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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]光电转换装置及其制造方法和包括光电转换装置的设备-CN202310457124.1在审
发明人：小平新志;冈部刚士;世森光裕;远藤信之;手塚智之;庄山敏弘;岩田纯 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2018-07-11 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：公开了光电转换装置及其制造方法和包括光电转换装置的设备。光电转换装置包括：半导体基板，包括光电转换部分；金属含有部分，被设置在半导体基板上；层间绝缘膜，被布置在半导体基板上以覆盖金属含有部分；第一氮化硅层，被布置在光电转换部分上以包括位于层间绝缘膜和半导体基板之间的部分；氧化硅膜，包括布置在第一氮化硅层和光电转换部分之间的部分以及布置在层间绝缘膜和金属含有部分之间的部分；第二氮化硅层，被布置在氧化硅膜和金属含有部分之间。
光电转换装置及其制造方法包括设备

[发明专利]光电转换装置及其制造方法和包括光电转换装置的设备-CN201810757489.5有效
发明人：小平新志;冈部刚士;世森光裕;远藤信之;手塚智之;庄山敏弘;岩田纯 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2018-07-11 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：公开了光电转换装置及其制造方法和包括光电转换装置的设备。光电转换装置包括：半导体基板，包括光电转换部分；金属含有部分，被设置在半导体基板上；层间绝缘膜，被布置在半导体基板上以覆盖金属含有部分；第一氮化硅层，被布置在光电转换部分上以包括位于层间绝缘膜和半导体基板之间的部分；氧化硅膜，包括布置在第一氮化硅层和光电转换部分之间的部分以及布置在层间绝缘膜和金属含有部分之间的部分；第二氮化硅层，被布置在氧化硅膜和金属含有部分之间。
光电转换装置及其制造方法包括设备

[发明专利]光电转换器件、其制造方法和装置-CN201811253732.6有效
发明人： 远藤信之 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2018-10-26 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及光电转换器件、其制造方法和装置。一种光电转换器件包括：包含光电转换部分的半导体基板；布置于光电转换部分之上的氧化硅膜；和布置于光电转换部分与氧化硅膜之间的绝缘膜。构成光电转换部分的一部分的n型第一杂质区域和布置于绝缘膜与第一杂质区域之间的p型第二杂质区域被设置在半导体基板中。绝缘膜的第二杂质区域之上的部分和第二杂质区域包含硼。从半导体基板的表面到第二杂质区域中的硼浓度取最小值的第一位置的硼浓度的积分值大于从半导体基板的表面到氧化硅膜的上表面的硼浓度的积分值。
光电转换器件制造方法装置

[发明专利]固态图像拾取装置和图像拾取系统-CN201510540844.X有效
发明人： 远藤信之;板野哲也;山崎和男;渡边杏平;市川武史 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2009-12-26 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及固态图像拾取装置和图像拾取系统。根据本发明的固态图像拾取装置通过层叠具有光电转换元件和传送晶体管的栅电极的第一基板与具有周边电路部的第二基板而被配置。第一基板不具有高熔点金属化合物层，而第二基板具有高熔点金属化合物层。此简单的配置使得周边电路部中的晶体管能够以高的速度操作，同时抑制光电转换元件的特性的劣化，由此使得能够进行高速的信号读出操作。
固态图像拾取装置系统

[发明专利]成像设备和成像系统-CN201410808890.9有效
发明人：国米和夫;大贯裕介;成濑裕章;楠川将司;广田克范;远藤信之;山崎和男;小林広明 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2014-12-23 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：公开了成像设备和成像系统。多个像素电路中的每一个都是绝缘栅晶体管，并包括第一种晶体管，所述第一种晶体管具有要施加的等于或高于第一值的栅极电势差的最大值。多个模拟信号处理电路中的每一个是绝缘栅晶体管，并包括第二种晶体管，所述第二种晶体管具有要施加的等于或低于比所述第一值低的第二值的栅极电势差的最大值。多个模拟信号处理电路中的每一个不包括具有要施加的不比第二值高的栅极电势差的最大值的绝缘栅晶体管。
成像设备系统

[发明专利]半导体设备和用于制造半导体设备的方法-CN201711219865.7在审
发明人： 远藤信之;楠川将司;庄山敏弘 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2017-11-29 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：公开了半导体设备和用于制造半导体设备的方法。半导体设备具有：具有光电转换部分的硅层；设置在硅层上的传输部分的传输电极；传输部分传输光电转换部分的电荷；以及绝缘体膜，具有位于传输电极和硅层之间的第一部分以及位于光电转换部分上的第二部分，绝缘体膜的第一部分和第二部分包含氮、氧和硅，并且第二部分中氮浓度显示出最大值的位置和硅层之间的距离大于第一部分中氮浓度显示出最大值的位置与硅层之间的距离。
半导体设备硅层光电转换传输电极绝缘体膜浓度显示传输电荷制造

[发明专利]固态图像拾取装置和图像拾取系统-CN201510301075.8在审
发明人： 远藤信之;板野哲也;山崎和男;渡边杏平;市川武史 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2009-12-26 - 公布日： 2015-11-04 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及固态图像拾取装置和图像拾取系统。根据本发明的固态图像拾取装置通过层叠具有光电转换元件和传送晶体管的栅电极的第一基板与具有周边电路部的第二基板而被配置。第一基板不具有高熔点金属化合物层，而第二基板具有高熔点金属化合物层。此简单的配置使得周边电路部中的晶体管能够以高的速度操作，同时抑制光电转换元件的特性的劣化，由此使得能够进行高速的信号读出操作。
固态图像拾取装置系统

[发明专利]固态成像装置-CN201180046198.1有效
发明人：山崎和男;板野哲也;远藤信之;渡边杏平 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2011-09-20 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：在固态成像装置中，在像素构成要素中，光电转换单元、传送晶体管和电荷保持单元的至少一部分被设置在第一半导体基板上。被配置为处理传送到电荷保持单元的信号电荷或由放大单元放大的信号的像素附加电路被设置在第二半导体基板上。并且其中，在第一基板上设置第一遮光部件，所述第一遮光部件被配置为减少透过光电转换单元而入射到像素附加电路的光。
固态成像装置

[发明专利]固态图像拾取装置和图像拾取系统-CN201080058034.6有效
发明人： 远藤信之;板野哲也;山崎和男;渡边杏平;市川武史 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2010-12-22 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及固态图像拾取装置。所述装置包括：第一衬底，包括光电转换元件和被配置为从所述光电转换元件传输电荷的传输栅电极；第二衬底，具有外围电路部分，所述外围电路部分包括被配置为读取基于所述光电转换元件中产生的电荷的信号的电路；所述第一衬底和所述第二衬底被层叠。所述装置进一步包括布置在所述第一衬底上的包括铝互连的多层互连结构和布置在所述第二衬底上的包括铜互连的多层互连结构。
固态图像拾取装置系统

[发明专利]固态图像拾取装置和图像拾取系统-CN200980163052.8有效
发明人： 远藤信之;板野哲也;山崎和男;渡边杏平;市川武史 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2009-12-26 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：根据本发明的固态图像拾取装置通过层叠具有光电转换元件和传送晶体管的栅电极的第一基板与具有周边电路部的第二基板而被配置。第一基板不具有高熔点金属化合物层，而第二基板具有高熔点金属化合物层。此简单的配置使得周边电路部中的晶体管能够以高的速度操作，同时抑制光电转换元件的特性的劣化，由此使得能够进行高速的信号读出操作。
固态图像拾取装置系统

[发明专利]固态图像拾取装置-CN201080056461.0有效
发明人：山崎和男;板野哲也;远藤信之;渡边杏平 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2010-12-13 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：固态图像拾取装置包括包含光电转换单元、FD和传送晶体管的像素区域、复位晶体管、放大器晶体管和用于将基准电压供给至光电转换单元的基准电压供给线。在所述装置中，像素区域和基准电压供给线被设置在第一半导体基板上，并且，至少复位晶体管或放大器晶体管被设置在第二半导体基板上。并且，用于将电压供给至基准电压供给线的电源线被设置在第二半导体基板上。所述装置还包括电连接基准电压供给线与电源线的第二电连接单元。第一电连接单元被设置在像素区域中，而第二电连接单元被设置在像素区域之外。
固态图像拾取装置

[发明专利]固态图像拾取装置-CN201080053854.6有效
发明人：板野哲也;山崎和男;远藤信之;渡边杏平 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2010-11-29 - 公布日： 2012-08-08 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：来自传输晶体管的暗电流被抑制，并且第二半导体基板中的电源电压被降低。一种固态图像拾取装置包括：像素阵列、接收从多个像素读出的信号的多个公共输出线、顺序驱动多个传输晶体管的传输扫描单元、处理输出给公共信号线的信号的信号处理单元，和使提供给传输晶体管的栅极的脉冲的幅度大于提供给构成信号处理单元的晶体管的栅极的脉冲的幅度的电平移动单元。像素阵列和电平移动单元被布置在第一半导体基板上，而多个公共输出线和信号处理单元被布置在第二半导体基板上。
固态图像拾取装置

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