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[外观设计]礼品盒-CN202130375330.X有效
发明人： 赵超荣 -专利权人：陕西慈航优农农业发展有限责任公司
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： 09-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：礼品盒。2.本外观设计产品的用途：盛装水果。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状与图案的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
礼品盒

[外观设计]礼品箱-CN202130375157.3有效
发明人： 赵超荣 -专利权人：陕西慈航优农农业发展有限责任公司
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： 09-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：礼品箱。2.本外观设计产品的用途：盛装水果。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状与图案的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。5.无设计要点，省略仰视图。
礼品

[发明专利]一种对双探头PMOS辐射剂量计进行退火的方法-CN201010256968.2有效
发明人：刘梦新;韩郑生;赵超荣;刘刚 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2007-12-12 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： G01T1/02 文献下载
摘要：本发明涉及电离辐射剂量测量领域，公开了一种对基于绝缘体上硅的双探头PMOS辐射剂量计进行退火方法，该方法将经辐照后失效的所述基于绝缘体上硅的双探头PMOS辐射剂量计的正栅电极、背栅电极、源电极以及漏电极接至地线，置于95至105℃环境温度范围下退火230至310小时；之后将环境温度升温至145至155℃范围继续退火80～120小时；然后将所述基于绝缘体上硅的双探头PMOS辐射剂量计取出置于20至25℃环境温度下测试，与该PMOS辐射剂量计未辐照前数据比对校准。
一种探头 pmos 辐射剂量计进行退火方法

[发明专利]具有紧密体接触的射频SOI LDMOS器件-CN200810057921.6有效
发明人：刘梦新;毕津顺;范雪梅;赵超荣;韩郑生;刘刚 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2008-02-21 - 公布日： 2009-08-26 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明涉及射频功率器件领域，公开了一种具有紧密体接触的射频SOI LDMOS器件，包括底层硅、隐埋氧化层、顶层硅、P^-区、N^-区、栅氧化层、多晶硅栅层、栅多晶硅化物层、栅电极、氮化硅侧墙、N^-漂移区、漏区、漏区硅化物层、漏电极、源区、体接触区、体区及源区硅化物层、源电极。本发明将射频LDMOS器件制作于SOI衬底之上，利用与P^-区同型的重掺杂区域形成与源区短接的紧密体接触；源/体、漏/体以及栅与各自电极间利用硅化物互联；采用多根栅条叉指形式并联以增大器件驱动能力；设计与CMOS工艺兼容的调正、背栅注入、N^-区注入以及N^-漂移区注入方法；设计与CMOS工艺兼容的N^-漂移区硅化物掩蔽方法。
具有紧密接触射频 soi ldmos 器件

[发明专利]具有H型栅的射频SOI LDMOS器件-CN200810057936.2有效
发明人：刘梦新;毕津顺;范雪梅;赵超荣;韩郑生;刘刚 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2008-02-21 - 公布日： 2009-08-26 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明涉及射频功率器件领域，公开了一种具有H型栅的射频SOI LDMOS器件，包括底层硅、隐埋氧化层、顶层硅、P^-区、N^-区、H型栅氧化层、H型多晶硅栅层、H型栅多晶硅化物层、栅电极、氮化硅侧墙、N^-漂移区、漏区、漏区硅化物层、漏电极、源区、体引出区、源区硅化物层、源电极。本发明将射频LDMOS器件制作于SOI衬底之上，利用与P^-区同型的重掺杂区域形成与源区短接的体引出；源/体、漏/体以及栅与各自电极间利用硅化物互联；采用多根H型栅条叉指形式并联以增大器件驱动能力。同时公开了与CMOS工艺兼容的调正、背栅注入、N^-区注入以及N^-漂移区注入方法，以及与CMOS工艺兼容的N^-漂移区硅化物掩蔽方法。
具有射频 soi ldmos 器件

[发明专利]基于绝缘体上硅的双探头PMOS辐射剂量计-CN200710179354.7有效
发明人：刘梦新;韩郑生;赵超荣;刘刚 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2007-12-12 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： G01T1/02 文献下载
摘要：本发明涉及电离辐射剂量测量领域，公开了一种基于SOI技术的可重复利用PMOS辐射剂量计，包括背栅电极、多晶硅化物层、半导体衬底、隐埋氧化层、顶层硅膜、体接触区、源区、漏区、源电极、漏电极、正栅氧化层、正栅多晶硅层和正栅电极。本发明将剂量计制作于SOI衬底之上，具有两种测量不同剂量率的电极探头；采用不同方式的正、背栅调栅注入以调节探头测量范围；利用与顶层硅膜同型的重掺杂区域形成与源区短接的体接触；源/体、漏/体以及正、背栅与各自电极间利用多晶硅化物互联；正栅采用多根栅条叉指形式并联以增大探头敏感区域；剂量计退火过程控制及偏置条件、退火温度和时间调节；可调整量程的堆叠剂量计测量电路的方法及结构。
基于绝缘体探头 pmos 辐射剂量计

[发明专利]用于测量铜引线是否产生凹型坑的电路版图结构-CN200810238814.3有效
发明人：范雪梅;赵超荣;杜寰;胡云中;雒建斌 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2008-12-02 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于测量铜引线是否产生凹型坑的电路版图结构，所述电路版图结构包括一组独立的铜引线十字单元阵列，所述独立十字单元阵列由至少2个相互独立的十字单元构成，每个独立十字单元由等臂十字结构的铜引线构成。本发明可以用于电学测量铜引线在CMP过程后是否产生凹形坑。此方法结构简单，占用版图面积小，便于嵌入版图中，实验测量方便。采用这种电学方法来测量，不受线条尺寸的影响，可以方便地对整个芯片进行测量，很好地验证芯片CMP的均匀性。
用于测量引线是否产生凹型坑电路版图结构

[发明专利]用于测试层间介质是否产生侵蚀的铜引线电路版图结构-CN200810238813.9无效
发明人：范雪梅;赵超荣;杜寰;胡云中;雒建斌 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2008-12-02 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： G01N27/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于测试层间介质是否产生侵蚀的铜引线电路版图结构，所述铜引线电路版图包括一个由多根宽度相等的、等间隔排列的铜引线构成的铜电阻阵列，铜引线的根数大于3，所述铜电阻阵列中铜引线首尾相串联，所述铜电阻阵列首尾端分别设置有一个电流引出端口，铜电阻阵列中至少有三条长度相等的铜引线，每个长度相等的铜引线两端分别设置有一个电压引出端口。本发明可以用于电学测量铜引线在CMP过程后铜引线层间介质是否产生侵蚀现象。此方法结构简单，占用版图面积小，便于嵌入版图中，实验测量方便。采用这种电学方法来测量，不受线条尺寸的影响，可以方便地对整个芯片进行测量，很好地验证芯片CMP的均匀性。
用于测试介质是否产生侵蚀引线电路版图结构