“足立昌和”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果5个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]阴极支承件及离子源-CN202211453722.3在审
发明人：平井裕也;岩波悠太;糸井骏;足立昌和 -专利权人：日新离子机器株式会社
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01J27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种阴极支承件及离子源，改善进行灯丝与阴极之间的间隔调整时的作业性。阴极支承件具备：筒状或棒状的阴极支架(1)，在一端支承阴极(6)，在另一端具有凸缘部(2)；及夹持件(3、4、5)，支承阴极支架(1、61)，夹持件(3、4、5)在阴极支架(1、61)的轴向上具有第一调整面(31、41、51)和第二调整面(32、42、52)，通过使阴极支架(1、61)绕阴极支架(1、61)的轴旋转且在阴极支架(1、61)的轴向上移动，能够实现凸缘部(2)从第一调整面(31、41、51)向第二调整面(32、42、52)的配置。
阴极支承离子源

[发明专利]离子源及其清洁方法-CN201911265284.6在审
发明人： 足立昌和;平井裕也;谷口智哉 -专利权人：日新离子机器株式会社
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本发明提供一种离子源及其清洁方法，该离子源在宽范围内向电极表面照射离子束来除去电极上的沉积物。一种离子源(1)，向配置在等离子体容器(2)下游的抑制电极(3)照射由清洁气体生成的离子束(IB)来清洁抑制电极(3)，其中，离子源(1)具有驱动机构(5)，该驱动机构(5)调整等离子体容器(2)与抑制电极(3)之间的距离，离子源(1)包括控制装置(C)，该控制装置(C)在进行清洁之前，控制驱动机构(5)而使抑制电极(3)或等离子体容器(2)向第一方向移动，扩大等离子体容器(2)与抑制电极(3)之间的距离。
离子源及其清洁方法

[外观设计]溅射靶-CN201930411808.2有效
发明人：平井裕也;赵维江;谷口智哉;足立昌和 -专利权人：日新离子机器株式会社
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： 15-09 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：溅射靶。;2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用作溅射靶。;3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。;4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
溅射靶

[发明专利]加热装置、半导体制造装置-CN201710456969.3在审
发明人： 足立昌和 -专利权人：日新离子机器株式会社
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供加热装置和半导体制造装置，能提高加热效率并缩短升温时间，从而实现向加热器投入能量的低电耗化。所述加热装置(20)包括：移送机构(M)，具有支承基板(W)的支承部(1)，在加热位置(HP)和非加热位置(NH)之间移送基板(W)；加热器(4)，在加热位置(HP)上对基板(W)的一个面进行加热；以及热反射板(2)，和基板(W)的另一个面相对、设置在移送机构(M)中，热反射板(2)覆盖基板(W)的另一个面。
加热装置半导体制造

[发明专利]加热装置、半导体制造装置-CN201710461434.5在审
发明人： 足立昌和 -专利权人：日新离子机器株式会社
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供加热装置和半导体制造装置，能提高加热效率并缩短升温时间，从而实现向加热器投入能量的低电耗化。所述加热装置(20)包括：移送构件(10)，在加热位置(HP)和非加热位置(NH)之间移送基板(W)；设在移送构件(10)上、支承基板(W)的支承构件(1)；设在加热位置(HP)上、对基板(W)的一个面加热的加热器(4)；以及和基板(W)的另一个面相对、安装在移送构件(10)上的热反射板(2)。
加热装置半导体制造

1
共 5 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top