有限公司
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种遮蔽栅极式沟槽晶体管，包括衬底、终端电极、金属层、第一接触栓及第二接触栓。衬底具有主动沟槽、围绕主动沟槽设置的第一终端沟槽及至少一条第二终端沟槽，第一终端沟槽设置于主动沟槽与第二终端沟槽之间；终端电极设置于第一及第二终端沟槽内；金属层设置于衬底的上表面；第一接触栓电性连接金属层与第一终端沟槽中的终端电极；第二接触栓电性连接金属层与第二终端沟槽中的终端电极，第二接触栓的俯视长度大于第一接触栓的俯视长度。本实用新型终端沟槽通过长条型接触栓与源金属层电性连接，可以改善终端区的隔离效果，提高组件边缘的崩溃电压，同时可使组件终端区具有较平均的电场分布，以提高组件的可靠性。
遮蔽栅极沟槽晶体管

[实用新型]遮蔽栅极式沟槽晶体管-CN202120550182.5有效
发明人： 郑事展 -专利权人：力智电子（深圳）有限公司
申请日： 2021-03-17 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种遮蔽栅极式沟槽晶体管，包括衬底，衬底定义有主动区与终端区，终端区围绕主动区。主动区具有多个第一主动沟槽及多个第二主动沟槽，彼此平行设置在主动区中，第一主动沟槽与第二主动沟槽彼此间隔设置。终端区具有第一终端沟槽及第二终端沟槽，第一终端沟槽与第一及第二主动沟槽平行设置，第二终端沟槽具有多个弧形外观，连接第一终端沟槽的端部与多个第一主动沟槽的端部。本实用新型的终端沟槽可使该处的电场分布平均，以提高元件该处的崩溃电压(BVD)。
遮蔽栅极沟槽晶体管

[实用新型]遮蔽栅极式沟槽晶体管-CN202120514417.5有效
发明人： 郑事展 -专利权人：力智电子（深圳）有限公司
申请日： 2021-03-11 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种遮蔽栅极式沟槽晶体管，包括：衬底，其包括终端区及主动区，所述终端区围绕所述主动区；主动区包括具有第一延伸方向的第一主动沟槽和具有第二延伸方向的第二主动沟槽，第一延伸方向与第二延伸方向不同。本实用新型在衬底上设计两种朝向的沟槽，解决衬底应力集中而导致晶片翘曲的问题。
遮蔽栅极沟槽晶体管

[实用新型]遮蔽栅极式沟槽晶体管-CN202120519625.4有效
发明人： 郑事展 -专利权人：力智电子（深圳）有限公司
申请日： 2021-03-11 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种遮蔽栅极式沟槽晶体管包括衬底、下部电极、上部电极以及层间绝缘层，衬底具有沟槽；下部电极设置于沟槽的下部；上部电极设置于沟槽的上部；层间绝缘层设置于下部电极与上部电极之间，层间绝缘层由高密度电浆工艺及化学气相沉积工艺形成，使层间绝缘层具有平整的上表面。由于层间绝缘层由高密度电浆化学气相沉积形成，使得层间绝缘层较现有技术的层间绝缘层厚且具有平整的上表面，厚且平整的层间绝缘层可消除不平整且厚度不均带来的问题，可改善组件可靠度；同时厚的层间绝缘层因为拉大了上下电极的距离，可以改善组件的寄生电容。
遮蔽栅极沟槽晶体管

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