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[发明专利]用于硬化的流体材料的CMP浆料溶液-CN201410327603.2有效
发明人：林国楹;刘文贵;蔡腾群;李胜男;连国成;林长生;周有伟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-07-10 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： C09G1/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于实施化学机械抛光(CMP)工艺的方法，该方法包括对衬底上的硬化的流体材料的表面应用CMP浆料溶液，该溶液包括用于改变硬化的流体材料的表面上的键结构的添加剂。该方法进一步包括使用抛光头抛光硬化的流体材料的表面。本发明还涉及用于硬化的流体材料的CMP浆料溶液。
用于硬化流体材料 cmp 浆料溶液

[发明专利]用于平坦凹进或去除可变高度层的BARC辅助工艺-CN201410239159.9有效
发明人：刘文贵;蔡腾群;林国楹;李胜男;周有伟;连国成;林长生;洪志昌;卢永诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-05-30 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：一种IC器件制造工艺实现了材料的平坦凹进，该材料初始在衬底上的高度变化。方法包括形成底部抗反射涂层(BARC)，烘烤以在BARC中引发交联，CMP以去除BARC的第一部分并形成平坦表面，然后等离子体蚀刻以实现BARC的平坦凹进。等离子体蚀刻可以在BARC和凹进的材料之间具有低选择性，从而使BARC和材料同时凹进。去除特定高度之上的任何材料。可以保护基本上位于特定高度下方的结构不受污染并保持完整。当使用的磨料在CMP期间与BARC形成醚键时，该方法可以特别有效。本发明涉及用于平坦凹进或去除可变高度层的BARC辅助工艺。
用于平坦凹进去除可变高度 barc 辅助工艺

[实用新型]半导体晶片打线结构改良-CN200920144422.0有效
发明人： 连国成;廖紫贵 -专利权人：凯鼎科技股份有限公司
申请日： 2009-02-20 - 公布日： 2009-12-23 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本实用新型半导体晶片打线结构改良，打线结构至少包含有：至少二电性连接部、半导体晶片、至少一连接线以及封装胶体，该半导体晶片设于其中一电性连接部上，该电性连接部上设有至少一焊点，该连接线则设于该电性连接部以及该半导体晶片间，并构成焊点与半导体晶片的电性连接，该连接线靠近焊点处形成有一平直部，该平直部平行靠近于该电性连接部上，该封装胶体则设于电性连接部上，以将半导体晶片以及连接线包覆，藉由该平直部可缓冲封装胶体变化所产生的拉力，以避免连接线被扯断造成该半导体晶片无法正常运作的缺失。
半导体晶片结构改良