专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]非易失性存储器件及其制造方法-CN201210206135.4有效
  • 赵廷镐;朴正求;秋珉完;柳斗烈 - 美格纳半导体有限公司
  • 2012-06-18 - 2017-06-30 - H01L21/28
  • 提供了一种非易失性存储器件和一种制造该非易失性存储器件的方法。该方法包括在衬底上形成浮置栅极;形成与浮置栅极的形状一致的介电层;在衬底上形成导电层以形成覆盖浮置栅极和介电层的控制栅极;在导电层的一侧上形成光刻胶图案;形成间隔物形式的包围浮置栅极的侧面的控制栅极,所述控制栅极的形成包括对导电层实施回蚀到直到暴露浮置栅极上的介电层的一部分;以及在控制栅极的一侧上形成与多个接触塞连接的多晶硅焊盘,所述多晶硅焊盘的形成包括移除光刻胶图案。
  • 非易失性存储器及其制造方法

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