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[发明专利]一种键合设备的晶圆传送位置监控方法-CN202111266558.0在审
发明人：张立;赖朝荣 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种键合设备的晶圆传送位置监控方法，包括：提供两片晶圆；对其中一片晶圆的边缘进行修边处理，以在该片晶圆的边沿向内形成预定宽度的环形凹槽；在该片晶圆的环形凹槽所在表面生长氧化层且不覆盖环形凹槽；对氧化层进行化学机械研磨减薄及表面平整化处理；对减薄及表面平整化的氧化层进行表面清洗；在键合设备上将该片晶圆与另一片晶圆通过经清洗后的氧化层进行键合形成键合晶圆；对键合晶圆进行退火处理；对退火后的键合晶圆进行超声波扫描显微镜检测，通过键合晶圆的夹槽宽度是否相同，判断键合设备上传送的两片晶圆的相对位置是否发生偏移，以对键合设备的晶圆传送位置进行监控。本发明能够对键合设备的晶圆传送位置进行监控。
一种设备传送位置监控方法

[发明专利]一种精确监控并改善方块电阻量测稳定性的方法-CN201910530012.8有效
发明人：汪浩;张立;赖朝荣 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-06-19 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种精确监控并改善方块电阻量测稳定性的方法，包括：将晶圆置于RS机台的量测卡盘上；在晶圆表面上取四点并量测其JPV信号；提供JPV信号与晶圆表面量测位置曲线关系，将得到的四点的JPV信号代入曲线关系，得出该四点对应的坐标值；利用得到的所述四点的坐标值计算出晶圆位置的偏移量；若该偏移量超出标准偏移量的范围，则在量测卡盘上重置晶圆；若该偏移量在标准偏移量范围内，则对RS实际测试值作矫正。本发明通过建立JPV信号与位置的相关曲线数据库，每次量测前先量测与晶圆边缘距离相同的四个位置的JPV信号，算出晶圆圆心与原点的偏移量，对晶圆位置偏离做修正，得到该位置的真实RS值，从而达到监测并提高RS量测稳定性。
一种精确监控改善方块电阻稳定性方法

[发明专利]一种模拟离子注入光阻穿透深度的模型及其建模方法-CN201710471713.X有效
发明人： 赖朝荣;王智 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-06-20 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： G06F30/39 文献下载
摘要：本发明提出一种模拟离子注入光阻穿透深度的模型及其建模方法，该模型为：其中f(x，y)为离子注入到光阻中的厚度，g(x，y)为离子注入到硅基中的厚度，y为注入能量，x为注入离子种类，AMU(x)为元素x的原子量。本发明提出的模拟离子注入光阻穿透深度的模型及其建模方法，可以计算出离子注入在光阻中的深度，从而针对不同离子注入条件选择相适应的光阻，以避免光阻穿透。
一种模拟离子注入穿透深度模型及其建模方法

[发明专利]一种离子注入机钨金属污染的监控方法-CN201710796722.6有效
发明人：张立;袁立军;赖朝荣 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-09-06 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提出一种离子注入机钨金属污染的监控方法，包括下列步骤：测量BF2+的质谱分析曲线，并获取所述BF2+质谱分析曲线的最大束流值；测量WF++的质谱分析曲线，并获取所述WF++质谱分析曲线的最大束流值；计算所述WF++质谱分析曲线的最大束流值与所述BF2+质谱分析曲线的最大束流值的比值，从而得到在BF2+注入时钨金属污染的比例。本发明提出的离子注入机钨金属污染的监控方法，与通常电感耦合等离子体分析仪(ICPMS)量测控片的金属含量来对金属钨进行监控的方法相比，可以较快完成金属污染监控，节省时间、无需消耗控片晶圆、测试稳定性好，能够更好，更快的对离子注入机进行金属钨监控，降低监控成本。
一种离子注入金属污染监控方法

[发明专利]一种监控Ge离子注入质量的方法-CN201710146467.0有效
发明人：王梦慧;张立;赖朝荣 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-03-13 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明公开了一种监控Ge离子注入质量的方法，首先提供一测试样本，其次选择与被监控Ge离子相同原子质量的As离子代替Ge离子,保持其余注入条件不变，对测试样本进行离子注入，然后待高温退火后，量测离子注入层的方块电阻，根据方块电阻的量测值结果，对与被监控Ge离子相同原子质量的As离子注入质量进行判断，等效于对被监控Ge离子注入质量进行判断。由于原子质量相同，导致其在离子注入机中通过磁场分析仪路径和加速路径也相同，从而，在其余注入条件相同的时候，离子注入的深度和角度也应该等同。因此，可以采用监控灵敏度更高的Rs监控方法对Ge离子注入质量进行监控，满足先进工艺对Ge离子注入质量的监测需求。
一种监控 ge 离子注入质量方法

[发明专利]一种监测离子注入设备性能的方法-CN201711177123.2有效
发明人：张立;袁立军;赖朝荣 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-11-22 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明提供了一种监测离子注入设备性能的方法，其中，提供一待测晶圆，待测晶圆放置离子注入设备的反应腔体中；包括以下步骤：提供一离子束，离子束中包括第一离子以及第二离子；控制离子束的偏转半径使第一离子与第二离子分离，以将第一离子注入晶圆中；检测晶圆中的第二离子的含量是否超过一标准值，并在检测出的含量大于标准值时判断离子设备出现性能故障。其技术方案的有益效果在于，通过在于离子束中掺杂第二离子，进而在控制偏转半径使离子束中的第一离子注入晶圆，而第二离子则不会注入晶圆内若检测到晶圆中的第二离子的含量超过标准值，则说明此时的离子设备存在性能故障，具体表现在离子设备的分析磁场中解析力存在问题。
一种监测离子注入设备性能方法

[发明专利]一种建立全局调节模型进行优化快速热退火的方法-CN201711160733.1有效
发明人：刘林炎;赖朝荣;谢威;郭楠 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-11-20 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种建立全局调节模型进行优化快速热退火的方法，应用于退火时对晶圆的热补偿，其中，包括以下步骤：进行试验，收集、处理晶圆试验数据，确立全局调节模型；根据全局调节模型计算所需的温度补偿量，控制机台退火温度；有益效果：通过收集晶圆的阻值、膜厚等参数数据，通过自建的全局调节模型依据晶圆参数变化对晶圆进行热量补偿，保证晶圆不同区域受热一致，半导体器件的电性参数稳定。
一种建立全局调节模型进行优化快速退火方法

[发明专利]一种离子注入剂量自动控制方法及系统-CN201710612020.8有效
发明人：董卫一鸣;赖朝荣;王智;苏俊铭 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-07-25 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明公开了一种离子注入剂量自动控制方法及系统，属于半导体制造技术领域；方法包括：分别获取当前层之前特定层的制造工序中离子注入剂量的影响参数，根据所有影响参数以及当前层的制造工序对应的注入工序的标准注入剂量，处理得到当前层的目标注入剂量，处理得到当前层的目标注入剂量；将当前层的目标注入剂量与预设的目标剂量范围进行比较，以确定与目标注入剂量相匹配的目标剂量范围；选择与被确定的目标剂量范围相对应的离子注入程式，并根据被选择的离子注入程式确定当前层的制造工序中的离子注入剂量。系统依照上述方法实现。上述技术方案的有益效果是：简化离子注入剂量自动控制的复杂度，保证注入剂量调整的稳定性和安全性。
一种离子注入剂量自动控制方法系统

[发明专利]一种确定离子注入机注入角度偏差的方法-CN201710642794.5有效
发明人：董卫一鸣;赖朝荣;王智 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-07-31 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提出一种确定离子注入机注入角度偏差的方法，包括下列步骤：提供标准硅片和离子注入机；将标准硅片上半部分在离子注入机进行特定程式的离子注入；离子注入机将标准硅片旋转180度，使用相同程式进行下半部分的注入；对标准硅片进行热波或方块电阻量测；分别收集标准硅片上下半部分的量测值；根据量测值计算离子注入机注入角度的偏差。本发明提出的确定离子注入机注入角度偏差的方法，此方法通过对硅片扭角的调整进行两次注入，根据硅片两次热波或方块电阻量测值来确定注入机注入角度校正值，以消除硅片晶向对注入机注入角度校正的影响。
一种确定离子注入角度偏差方法

[发明专利]晶圆退火的热量补偿方法-CN201710401289.1有效
发明人：谢威;赖朝荣;王智 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-05-31 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆退火的热量补偿方法，在晶圆的栅极上形成侧墙，对于每个晶圆，测量所述侧墙的厚度，并根据所述侧墙厚度的变化ΔD时，在晶圆尖峰退火时，对晶圆进行温度补偿，补偿温度ΔT＝a×ΔD+b，其中a、b为侧墙厚度变化ΔD以及尖峰退火温度变化Δt对电性参数的影响系数。由于每个晶圆在制作时，其侧墙厚度并不一致，因此本发明针对每个晶圆侧墙厚度的变化，制定了温度补偿公式ΔT＝a×ΔD+b，从而针对不同的晶圆、不同的侧墙厚度，补偿不同的温度，从而保证不同的晶圆受热一致，使得该种工艺制作下来的半导体器件的电性参数稳定在一定范围内，方便后续的测试和应用。
退火热量补偿方法

[发明专利]一种离子注入方法及实现其的离子注入机-CN201910487944.9在审
发明人： 赖朝荣;裴雷洪 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-06-05 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明提供了一种离子注入方法及实现上述离子注入方法的离子注入机。上述离子注入方法包括：提供注入到晶圆的点状离子束流；控制上述晶圆在第一方向上来回移动；控制上述点状离子束流在垂直于第一方向的第二方向上来回扫描；以及基于上述点状离子束流当前扫描的晶圆部分在第二方向上的宽度调整上述点状离子束流在第二方向上的扫描宽度。根据本发明所提供的离子注入方法通过改变离子束流的扫描宽度调整离子束流的扫描路径，从而使束流扫描区域贴合于晶圆，大大减少了离子束流的浪费，提高了有效离子束流量，在不提高实际离子束流的情况下，提高了产能。
离子束流离子点状晶圆扫描离子注入机宽度调整扫描路径扫描区域有效离子产能束流贴合垂直移动

[发明专利]进出气装置、具有进出气装置之热处理机台及进出气方法-CN201510435906.0有效
发明人：郭楠;赖朝荣;苏俊铭;倪立华 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-07-22 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种进出气装置，包括：气体盒，与外界气压源连通，并设置在工艺腔室之第一侧壁；第一气体分流板，与气体盒连通，并位于气体盒之紧邻工艺腔室的内侧，且间隔设置第一气体通孔；气体出口，设置在第二侧壁；第二气体分流板，与气体出口连通，并位于气体出口之紧邻工艺腔室的内侧，且间隔设置第二气体通孔。本发明将工艺气体输入至气体盒，并将工艺气体聚集，随后将工艺气体通过间隔设置第一气体通孔之第一气体分流板进行流速降低，平缓、均匀的导入至晶圆的表面，最后通过设置在晶圆之异于第一气体分流板一侧的第二气体分流板和气体出口将残留气体导出，不仅气流平缓、分布均匀，而且对晶圆温度的影响一致、均匀性好，极大的提高了产品良率。
进出装置具有热处理机台方法

[发明专利]一种晶圆高能离子注入机金属污染改善方法-CN201611009755.3有效
发明人：时锋;赖朝荣;王智;苏俊铭 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-11-16 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H01J37/147 文献下载
摘要：本发明提出一种晶圆高能离子注入机金属污染改善方法，包括下列步骤：由离子源产生离子并经过与镁炉交换电子变为负离子；负离子通过加速后与气体交换电子重新变更为正离子；所述正离子通过加速后，通过能量筛选电磁场筛选出满足注入能量的束流；在所述能量筛选电磁场后增加对束流垂直方向偏转一定角度的电场来消除金属污染。本发明提出的晶圆高能离子注入机金属污染改善方法，通过在能量筛选电磁场后，增加一个对束流垂直偏转方向的电场，筛选出需要的能量源种束流，将不满足能量要求的金属等注入消除，从而降低金属污染。
一种高能离子注入金属污染改善方法

[发明专利]一种离子注入工艺的精确控制方法-CN201610498922.9有效
发明人：邓尚上;赖朝荣;苏俊铭 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-06-30 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明公开了一种离子注入工艺的精确控制方法，包括选取半导体晶片上后续离子注入区域中至少两个不同特征的关键尺寸进行测量，建立后续离子注入的剂量与不同特征的关键尺寸之间的对应数学关系，通过数据库对不同特征的关键尺寸进行分析，得到后续离子注入的剂量，通过离子注入机剂量控制系统控制后续离子注入时在半导体晶片上的扫描速度，自动调节注入剂量，从而可精确控制单枚晶片的注入剂量补偿，可为相关产品的漏电率问题提供解决方案，并可稳定和提高先进制程的良率。
一种离子注入工艺精确控制方法

[发明专利]降低晶圆的边沿热量流失的装置-CN201810418155.5在审
发明人：谢威;赖朝荣;王智 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2018-05-04 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及一种降低晶圆的边沿热量流失的装置，涉及集成电路制造技术，包括：一晶圆；一托盘，包括一托盘环和一孔形成的中空结构，所述晶圆的边沿置于所述托盘环上，以承载所述晶圆，所述晶圆的中心部分置于所述孔上；一托盘温度检测单元，用于检测所述托盘环的温度，以输出一代表所述托盘的温度的托盘温度信号；一比较计算单元，接收所述托盘温度信号及一参考温度信号，输出代表所述托盘温度信号与所述参考温度信号的偏差的一温度偏差信号；一热源控制器，接收所述温度偏差信号，并根据所述温度偏差信号输出一温度控制信号；以及一热源设备，根据所述温度控制信号控制照射所述托盘环的热量；以控制托盘环的温度。
托盘晶圆托盘环温度偏差信号温度信号参考温度信号温度控制信号热量流失输出集成电路制造技术温度检测单元热源控制器比较计算热源设备中空结构照射承载检测

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