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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]单层MoS2-CN202110686636.6有效
  • 吕红亮;贾紫骥;孙佳乐;吕智军;张玉明;张义门 - 西安电子科技大学
  • 2021-06-21 - 2023-04-18 - H01L29/88
  • 本发明公开了一种单层MoS2‑Si基隧穿二极管及其制备方法，涉及半导体技术领域，该方法包括：提供第一衬底，并在第一衬底的一侧表面制备SiO2隔离区，得到第一衬底结构；获取第二衬底，第二衬底包括预先生长得到的单层MoS2；利用外延层转印技术，将单层MoS2转移至第一表面；图形化所述单层MoS2，形成单层MoS2沟道层；在第一表面淀积形成第一电极和第二电极，使第二电极与SiO2隔离区及单层MoS2沟道层直接接触，获得制作完成的单层MoS2‑Si基隧穿二极管。本发明提供的单层MoS2‑Si基隧穿二极管及其制备方法能够降低界面缺陷密度，进而抑制陷阱辅助隧穿，并从工艺角度改善器件的亚阈值摆幅。
  • 单层mosbasesub
  •  1 
  • 共 1 条
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