专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体存储装置-CN201910743609.0有效
  • 野吕宽洋;越智悠介;杉本贵宏;金川直晃 - 铠侠股份有限公司
  • 2019-08-13 - 2023-10-27 - G11C16/26
  • 实施方式提供一种能提高可靠性的半导体存储装置。根据实施方式,本发明的半导体存储装置具备:主数据总线(MDB),包含能在具有多个存储单元的存储单元阵列与串行/并行转换电路(12)之间分别并列传输数据信号的第1及第2数据线(200);第1及第2中继缓冲器电路(19),设置在第1数据线;及第3中继缓冲器电路(19),设置在第2数据线(200)。主数据总线包含第1配线部,该第1配线部是沿着第1方向而设置,第1及第2缓冲器相互分隔而设置在第1配线部中的第1数据线,第3缓冲器设置在第1配线部中的第2数据线,第1至第3缓冲器的沿着第1方向的位置互不相同。
  • 半导体存储装置
  • [发明专利]半导体存储装置-CN202111515703.4在审
  • 越智悠介;胜又竜太;福田真大 - 铠侠股份有限公司
  • 2021-12-13 - 2022-09-20 - H01L27/1157
  • 实施方式提供能够比以往更加小型化的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置(10)具有:多个导电体层(40),在z方向上层叠;位线(BL),以在y方向上排列多个的方式形成;柱(50),与位线(BL)连接;以及绝缘体(91、92),设置为将配置有多个柱(50)的区域划分为多个单元区域(CAR)。包含在末端列(LNe)且相互相邻的柱(50)彼此的间隔在至少一部分处相比包含在内部列(LNi)且相互相邻的柱(50)彼此的间隔得到扩大。
  • 半导体存储装置
  • [发明专利]半导体存储装置及存储系统-CN201610102389.X有效
  • 越智悠介;白川政信 - 东芝存储器株式会社
  • 2016-02-24 - 2020-01-24 - G11C16/08
  • 本发明的实施方式提供一种能够提高读出动作的可靠性的半导体存储装置及存储系统。在实施方式的半导体存储装置中,共通连接于第1字线(WL)的第1至第3存储单元晶体管(MT)分别经由第1至第3位线(BL)而连接于第1至第3读出放大器单元(SAU)。连接于相邻的第1与第2存储单元晶体管(MT)的第1及第2读出放大器单元(SAU)共通连接于第1信号线(IO),并以不同的周期进行数据的输入输出,第3读出放大器单元(SAU)连接于第2信号线(IO),并以与第1读出放大器单元相同的周期进行数据的输入输出。
  • 半导体存储装置存储系统

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