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[发明专利]宽谱白光LED的量子点有源区结构及其外延生长方法-CN200410009267.3无效
发明人：罗毅;邵嘉平;韩彦军;孙长征;郝智彪 -专利权人：清华大学
申请日： 2004-06-25 - 公布日： 2005-03-16 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种宽谱白光LED的量子点有源区结构及其外延生长方法，基于氮化镓III/V族化合物半导体功率型发光二极管、应用全固态照明光源的有源区内含铟镓氮－镓氮或铟镓氮－铟镓氮量子点结构的白光功率型宽谱发光二极管LED材料的金属有机化学气相沉积外延生长方法和相关的有源区结构设计。提供了几种基于InGaN量子点有源区的新型器件结构设计，并给出了外延条件的核心生长参数如反应源流量大小、V/III比、衬底温度等。本发明能实现不含荧光转换、高显色指数、高亮度的GaN基白光LED照明需求。同时，本发明技术也适用于(CdSe)ZnS/ZnSe、(Zn，Cd)Se/ZnSe、(Zn，Cd，Hg)(Se，Te)/ZnSe、(Zn，Cd，Hg)(Se，Te)/ZnS等II/VI族化合物半导体内含量子点的宽谱功率型发光二极管材料外延生长，其外延生长的主要优化方法与III/V族InGaN量子点外延生长的相同。
白光 led 量子有源结构及其外延生长方法

[发明专利]一种氮化镓材料的干法刻蚀方法-CN03157390.8无效
发明人：罗毅;韩彦军;薛松;胡卉;郭文平;邵嘉平;孙长征;郝智彪 -专利权人：清华大学
申请日： 2003-09-19 - 公布日： 2004-04-21 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了属于氮化镓材料刻蚀技术领域的一种氮化镓材料的干法刻蚀方法，其特征是通过含有氯气，氮气，氧气Cl₂/N₂/O₂这三种气体混合而形成的反应气体生成的等离子体而进行刻蚀，可获得高的刻蚀选择比和高的GaN的刻蚀速率。混合气体也可为Cl₂/He/O₂或Cl₂/Ne/O₂或Cl₂/N₂O/O₂。由于本发明在干法刻蚀氮化镓材料系中利用了三种气体组合做为反应气体，既可获得高的刻蚀选择比，又可获得高的GaN的刻蚀速率。同时可获得无残渣，无刻痕光滑的刻蚀表面。通过调节氧气在这三种混合气体中的相对含量，即可调节选择性刻蚀比和刻蚀速率，实验结果表明，对GaN和Al_0.28Ga_0.72N的选择性刻蚀比为60∶1，对GaN的刻蚀速率达到320nm/min。
一种氮化材料刻蚀方法