专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种耐高温有机突触光电晶体管及其制备方法-CN202310867208.2在审
  • 黄佳;郭子亿;张钧尧;邹义东 - 同济大学
  • 2023-07-14 - 2023-10-20 - H10K85/10
  • 本发明提供了一种耐高温有机突触光电晶体管,包括:基底、栅电极、绝缘层、有源层以及源漏电极,其中,有源层的材料为热稳定的半导体聚合物共混物。本发明还提供了一种耐高温有机突触光电晶体管的制备方法,包括以下步骤:步骤S1,制作基底;步骤S2,在基底上制备栅电极;步骤S3,在栅电极上通过磁控溅射、原子力沉积、蒸镀或旋涂的方法制备绝缘层;步骤S4,使用热稳定的半导体聚合物共混物在绝缘层上通过旋涂、提拉或打印的方法制备有源层;步骤S5,在有源层上通过磁控溅射、蒸镀或滴涂的方法制备源漏电极后,制备得到耐高温有机突触光电晶体管。本发明提供的耐高温有机突触光电晶体管能够在25℃‑200℃的温度范围内实现光信号对类突触行为的调控。
  • 一种耐高温有机突触光电晶体管及其制备方法

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