“那允中”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果50个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]用于检测不同波长的光检测装置-CN202310417801.7在审
发明人：卢彦丞;那允中;陈书履;陈建宇;郑斯璘;林崇致;刘宇轩 -专利权人：光程研创股份有限公司
申请日： 2020-01-06 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：一种光检测装置，包括：第一光检测部件，包括：基板；在该基板中的第一吸收区，该第一吸收区包括具有第一能隙的第一材料；具有第一导电类型的第一掺杂区，其与该第一吸收区相邻且与该基板的表面接触；具有第二导电类型的第二掺杂区，其与该第一吸收区相邻且与该基板的表面接触，其中该第一导电类型不同于该第二导电类型；第一控制端子电耦接至该第一掺杂区；第二控制端子电耦接至该第二掺杂区；以及第二光检测部件，包括：在该第一吸收区上方的第二吸收区，该第二吸收区包括具有第二能隙的第二材料，其中该第二能隙小于该第一能隙，其中该第一掺杂区沿着该第二吸收区的侧壁和底面延伸，以将该第一吸收区和该第二吸收区分开。
用于检测不同波长装置

[发明专利]宽频谱光学传感器-CN202211730294.4有效
发明人：刘汉鼎;那允中;郑斯璘;陈书履;陈慧文;梁哲夫 -专利权人：光程研创股份有限公司
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G01J1/02 文献下载
摘要：本发明涉及“宽频谱光学传感器”，公开了一种光学传感器，包括：半导体基板；形成在半导体基板中的包括收集电子的第一载流子收集区和收集空穴的第二载流子收集区的第一光吸收区，其吸收第一波长范围内的光子并产生光载流子；在第一光吸收区的一部分上的第二光吸收区，其吸收第二波长范围内的光子并产生光载流子；耦合到第一读取电路并向其提供由第一载流子收集区收集的电子的第一读取区；耦合到控制第一载流子收集区和第一读取区之间的载流子传输的第一控制信号的第一栅极；耦合到第二读取电路并向其提供由第二载流子收集区收集的空穴的第二读取区；和耦合到控制第二载流子收集区和第二读取区之间的载流子传输的第二控制信号的第二栅极。
宽频光学传感器

[发明专利]具有低暗电流的光侦测装置-CN202310473507.8在审
发明人：卢彦丞;那允中 -专利权人：光程研创股份有限公司
申请日： 2020-08-27 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L31/0288 文献下载
摘要：本申请涉及一种具有低暗电流的光侦测装置。光侦测装置包含一光侦测组件，光侦测组件包含：一基底，包含一导通区；一吸收区，接触导通区，且配置以接收一光信号于接收光信号后产生多个光载子。其中，吸收区掺杂具有一第一导电类型及一第一峰值掺杂浓度的一第一掺杂物；导通区掺杂具有一第二导电类型及一第二峰值掺杂浓度的一第二掺杂物；导通区包含与吸收区的一材料不同的一材料；导通区与吸收区接触以形成至少一异质界面；吸收区的第一峰值掺杂浓度与导通区的第二峰值掺杂浓度间的一比例等于或大于10；基底包含多个第一接触区；吸收区包含一第二接触区；基底包含多个第三接触区；多个第三接触区及多个第一接触区是一交错状的排列。
具有电流侦测装置

[发明专利]成像系统和操作成像系统的方法-CN202310303755.8在审
发明人： 那允中;梁哲夫 -专利权人：光程研创股份有限公司
申请日： 2016-11-04 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种成像系统和操作成像系统的方法。成像系统包括：发射器单元，包括一种或多种光源；接收器单元，包括：包括装配在硅半导体基板上的多个像素的图像传感器。每个像素包括：耦合硅半导体基板的吸收层，吸收层中的锗含量范围介于10％到100％；一个或多个第一开关，装配在吸收层及硅半导体基板的任一种或两者的组合，用以接收在吸收层或硅半导体基板的第一控制信号并通过吸收层或硅半导体基板输出由吸收的光子产生的电子或空穴给第一读出电路；一个或多个第二开关，装配在吸收层及硅半导体基板的任一种或两者的组合，用以接收在吸收层或硅半导体基板的第二控制信号并通过吸收层或硅半导体基板输出由吸收的光子产生的电子或空穴给第二读出电路。
成像系统操作方法

[发明专利]锗-硅光感测设备II-CN201880033744.X有效
发明人： 那允中;郑斯璘;陈书履;刘汉鼎;陈慧文;梁哲夫;吕元复;陈建龙;林崇致;朱冠祯 -专利权人：奥特逻科公司
申请日： 2018-04-12 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种光学设备包括：半导体衬底，其由第一材料形成，所述半导体衬底包括第一n掺杂区；以及光电二极管，其由所述半导体衬底支撑，所述光电二极管包括被配置为吸收光子并用所吸收的光子生成光载流子的吸收区，所述吸收区由与所述第一材料不同的第二材料形成并且包括：第一p掺杂区；以及第二n掺杂区，其耦合到所述第一n掺杂区，其中，所述第二n掺杂区的第二掺杂浓度小于或基本上等于所述第一n掺杂区的第一掺杂浓度。
硅光感测设备 ii

[发明专利]具有低暗电流的光侦测装置-CN202080060687.1有效
发明人：卢彦丞;那允中 -专利权人：光程研创股份有限公司
申请日： 2020-08-27 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请提供一光侦测装置。光侦测装置包含：具有一第一表面的一载子导通层；一吸收区，其掺杂具有第一导电类型及第一峰值掺杂浓度的第一掺杂物，载子导通层掺杂具有第二导电类型及第二峰值掺杂浓度的第二掺杂物，载子导通层包含与吸收区的材料不同的材料，载子导通层与吸收区接触以形成至少一异质界面，吸收区的第一峰值掺杂浓度与载子导通层的第二峰值掺杂浓度间的比例等于或大于10；及都形成于载子导通层的第一表面之上的第一电极与第二电极。
具有电流侦测装置

[发明专利]高速感光设备-CN201680060746.9有效
发明人： 那允中;梁哲夫 -专利权人：光程研创股份有限公司
申请日： 2016-11-04 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种设备，所述设备包括半导体基板；吸收层，所述吸收层耦合到所述半导体基板，所述吸收层包括被配置用于吸收光子并且从所述吸收的光子产生光载流子的光电二极管区域；一个或多个第一开关，所述一个或多个第一开关由第一控制信号控制，所述一个或多个第一开关被配置用于基于所述第一控制信号收集所述光载流子的至少一部分；以及一个或多个第二开关，所述一个或多个第二开关由第二控制信号控制，所述一个或多个第二开关被配置用于基于所述第二控制信号收集光载流子的至少一部分，其中所述第二控制信号不同于所述第一控制信号。
高速感光设备

[发明专利]宽频谱光学传感器-CN202210396041.1有效
发明人：刘汉鼎;那允中;郑斯璘;陈书履;陈慧文;梁哲夫 -专利权人：光程研创股份有限公司
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G01J1/02 文献下载
摘要：本发明涉及“宽频谱光学传感器”。本发明公开了一种光学传感器，包括：使用第一材料形成的第一二极管，第一二极管包括n掺杂区和p掺杂区；NMOS晶体管，包括：耦合到第一二极管的n掺杂区的源极区；耦合到NMOS栅极控制信号的栅极区；和漏极区。光学传感器还包括使用第二材料形成的第二二极管，第二二极管包括：耦合到第一偏置信号的n掺杂区；和p掺杂区；以及PMOS晶体管，包括：耦合到第一二极管的p掺杂区和第二二极管的p掺杂区的源极区；耦合到PMOS栅极控制信号的栅极区；和漏极区。
宽频光学传感器

[发明专利]光学传感装置-CN202210466227.X在审
发明人：卢彦丞;刘宇轩;江荣进;那允中 -专利权人：光程研创股份有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本申请提供一种光学传感装置。光学传感装置包括：一基板，包括一第一材料；一吸收区，包括一不同于第一材料的第二材料，吸收区是配置成接收一光学信号并响应接收光学信号而生成光载子；一倍增区，形成在基板中，且是配置成从吸收区收集至少一部分的光载子并倍增部分的光载子；一掩埋掺杂区，形成在基板内且与吸收区分离，其中掩埋掺杂区是配置成从倍增区收集至少一部分的倍增后的光载子；以及一缓冲层，形成在掩埋掺杂区与吸收区之间，其中缓冲层是本征层，且厚度不小于150nm。
光学传感装置

[发明专利]光侦测装置-CN202210268949.4在审
发明人： 那允中 -专利权人：光程研创股份有限公司
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本申请提供一种光侦测装置。于一态样，光侦测装置包括一基底、受基底支撑且配置成接收一光学信号并响应光学信号而生成光载子的一吸收区、以及包括第一组和第二组的多组开关。基底包括一第一材料，且吸收区包括一第二材料。吸收区设置在第一组与第二组开关之间。每组开关个别包括一控制区和一读出区。多组开关的控制区是配置成接收一控制信号，且多组开关的个别读出区是配置成提供一或多个电性信号，一或多个代表第一集合信息的电性信号，用于取得与该光学信号相关的飞时信息。
侦测装置

[发明专利]光侦测装置及其成像系统-CN202210286732.6在审
发明人： 那允中;陈建宇;杨闵杰;江荣进;卢彦丞 -专利权人：光程研创股份有限公司
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： G01J1/42 文献下载
摘要：本申请提供一种光侦测装置及其成像系统。于一态样中，一种光侦测装置包括：一像素，其吸收区配置成接收一光学信号，并响应光学信号而生成光载子；一支撑吸收区的基底；以及至少一个形成在基底中的附加区。吸收区包括一第一材料，基底包括一不同于第一材料的第二材料，至少一附加区包括一不同于第二材料的第三材料。吸收区与至少一附加区的总面积至少是像素面积的20％。
侦测装置及其成像系统

[发明专利]高效宽光谱传感器-CN201680051317.5有效
发明人：刘汉鼎;那允中;郑斯璘;陈书履;陈慧文 -专利权人：光程研创股份有限公司
申请日： 2016-07-22 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种光学传感器包括：第一材料层，所述第一材料层包括至少第一材料；第二材料层，所述第二材料层包括与所述第一材料不同的至少第二材料，其中，所述第一材料的材料带隙大于所述第二材料的材料带隙；以及梯度材料层，所述梯度材料层被布置在所述第一材料层与所述第二材料层之间，所述梯度材料层包括至少所述第一材料和所述第二材料的合金，所述合金具有所述第二材料的沿着从所述第一材料到所述第二材料的方向变化的组分。
高效光谱传感器

[发明专利]高速光检测装置-CN202210853713.7在审
发明人： 那允中;梁哲夫;陈书履;郑斯璘;刘汉鼎;陈建龙;吕元復;林杰霆;陈柏均;陈慧文;朱书纬;林崇致;朱冠祯 -专利权人：奥特逻科公司
申请日： 2018-04-03 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：本申请涉及高速光检测装置。公开了一种电路，包含：一光检测器，包含一第一读出端子及一第二读出端子，该第二读出端子不同于该第一读出端子；一第一读出电路，耦接于该第一读出端子，并被配置用于输出一第一读出电压；一第二读出电路，耦接于该第二读出端子，并被配置用于输出一第二读出电压；以及一共模模拟数字转换器，包含：一第一输入端子，耦接于一第一电压源；一第二输入端子，耦接于一共模产生器，该共模产生器被配置用于接收该第一读出电压及该第二读出电压并产生一共模电压，该共模电压介于该第一读出电压及该第二读出电压之间；以及一第一输出端子，被配置用于输出对应于该光检测器产生的一电流量的一第一输出信号。
高速检测装置

[发明专利]高速光检测装置-CN201880035981.X有效
发明人： 那允中;梁哲夫;陈书履;郑斯璘;刘汉鼎;陈建龙;吕元復;林杰霆;陈柏均;陈慧文;朱书纬;林崇致;朱冠祯 -专利权人：奥特逻科公司
申请日： 2018-04-03 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：一种电路，包含：一光检测器，包含一第一读出端子及一第二读出端子，第二读出端子不同于第一读出端子；一第一读出电路，耦接至第一读出端子，并被配置用于输出一第一读出电压；一第二读出电路，耦接至第二读出端子并被配置用于输出一第二读出电压；以及一共模模拟数字转换器(ADC)，其包含：一第一输入端子，耦接至一第一电压源；一第二输入端子，耦接至一共模产生器，共模产生器被配置用于接收第一读出电压及第二读出电压，并产生在第一读出电压和第二读出电压之间的一共模电压；以及一第一输出端子，被配置用于输出对应于光检测器产生的电流大小的一第一输出信号。
高速检测装置

[发明专利]宽频谱光学传感器-CN201680056263.1有效
发明人：刘汉鼎;那允中;郑斯璘;陈书履;陈慧文;梁哲夫 -专利权人：光程研创股份有限公司
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明题为“宽频谱光学传感器”。本发明公开了一种光学传感器，该光学传感器包括半导体基板；形成在半导体基板中的第一光吸收区，该第一光吸收区被配置用于吸收第一波长范围内的光子并由所吸收的光子产生光载流子；形成在第一光吸收区上的第二光吸收区，所述第二光吸收区被配置用于吸收第二波长范围内的光子并由所吸收的光子产生光载流子；以及耦合到第二光吸收区的传感器控制信号，所述传感器控制信号被配置用于提供至少第一控制电平和第二控制电平。
宽频光学传感器

1
2
3
4
下一页»
尾页
共 50 条