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[发明专利]等离子显示屏的介质保护膜及其制备方法和等离子显示屏-CN201110459371.2无效
发明人：罗向辉;邢芳丽 -专利权人：四川虹欧显示器件有限公司
申请日： 2011-12-31 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： H01J11/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种等离子显示屏的介质保护膜，其制备方法及含有其的等离子显示屏。该介质保护膜包括：氧化镁层；以及设置在氧化镁层上表面的绝缘氧化物层，绝缘氧化物层的材料选自由SiO₂、TiO₂、ZnO、BaTiO₃和Al₂O₃组成的组中的一种或多种。根据本发明的介质保护膜，氧化镁层处在底层，绝缘氧化物层处在顶层，绝缘氧化物层保护氧化镁层在后续的加工工序中暴露在空气中时不被污染，增强了氧化镁保护膜的稳定性，而且在放电的过程中由于绝缘氧化物的厚度很薄，耐溅射能力差，会很快的被溅射掉，继而下层的氧化镁开始发挥其作用，降低了等离子显示屏的放电电压，提高了其发光效率。
等离子显示屏介质保护膜及其制备方法

[发明专利]等离子显示器的介质保护膜及其制备方法和等离子显示器-CN201110460307.6无效
发明人：罗向辉;邢芳丽 -专利权人：四川虹欧显示器件有限公司
申请日： 2011-12-31 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种等离子显示器的介质保护膜，其制作方法以及包括该介质保护膜的等离子显示器。该制作方法是在介质保护膜的制作过程中采用间歇式通氧工艺，从而得到了具有多层氧化镁层的介质保护膜。根据本发明的制作方法，工艺过程简单，只需在现有设备上加装控制氧气流量和通气时间的系统即可，可以在基本上不改变设备结构的基础上实现，工艺设备的改造投入少。通过本发明提供的方法所得到的介质保护膜具有多层氧化镁层，通氧条件下形成的氧化镁层结晶度较高，无氧条件下形成的氧化镁层较致密，使得含有其的等离子显示器能够在较低的电压下获得较高的发光效率。
等离子显示器介质保护膜及其制备方法

[发明专利]气体放电复合介质保护层和包括其的等离子显示屏-CN201310131280.5无效
发明人：严群;山田新二;邢芳丽;卢正险;陈立国;唐翠珍;薛道齐;刘君民;刘辉 -专利权人：四川虹欧显示器件有限公司
申请日： 2013-04-16 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： H01J11/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种气体放电复合介质保护层和包括其的等离子显示屏。本发明属于气体放电器件领域，特别是一种气体放电介质保护层和包括其的等离子显示屏。该气体放电复合介质保护层包含基础层（2）和形成在基础层（2）上的电子发射层（3）。本发明的有益效果在于：所述基础层（2）是以MgO为主体掺杂Ca形成的CMO膜，其中的CaO所占质量百分比为8%-20%能避免形成严重放电不均匀带来的斑纹问题，所述电子发射层（3）在基础层（2）表面的覆盖率为10%-50%，可避免气体放电器件放电电压升高的问题。包括气体放电复合介质保护层的等离子显示屏具有较低的电压、较高的光效，以及更优的放电均匀性。
气体放电复合介质保护层包括等离子显示屏

[发明专利]等离子显示屏的介质保护膜及其制作方法和含有其的等离子显示屏-CN201110455920.9有效
发明人： 邢芳丽;罗向辉 -专利权人：四川虹欧显示器件有限公司
申请日： 2011-12-30 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： H01J11/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种等离子显示屏的介质保护膜及其制作方法和含有其的等离子显示屏。该制作方法包括以下步骤：1)在介质层上布置晶种层；2)在晶种层上形成介质保护膜。根据本发明的制作方法工艺过程简单，采用现有设备即可实施，而且，得到的介质保护膜的晶粒较大、结晶度更高，含有其的等离子显示屏具有更低的放电电压。
等离子显示屏介质保护膜及其制作方法含有

[发明专利]等离子显示屏的介质保护膜及其制作方法和含有其的等离子显示屏-CN201110456495.5无效
发明人： 邢芳丽;罗向辉 -专利权人：四川虹欧显示器件有限公司
申请日： 2011-12-31 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： H01J9/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种等离子显示屏的介质保护膜及其制作方法和含有其的等离子显示屏。本发明提供的制作方法包括以下步骤：1)在介质层上制备介质保护层；2)在介质保护层上形成晶粒层，介质保护层和晶粒层形成介质保护膜。根据本发明的制作方法并不改变原来的等离子显示屏的制作工艺，只是在介质保护层上增加了一层晶粒层，工艺过程简单，按照现有设备即可实施，介质保护层和晶粒层组成具有双层结构的介质保护膜，而且，由于晶粒层的晶粒具有高的二次电子发射系数，应用到等离子显示屏上，降低了等离子显示屏的放电电压。
等离子显示屏介质保护膜及其制作方法含有

[发明专利]气体放电器件介质保护膜、其成膜材料及包括其的等离子显示屏-CN201110418397.2无效
发明人：严群;邢芳丽;张鑫 -专利权人：四川虹欧显示器件有限公司
申请日： 2011-12-14 - 公布日： 2012-06-13 - 主分类号： H01J11/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种气体放电器件介质保护膜、其成膜材料及包括其的等离子显示屏。该成膜材料由MgO和掺杂物质MO组成，其中，掺杂元素M与Mg元素的摩尔比为x∶(1-x)，0.05≤x≤0.5，掺杂元素的离子半径与Mg2+半径相当。本发明中的介质保护膜，由于MgO中掺入离子半径与Mg2+半径相当的掺杂元素，提高了表面价带能级上限，使禁带宽度变窄，从而使得包括该介质保护膜的气体放电器件放电单元中的Xe离子的二次电子发射系数提高，达到了降低高Xe含量放电气体下PDP屏着火电压的目的，从而降低了PDP屏的功耗，提高了其亮度和光效。
气体放电器件介质保护膜材料包括等离子显示屏

[发明专利]等离子显示屏的封接方法-CN201110418656.1有效
发明人：严群;邢芳丽;卢正险;陈立国 -专利权人：四川虹欧显示器件有限公司
申请日： 2011-12-14 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01J9/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子显示屏的封接方法。该封接方法包括以下步骤：提供上基板和下基板；将上基板与下基板叠置在一起放入封排炉，其中上基板或下基板的边缘涂覆有低熔点玻璃作为封接材料，经过第一升温、第一次保温、第二次升温、第二次保温、第一次降温、第三次保温及第二降温步骤完成等离子显示屏的封接，第一次保温的温度高于低熔点玻璃的软化点，在温度升至低熔点玻璃的软化点至第二次保温起始点之间任意时间点开始抽气，以排出上基板与下基板形成的放电单元中的杂质气体。应用本发明的技术方案，减少了保护膜与屏内的杂质气体接触并发生反应而变质的时间，有利于等离子显示屏放电电压和光效等性能的提高。
等离子显示屏方法