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- [实用新型]LDO电路-CN202222109878.1有效
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高金哲;邓小东;郑中万;张宗楠
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四川和芯微电子股份有限公司
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2022-08-11
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2022-11-18
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G05F1/56
- 本实用新型提供了一种LDO电路，包括运算放大器与电源抑制比子电路，其中，电源抑制比子电路包括叠加功率管模块与反馈回路模块，叠加功率管模块使电源纹波产生分流，以减少电源纹波的输出，反馈回路模块用以为运算放大器的输入端提供稳定的电压；叠加功率管模块包括第十一晶体管与第十二晶体管，第十一晶体管的源极与外部电源连接，其栅极与运算放大器连接，第十一晶体管的漏极与第十二晶体管的源极连接，其漏极与反馈回路模块连接，外部一偏置电压输入第十二晶体管的栅极。本实用新型的LDO电路不仅提高了电路的环路增益，而且大大提高了电路的电源抑制比，进一步提高了整个LDO电路的工作性能，保证了其工作效率。
- ldo电路
- [发明专利]LDO电路-CN202210961661.5在审
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高金哲;邓小东;郑中万;张宗楠
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四川和芯微电子股份有限公司
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2022-08-11
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2022-09-23
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G05F1/56
- 本发明提供了一种LDO电路，包括运算放大器与电源抑制比子电路，其中，电源抑制比子电路包括叠加功率管模块与反馈回路模块，叠加功率管模块使电源纹波产生分流，以减少电源纹波的输出，反馈回路模块用以为运算放大器的输入端提供稳定的电压；叠加功率管模块包括第十一晶体管与第十二晶体管，第十一晶体管的源极与外部电源连接，其栅极与运算放大器连接，第十一晶体管的漏极与第十二晶体管的源极连接，其漏极与反馈回路模块连接，外部一偏置电压输入第十二晶体管的栅极。本发明的LDO电路不仅提高了电路的环路增益，而且大大提高了电路的电源抑制比，进一步提高了整个LDO电路的工作性能，保证了其工作效率。
- ldo电路
- [发明专利]一种太赫兹波导无源器件的制造方法-CN201510166280.8有效
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胡江;郑中万;张勇;刘双;周扬帆
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电子科技大学
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2015-04-10
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2017-08-25
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H01P11/00
- 本发明提供了一种太赫兹波导无源器件的制造方法，包括以下步骤S1、备片；S2、热氧化；S3、脱水烘加打底膜；S4、涂光刻胶；S5、将光刻胶中的溶剂含量降低到4％～7％；S6、将光刻掩膜版与硅晶圆对准；S7、采用扫描步进投影曝光；S8、中烘；S9、用显影液溶解掉曝光区域的光刻胶；S10、完全蒸发光刻胶的溶剂；S11、镜检；S12、对光刻掩模版并未覆盖的硅晶圆部分进行深反应离子刻蚀；S13、去胶；S14、金属化；S15、将两片硅晶圆进行键合；S16、切割波导无源器件单元；S17、端面金属化。本发明制造的器件具有工作频率高、介电损耗和辐射损耗小、易于制造和通用性强等优点。
- 一种赫兹波导无源器件制造方法
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