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[发明专利]半导体能束探测元件-CN200710007043.2有效
发明人：米田康人;赤堀宽;村松雅治 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2001-03-28 - 公布日： 2007-07-11 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：光电二极管阵列(1)包括P+扩散层(4、5)和N+沟道阻挡层(6、7)以及N+扩散层(8)。P+扩散层(4、5)和N+沟道阻挡层(6、7)设置在半导体衬底(3)的背面一侧。N+沟道阻挡层(6)设置在相邻的P+扩散层(4、5)之间，具有网络状以隔离P+扩散层(4、5)。N+沟道阻挡层(7)在P+扩散层阵列的外侧与N+沟道阻挡层(6)接连起来被设置成框状。N+沟道阻挡层(7)的宽度被作成为比N⁺沟道阻挡层(6)的宽度宽。闪烁体光学性地连接到半导体衬底(3)的入射面上。
半导体探测元件

[发明专利]能量线检测元件-CN200480029201.9有效
发明人： 赤堀宽;粕谷立城 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2004-09-30 - 公布日： 2006-11-15 - 主分类号： H01L27/148 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有用于有效降低噪声的结构的能量线检测元件。该能量线检测元件具有能量线感应区域、输出部、多个电极和分压电路。能量线感应区域感应能量线的入射并产生电荷。在能量线感应区域的表面，以分别覆盖能量线感应区域的一部分的方式设置有多个电极。各电极与包含串联连接的多个分压电阻的分压电路电连接。分压电路通过电阻分压对来自直流电源的直流输出电压进行分压，由此，施加与电极分别对应的直流输出电位。输出部蓄积能量线感应区域内产生的电荷，输出与蓄积电荷量相当的电流信号或电压信号。
能量检测元件

[发明专利]固体摄像装置-CN200480010934.8有效
发明人： 赤堀宽;粕谷立城 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2004-04-22 - 公布日： 2006-05-24 - 主分类号： H01L27/148 文献下载
摘要：本发明的能量线感应区域(11)，其水平方向被分割成以垂直方向作为长度方向的m个列，此外，其垂直方向被分割成以水平方作为长度方向的n个行，包括m×n个二维排列的光电转换部(13)。该光电转换部(13)分别感应能量线的入射而生成电荷。在能量线感应区域(11)的表面一侧，以覆盖该能量线感应区域(11)的方式而设置有多个传输电极(15)。多个传输电极(15)分别以水平方向作为长度方向而设置，沿着垂直方向排列。各传输电极(15)通过各分压电阻(17)进行电气连接。各分压电阻(17)对应于各传输电极(15)进行设置，对来自直流电源(19)的直流输出电压进行分压而生成直流输出电位，供给对应该直流输出电位的传输电极(15)。
固体摄像装置

[发明专利]固体摄像装置-CN200480011042.X有效
发明人：小林宏也;赤堀宽;村松雅治 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2004-04-14 - 公布日： 2006-05-24 - 主分类号： H04N5/335 文献下载
摘要：本发明的固体摄像装置(IS1)包括插件(P1)、CCD芯片(11)、芯片电阻阵列(21)等。在插件(P1)上以向中空部(1)突出的方式而设置有用于放置CCD芯片(11)和芯片电阻阵列(21)的放置部(2)。放置部(2)具有第一平面部(3)和第二平面部(4)，第一平面部(3)和第二平面部(4)形成水平差。CCD芯片(11)通过隔板(13)而放置并固定在第一平面部(3)上。芯片电阻阵列(21)放置并固定在第二平面部(4)上。芯片电阻阵列(21)通过第一平面部(3)和第二平面部(4)的水平差而将CCD芯片(11)和芯片电阻阵列(21)靠近配置。
固体摄像装置

[发明专利]背面照射型光检测装置的制造方法-CN200480010259.9有效
发明人：小林宏也;赤堀宽;村松雅治 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2004-04-14 - 公布日： 2006-05-17 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：在半导体基板(1)的表面侧形成CCD部(3)。其次，对半导体基板(1)的背面侧的对应于CCD部(3)的区域进行薄化处理，保留该区域的周边区域(1a)，在半导体基板(1)的背面侧形成蓄积层(5)。其次，在半导体基板(1)的表面侧的对应于周边区域(1a)的区域(1b)上，形成与CCD部(3)电气连接的电气配线(7)、以及电气连接在该电气配线(7)上的电极焊接区(9)，将支撑基板(11)粘接在半导体基板(1)的表面侧上，使电极焊接区(9)露出，同时覆盖CCD部(3)。其次，在半导体基板(1)被薄化处理的部分将半导体基板(1)以及支撑基板(11)切断，保留对应于形成有电气配线(7)以及电极焊接区(9)的区域(1b)的周边区域(1a)。
背面照射检测装置制造方法

[发明专利]半导体能束探测元件-CN01807540.1有效
发明人：米田康人;赤堀宽;村松雅治 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2001-03-28 - 公布日： 2003-06-04 - 主分类号： H01L27/142 文献下载
摘要：光电二极管阵列(1)包括P+扩散层(4、5)和N+沟道阻挡层(6、7)以及N+扩散层(8)。P+扩散层(4、5)和N+沟道阻挡层(6、7)设置在半导体衬底(3)的背面一侧。N+沟道阻挡层(6)设置在相邻的P+扩散层(4、5)之间，具有网格状以隔离P+扩散层(4、5)。N+沟道阻挡层(7)在P+扩散层阵列的外侧与N+沟道阻挡层(6)接连起来被设置成框状。N+沟道阻挡层(7)的宽度被作成为比N+沟道阻挡层(6)的宽度宽。闪烁体光学性地连接到半导体衬底(3)的入射面上。
半导体探测元件