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[发明专利]在非易失性存储器结构的编程校验操作期间通过基于层的感测降低峰值和平均ICC-CN202210081188.1在审
发明人： X·B·皮特纳;连佑中;D·杜塔;曾怀远;R·库马尔 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：一种用于对非易失性存储器结构的存储器块进行编程的方法，其中所述方法包括：在编程校验操作期间：针对位扫描模式仅选择存储器块的存储器单元的部分段；将感测偏置电压施加到与选定存储器单元相关联的所述存储器块的一个或多个位线；以及起始所述选定存储器单元的位扫描模式。
非易失性存储器结构编程校验操作期间通过基于降低峰值平均 icc

[发明专利]使用平面相关斜坡率和定时控制用于程序操作的存储器装置和操作方法-CN202110681588.1在审
发明人： 连佑中;曾怀远;T·埃利亚什 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明题为“使用平面相关斜坡率和定时控制用于程序操作的存储器装置和操作方法”。本发明提供了一种存储器装置和操作方法。该装置包括连接到字线和位线并布置在多个平面中的存储器单元。该装置还包括控制电路，该控制电路耦接到字线和位线并且被配置为确定存储器单元的程序操作是否涉及该多个平面中的全部平面。响应于该存储器单元的该程序操作不涉及该多个平面中的全部平面，该控制电路在该程序操作期间基于与在该程序操作中被编程验证的该存储器单元相关联的该多个平面的量调整施加到该位线的位线电压的位线斜坡率和施加到该字线的至少一个字线电压的字线斜坡率中的至少一者。
使用平面相关斜坡定时控制用于程序操作存储器装置操作方法

[发明专利]用于多平面读取操作的功率管理-CN202080080477.9在审
发明人： 连佑中;T·埃利亚什;曾怀远 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明描述了用于管理存储器设备中的功率消耗的装置和技术。当接收到多平面读取命令时，控制电路确定由该读取命令识别的块被完全编程还是部分编程。如果其被完全编程，则在将共同读取通过电压施加到相应块的未编程字线时执行该读取命令。如果该块并非全部被完全编程，则该控制电路确定最后编程的字线。如果每个块中的该最后编程的字线不相等，则在将基础读取通过电压施加到一个或多个较高编程的块的该未编程字线并且将较低读取通过电压施加到一个或多个较低编程的块的该未编程字线时执行该读取命令。
用于平面读取操作功率管理

[发明专利]用于子块存储器操作的峰值和平均电流降低-CN202010552624.X在审
发明人： 连佑中;S·普森瑟玛丹;H·Y·曾 -专利权人：闪迪技术有限公司
申请日： 2020-06-17 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本发明题为“用于子块存储器操作的峰值和平均电流降低”。本发明提供了一种存储器装置和操作方法。所述装置包括存储器单元块，所述存储器单元被布置成串并连接到在叠堆中彼此叠置的字线。所述块被分成在子块模式下作为整体被编程的第一和第二子块，并且包括连接到特定字线的特定组。当在所述子块模式下操作时，控制电路确定正被读取的所述特定组是否在所述第二子块中。所述控制电路还基于正被读取的所述特定组是否在所述第二子块中来确定所述第一和第二子块中的一者是否未被编程。所述控制电路基于所述第一和第二子块中的所述一者是否未被编程，在读取所述特定组的同时，将经调整的读取电压施加到所述第一和第二子块中的所述一者的所述字线。
用于存储器操作峰值平均电流降低

[发明专利]倒序编程的源极侧预充电和升压改进-CN202010522130.7在审
发明人： S·普森瑟玛丹;连佑中;H-Y·曾 -专利权人：闪迪技术有限公司
申请日： 2020-06-10 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本发明题为“倒序编程的源极侧预充电和升压改进”。本公开涉及用于在源极侧预充电期间保持NAND串沟道中的偏置的装置和方法。该装置包括存储器阵列和管芯控制器，该管芯控制器被配置为在程序存储操作期间减少存储器阵列NAND串的沟道中的电势梯度的形成。为此，激活多个源极侧选择栅极，然后激活多个源极侧虚设字线选择栅极中的每个。接着，通过由多个源极侧选择栅极偏置耦接到NAND串的源极线来偏置NAND串沟道。最后，使多个源极侧选择栅极和多个源极侧虚设字线选择栅极放电，使得沟道保持通往源极线的电路径。
倒序编程源极侧预充电升压改进

[发明专利]包含双终端选择器的三维NAND存储器器件及其使用和制造方法-CN201980083341.0在审
发明人： 连佑中;袁家辉;D·杜塔;C·佩蒂 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本公开提供了一种三维存储器器件，该三维存储器器件包括位于衬底上方的绝缘层和导电字线层的交替堆叠，以及多个竖直存储器串。每个竖直存储器串包括存储器堆叠结构和选择器元件的串联连接。该存储器堆叠结构中的每一个存储器堆叠结构延伸穿过该交替堆叠并且包括相应的存储器膜和相应的竖直半导体沟道。该选择器元件中的每一个选择器元件包括被配置为提供至少两种不同电阻率状态的双终端器件。
包含终端选择器三维 nand 存储器器件及其使用制造方法

[发明专利]字线电压过驱动方法和系统-CN201980079222.8在审
发明人：杨翔;连佑中 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本公开描述了一种用于在非易失性存储器中执行擦除验证的方法和结构。将奇数字线和偶数字线两者驱动到高电压电平。这可同时地进行。该奇数字线和该偶数字线两者的同时充电、甚至是当该擦除验证将仅在该奇数字线或该偶数字线中的一者上发生时，减少了该字线的该充电的RC延迟。在对该奇数字线和该偶数字线进行充电之后，然后使一组字线、即该奇数字线或该偶数字线下降到该擦除验证电压。然后，执行擦除感测操作。
电压驱动方法系统

[发明专利]用于3D NAND的局部页面感测模式、方法和装置-CN201980080614.6在审
发明人：杨翔;连佑中 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G11C16/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种局部页面感测方法和系统，其中在将位线电压(VBLC)施加至存储器单元阵列的第一局部页面的第一位线时，使第二局部页面的第二位线浮动。该第二局部页面的该第二位线是与该第一局部页面的该第一位线交错的位线。与一个或多个附加局部页面相关联的位线可以接地或浮动。与跟第一位线之一相邻的附加局部页面相关联的位线可以浮动。
用于 nand 局部页面模式方法装置

[发明专利]用于校验的子组选择-CN201980005959.5在审
发明人： 连佑中;X·杨;Z·周;D·杜塔;H-Y·曾 -专利权人：闪迪技术有限公司
申请日： 2019-03-22 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于识别和选择在编程或擦除操作期间使用的存储器单元子组以便在更短的时间内执行该编程或擦除操作同时避免过编程错误和欠编程错误的设备、系统和方法。本文所公开的存储器装置可包括状态变化/编程电路、计数电路、确定电路、识别电路和/或子组选择电路，其中这些电路中的每个电路被配置为执行与识别和选择在编程操作期间使用的存储器单元的子组的总体过程相关的操作。
用于校验选择

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