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[发明专利]一种太阳能电池及其制备方法-CN202111256035.8有效
发明人： 邓明璋;徐文州;何宇;陈浩;周凡;吴伟梁;孟夏杰;周鹏宇;姚骞;邢国强 -专利权人：通威太阳能(成都)有限公司
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本申请提供一种太阳能电池及其制备方法，属于光伏技术领域。太阳能电池，其基底的背面具有交替分布的发射极区域和背表面场区域。发射极区域形成有发射极，发射极的材质为掺硼单晶硅。背表面场区域形成有背表面场；背表面场包括层叠分布的隧穿氧化层和多晶硅层，多晶硅层的材质为掺磷多晶硅，隧穿氧化层位于基底和多晶硅层之间。太阳能电池的正电极与发射极电性连接，太阳能电池的负电极于背表面场电性连接。太阳能电池的制备方法用于实现上述结构的太阳能电池的制备。该太阳能电池能够增大正面的受光面积并降低电子空穴对的复合速率，从而能够有效提高太阳能电池的光电转换效率。
一种太阳能电池及其制备方法

[发明专利]TOPCon电池及其制备方法和电器设备-CN202111248983.7有效
发明人：吴伟梁;徐文州;陈浩;邓明璋;何宇;周凡;周鹏宇;邢国强;姚骞 -专利权人：通威太阳能（眉山）有限公司
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种TOPCon电池及其制备方法和电器设备，该制备方法包括如下步骤：在硅片的正面制绒之后，制备PN结；在硅片的背面依次形成隧穿氧化层、本征多晶硅层、掺杂多晶硅层及氧化硅掩膜层；隧穿氧化层的沉积方式为PEALD，沉积温度为150℃～200℃；掺杂多晶硅层的沉积方式为PECVD，所述氧化硅掩膜层的厚度为10nm～40nm；去除硅片正面绕镀的氧化硅掩膜层材料和多晶硅层材料，再去除背面的氧化硅掩膜层；分别在所述PN结上形成正面电极和在所述掺杂多晶硅层上形成背面电极。该制备方法工艺简单，且有利于外观和良率的控制，可在保证具有较高的光电转化效率和开路电压的基础上提高良率，具有更高的量产优势。
topcon 电池及其制备方法电器设备

[发明专利]一种钝化层的测量方法和太阳电池的制备方法-CN202110609332.X有效
发明人：苏荣;王璞;李忠涌;王岚;李书森;黄军;邓明璋;谢毅;张国志 -专利权人：通威太阳能（金堂）有限公司;通威太阳能(成都)有限公司
申请日： 2021-06-01 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种钝化层的测量方法和太阳电池的制备方法，属于太阳电池领域。测量方法包括：提供具有钝化层的测试样片；确定钝化层的期望获得的目标参数；根据钝化层的简化测试模型，确定测量所需的第一条件参数；利用第一条件参数，通过椭圆偏光法在椭圆偏振光谱仪上对测试样片中的钝化层进行检测，以获得对应于目标参数的第一测量结果参数。该测量方法简单易于实施，且能够获得合理精度的测量数据。
一种钝化测量方法太阳电池制备方法

[发明专利]制备隧穿氧化层和非晶硅薄膜的方法及TOPCon电池-CN202111420983.0在审
发明人： 邓明璋;陈浩;吴伟梁;孟夏杰;邢国强 -专利权人：通威太阳能（眉山）有限公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本申请涉及太阳电池领域，具体而言，涉及一种制备隧穿氧化层和非晶硅薄膜的方法及TOPCon电池。制备隧穿氧化层和非晶硅薄膜的方法，包括：使用PECVD设备，在沉积温度为440℃～460℃下依次沉积隧穿氧化层、本征非晶硅薄膜以及沉积掺杂非晶硅薄膜；沉积本征非晶硅薄膜时和沉积掺杂非晶硅薄膜时，硅烷流量为2000sccm～2500sccm。前述方法得到的薄膜较为致密，在后续退火过程中，氢原子有较好的释放，极大程度地改善了爆膜的问题。调整硅烷流量可以降低薄膜的生长速度，让更多的氢原子从薄膜中溢出，避免氢原子储存于薄膜内部，有效改善后期退火过程中氢原子聚集形成氢气而发生爆膜现象。
制备氧化非晶硅薄膜方法 topcon 电池

[发明专利]一种太阳电池及其制备方法-CN202211201633.X在审
发明人： 邓明璋;吴伟梁;徐文州;王秀鹏;邢国强 -专利权人：通威太阳能（眉山）有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种太阳电池及其制备方法，涉及光伏领域。太阳电池包括晶硅基体，晶硅基体的正面上依次设置有正面氧化铝薄膜和正面氮化硅薄膜，最外层设置有正面金属电极；晶硅基体的背面上依次设置有掺杂氧化硅层、掺杂多晶硅薄膜、背面氧化铝薄膜和背面氮化硅薄膜，最外层设置有背面金属电极。该电池结构基于超薄的掺杂poly‑Si薄膜，减少了掺杂poly‑Si对近红外光的寄生吸收，降低了太阳电池的电流损失；同时掺杂poly‑Si薄膜与背面氮化硅薄膜之间存在致密的氧化铝薄膜，用于减少背面金属浆料对掺杂poly‑Si的损伤，保证钝化接触性能。
一种太阳电池及其制备方法

[发明专利]太阳电池及其制备方法、太阳电池背面多层复合钝化膜-CN202011414696.4有效
发明人：苏荣;谢毅;王璞;杨文栋;邓明璋;李兵川;黄军;李书森;王岚;黄艳琴 -专利权人：通威太阳能(成都)有限公司
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本申请涉及太阳电池领域，具体而言，涉及一种太阳电池及其制备方法、太阳电池背面多层复合钝化膜。背面复合钝化膜设置于硅衬底背面；所述背面复合钝化膜包括沿所述硅衬底背面依次向外设置的第一氧化硅膜、钝化层、第一钝化膜、反射膜、第二钝化膜以及第二氧化硅膜；反射膜为折射率为1.45～1.7的氧化硅膜；或者，所述反射膜为折射率为1.7～1.9的氮氧化硅膜。本申请提供的太阳电池可以降低正面入射可见光的反射率，背面多层复合膜可以提高可见光穿透硅基体后的反射率，形成二次反射，可以显著改善“氢钝化”效果和“场效应钝化”效果，降低PID衰减，提高电池可靠性。
太阳电池及其制备方法背面多层复合钝化

[发明专利]一种隧穿氧化层、N型双面太阳能晶硅电池及制备方法-CN202111650174.9在审
发明人：张明;孟夏杰;吴伟梁;徐文州;陈浩;邓明璋;邢国强;姚骞 -专利权人：通威太阳能（眉山）有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种隧穿氧化层、N型双面太阳能晶硅电池及制备方法，涉及晶硅太阳能电池领域。隧穿氧化层的制备方法主要是先在硅片表面形成富余‑OH，再采用等离子体增强原子层沉积法，在硅片背面沉积形成隧穿氧化层。N型双面太阳能晶硅电池的制备方法主要是将N型硅片依次进行清洗制绒、硼扩散、碱抛光；在正面依次形成P型掺杂层、钝化层、减反射层；在背面先形成隧穿氧化层，再形成N型掺杂多晶硅层，进行退火后，形成减反射层。采用该方法制得的SiOx层的生长速度快，且连续、致密，吸杂与阻塞效果优异，膜厚精确可控，经高温退火后具有高密度、大尺寸的针孔。
一种氧化双面太阳能电池制备方法

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